《中华人民共和国对外贸易法》第十六条规定的可以限制或者禁止有关货物、技术出口的第一个原因就是维护国家安全。 第十九条规定，对限制进口或者出口的货物，实行配额、许可证等方式管理。 氮化镓 从高功率的氮化镓半导体材料，到中小功率的超级硅新材料，两者形成互补，至此全功率段生态闭环已然形成，可以清晰的看到倍思快充产业布局脉络。 互联网时代自然离不开网上商城，倍思在京东、天猫、亚马逊都开设了官方旗舰店，并且使用微信公众号与小程序设立微信商城，既能更快更好的为用户服务，也可以根据需求迅速便捷的调整产品线。 好的产品都是离不开严苛的测试标准，为了把握产品质量，提高研发能力，倍思不惜成本成立自检实验室。 倍思的每一款产品，上市之前都会经过多重严苛检测，层层把关，质量保证。
机会稍纵即逝，随后倍思再度推出全球第一款氮化镓+碳化硅 (GaN+SiC) 充电器——2C1A 120W氮化镓充电器CCGAN120C，并在国外平台众筹成功，再次引领一波热潮。 2019年8月18日，Baseus倍思在深圳举办了“2019倍思旗舰新品发布会”，推出全球首款2C1A 65W USB PD氮化镓充电器，引爆了的氮化镓充电器市场，热度持续不减。 倍思抢先推出20W超级硅充电器，在成本与用户体验做到极致的平衡，当下20W PD快充市场局势将要明朗，可以看到不论是销量还是知名度，倍思20W超级硅充电器都是这一波“小风口”的佼佼者。 2020年2月25日倍思乘胜追击，在kickstarter众筹推出全球首款氮化镓+碳化硅 (GaN+SiC) 充电器，十天时间众筹金额就已破百万人民币（155627美元），大获成功。
氮化镓: 半导体行业
据韩媒《KoreaBusiness》报导指出，为了填补本身在晶圆代工上的劣势，三星已经开始培育韩国国内半导体产业的新创公司，并且联合韩国政府开始投资韩国国内在半导体材料及设备上的新创公司。 其中就包括三星投资部门的80亿韩元投资的IVworks，据悉，IVworks韩国第一家开发8英寸GaN-on-Si外延片和4英寸GaN-on-SiC外延片的晶圆代工厂。 2014年英飞凌收购美国国际整流器公司（IR)，扩充产品组合（SiC和GaN的强强联合）。 此举不仅扩大了他们在美国的影响力，也强化在亚洲市场上的地位。
- 办法一定是有的，我们可以把氮化镓器件引入到SFX电源中，在初级开关管和同步整流管都使用氮化镓开关管来取代传统的Si MOS，组成All GaN方案。
- 通过此次合作，意法半导体创新的战略性氮化镓产品将采用台积电的氮化镓制造工艺。
- 受经济形势严峻和下游市场低迷影响，电子元器件行业利润增长放缓，但龙头企业营收增势不减，行业集中度不断提升，强者恒强的趋势将日益明显。
- 这种比较新鲜的小玩意还算适合拿来送礼，毕竟是真的解决不少充电烦恼。
- PI INN3379C采用PowiGaN技术，内置PWM控制器、高压MOS、同步整流控制器等，集成度非常高，并且采用数字总线控制调压。
- 对于充电器来说，在充得快这个要求之上，安全是要放在第一位的。
尤其是日本和荷兰在美国的胁迫下，先后收紧了对中国的半导体的出口管制。 现在美国又在酝酿收紧AI芯片的出口，在这种欺人太甚的情况下，中国两部门的出口管制也算是一种对等反制方面的安排。 另外，陈凤英认为，资源是有限的，开采资源也意味着较大的环境成本，通过出口管制实现对有限资源的保护，也是维护国家安全与利益的一种体现。 Super Si超级硅是一种新型硅基材料，在密度、导热率、效能转化上极具优势。
氮化镓: 氮化镓干嘛用的？
绿联 140W 氮化镓充电器正式名字叫“闪电 π / 闪电湃”，型号 CD289，壳体采用墨绿色涂装，侧面加入了管状装饰设计，让它更具有科技气息。 安克 150W 充电器支持 V ~ 50/60Hz 全球电网，并采用折叠插脚设计，跨区差旅更方便。 USB-C1/C2/C3 支持功率盲插功能，单独使用均可获最大 100W 快充输出，USB-A 支持 22.5W 多协议快充输出，全局最大输出功率 150W。 一个绿联闪充湃 200W 就可以解决整个会议室、整个家庭、整个公司的多设备充电需求，也让高端玩家的大功率数码产品能“吃得饱饱的”。
日本京瓷2020年年度报告显示，公司营业收入为人民币1048.08亿元，归母净利润为人民币 70.60亿元。 据 Laser Focus World 统计， 2020 年中国光纤激光器市场规模为 13.8 亿美元，国产比例为 56%（约 7.73 亿美元）。 根据 Laser Focus World 数据显示，全球工业激光器市场规模由 2014 年的 26.3 亿美元增长至 2019 年的 51.5 亿美元。 根据 Laser Focus World 数据显示，2020 年全球激光器市场总收入为 165 亿美元。 2020 年虽然新冠疫情蔓延导致一些地区经济衰退以及社会和政治动荡影响，但全球激光器市场仍然保持了较为稳定的增长。
氮化镓: Innoscience All GaN 解决方案加速 USB PD3.1 应用
氮化镓场效应管器件提供的电流比砷化镓场效应管高二倍：由于氮化镓场效应管器件提供的电流比砷化镓场效应器件高二倍，因此氮化镓场效应器件的本征带宽能力更高。 正是基于GaN的上述特性，越来越多的人看好其发展的后势。 特别是在几个关键市场中，GaN都表现出了相当的渗透力。
需要强调一下，E c在这里也同样也很重要，并可能给Ga2O3带来很大的优势。 其实市场上具有不过拥有不少带隙的材料，但是量子力学的特殊性意味着他们当中的大多数几乎都不能用作半导体。 然而，有一个引人注目的候选：透明的导电氧化物——氧化镓（Ga2O3）。
氮化镓: 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)的区别在哪里？这篇指南送给你
未来半导体技术的提升，除了进一步榨取摩尔定律在制造工艺上最后一点“剩余价值”外，寻找硅（Si）以外新一代的半导体材料，也就成了一个重要方向。 在这个过程中，氮化镓（GaN）近年来作为一个高频词汇，进入了人们的视野。 芯片裂纹是氮化镓产品封装最常见的失效现象，如何快速、准确的识别剔除异常产品，是提高产品封测良率、保障产品正常使用的保障。 华天科技率先制定氮化镓产品裂纹、分层检验标准，投入 SAM、AVI 等高精度、自动化设备，确保异常产品不流通、不外溢。 同步整流控制器来自MPS，型号MP6908A，最高工作频率600KHz，支持DCM，CCM和QR以及ACF工作模式，支持标准电压和逻辑电压驱动的同步整流管。
- 另外，在美国打压中国高科技的背景下，中国的出口管制或许意味着一种对等反制。
- 因此，氮化镓是我们在电视、手机、平板电脑、笔记本电脑和显示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技术。
- 3C1A的接口配置，充电器的USB-C2接口则更强一些，除了与USB-C1一致的快充协议外，还支持QC4.0+以及PPS，可以对需求PPS充电的设备提供不错的快充服务。
- 因此，使用氮化镓，代表着数据中心行业向“净零排放”（Net-Zero）的目标，又迈出坚实的一步。
- 产品外观依旧极具辨识度，配备折叠插脚方便用户携带外出。
- 在一些研发和应用中，传统硅器件在能量转换方面，已经达到了它的物理极限。
Baseus倍思是深圳市倍思科技有限公司旗下一个集研发、设计、生产、销售为一体的消费电子品牌，由CU于2011年创立。 氮化镓 秉承着“一切美的产品设计都要实用”的理念为主导原则，专注于为用户提供实用与美学兼具的产品，将最新的科技、环保的材料、时尚的元素融入到产品设计当中，创造出独具“倍思”风格的产品。 PI INN3379C采用PowiGaN技术，内置PWM控制器、高压MOS、同步整流控制器等，集成度非常高，并且采用数字总线控制调压。
氮化镓: GaN Systems 整合 QPT 功率级技术大幅提升氮化镓功率半导体效能
TEA2016AAT 是一款面向高效谐振电源的数字可配置LLC和PFC组合控制器。 氮化镓 同时集成了 LLC 控制器功能以及 DCM 和 QR 模式下工作的PFC控制器。 借助TEA2016AAT可以构建出完整的谐振电源，不仅设计简单，所需组件数也很少。 东科DKG045Q内部集成了650V/200mΩ导阻的GaN HEMT、逻辑控制器、GaN驱动器和高压启动管，采用反激方式，DFN5x6mm封装，输出功率45W，最高工作频率150KHz。
但是ATX电源也有着更多的选择，价位从百元到千元均有产品，功率选择也很多，真正做到丰俭由人。 这不仅得益于上游芯片研发、供应链把控取得了关键性突破，也离不开手机、笔电以及配件厂商的战略布局和大力推广，做出了优质、多样化的好产品。 近几年，手机、平板、电脑的充电功率都有了飞跃式的进步，与之配套的充电器也是“同步升级”，功率越做越高。
氮化镓: 氮化镓电学特性
接受《环球时报》记者采访的专家认为，中国通过出口许可制，可以厘清这些关键金属出口的最终用户和用途，以规避危害国家安全和利益的风险。 另外，在美国打压中国高科技的背景下，中国的出口管制或许意味着一种对等反制。 氮化镓 从正面的店铺LOGO，到室内的布局，整体风格简约时尚。 优质的产品质量、出色的产品设计、良好的使用体验，使得倍思品牌形象店深受广大用户欢迎。 如雨后春笋般，1年的时间里，倍思品牌形象店遍及了北京、广州、深圳各大城市，蓬勃发展的势头使倍思产品迅速遍及国内外市场，受到了国内外众多用户和重大卖场的欢迎。 前面我们提到超级硅这种新材料的优秀之处，倍思20W Super Si超级硅充电器可以说将这种新材料的优势发挥的淋漓尽致，在价格和体积两者上找到了平衡点，使得这一技术得以平民化。
对于在高达千赫兹范围的频率下作为开关工作的晶体管来说，这是一个非常重要的特性。 此类设备存在于多千伏级变电站设备，用于医学成像的高能光子发生器以及用于电动汽车和工业电机驱动器的功率逆变器中。 在日本信息和通信技术（NICT）研究所的Masataka Higashiwaki是第一个意识到β-Ga2O3在电源开关应用里潜力的人。 2012年，在他的研究小组报告了首个单晶的β-Ga2O3晶体管后，他震惊了整个功率器件领域。 举个例子，功率晶体管的关键指标之一就是击穿电压，达到这个临界点，半导体阻止电流流动的能力就会崩溃。
氮化镓: 充电头网评测室
为了更为精准的给手机充电，一般手机充电都会隔几分钟停一下，检测一下当前的水位来决定继续注水的水量。 所以一般是先很快的倒水，等水快满了再慢慢倒水，也就是涓流充电的过程，这也是为什么手机最后 10% 总是充得很慢，跟我们倒水一样，如果检测水位的频率越高，下一次就能针对性的倒水，充电的效率也就能更高。 全球 GaN 射频器件独立设计生产供应商（IDM）中，住友电工和 Cree 是行业的龙头企业，市场占有率均超过 30%，其次为 Qorvo 和 MACOM。
致力于整合业界优势资源，打造GaN器件开发与应用生态系统，为PD快充、智能家电、云计算、5G通讯等提供国产化核心元器件支持。 背靠上市公司赛微电子（300456）与知名投资基金支持，聚能创芯建立了业界领先的管理和技术团队。 在产品研发与量产过程中，始终坚持高品质与高可靠性的要求。 在得到合作伙伴广泛认同的同时，逐步成为第三代半导体领域的国际知名企业。 凭借先进的自动调谐技术、自适应死区时间优化和可变开关频率控制律，UCC28780可在宽广的工作范围内实现零电压开关（ZVS）。 使用可根据输入和输出条件改变运行方式的自适应多模式控制，可在提高效率的同时减轻可闻噪声。
氮化镓: 中国执行锗、镓出口管制半个多月，效果那是相当的好！
LiDAR装置在12-24伏的直流电压范围内工作，该电压来自于一个DC−DC转换器。 早在2010年，当IR发布第一款氮化镓器件之后，EPC便从IR公司分离出来。 两个C口均支持 5V3A、9V3A、12V3A、15V3A和20V5A五组固定电压和 3.3V-21V5A 一组PPS电压档位，有着更好的设备兼容性。 为了让用户到手即可用，包装内配套了一根 PD3.1 新标准闪充线缆，最高支持 240W 电力传输规格，释放满血快充性能。 另外，线缆长度更是达到 1.5m，供电半径更加宽广，且采用编织工艺制作，耐用寿命长。 两个 USB-C 输出口支持同时对两台笔记本同时快充，功率智能分配为 65W+65W，双机同时处于 PD 快充状态下，长时间商务会议无需担心电力续航问题。
接着2016年3月，科巴姆公司与RFHIC公司将联合开发GaN大功率放大器模块，用于175千瓦固态发射机原理样机。 尽管这些进展令人鼓舞，但Ga2O3不太可能在每种射频应用中挑战砷化镓（GaAs）或GaN。 作为一款基本良好的开关，我们希望它在开关模式放大器（例如D类，E或F类）中具有优势。 在这些器件中，该器件的导通电阻非常低，并且可利用低电流，高击穿电压电压特性实现非常高的效率。 氮化镓 另一方面，要求较低阻抗和高电流的器件应用将青睐GaN，这主要是因为其电荷载流子迁移率和电荷载流子密度更高。
氮化镓: 应用
“精益求精”，这是程凯在接受采访过程中多次提到的关键词。 对新材料的缺陷检测体现了企业在严格把控品质方面的精益求精，而程凯要告诉记者的显然不仅是这一点。 在 88 款氮化镓充电器中，65W 功率以 60% 的占比位居第一，100W 则排名第二，成为未来氮化镓充电器的功率“潜力股”。 通过三维则可算得模块体积约为19.75cm³，功率密度约为1.67W/cm³。 一个典型的DC-DC转换器用于将高电池电压转换为12伏和/或48伏。 高压电桥中使用的IGBT正逐渐被SiC MOSFET所取代。
从第一台LED背光液晶电视到最新的OLED屏幕，这加速了阴极射线管（CRT）电视和显示器市场的更替，以及基于硅的 “偏转晶体管”屏幕产品的消亡。 更重要的是，氮化镓相比传统的硅，可以在更小的器件空间内处理更大的电场，同时提供更快的开关速度。 此外，氮化镓比硅基半导体器件，可以在更高的温度下工作。 而在5月份，欧洲还确立了一项高达6000万欧元（约合人民币4.55亿元）的氮化镓（GaN）科研项目，由英飞凌牵头，并拉上了其45家合作伙伴，旨在建立从功率芯片到模块的完整供应能力。 值得注意的是，仅在去年2月，英飞凌就已经宣布斥资逾20亿欧元，在马来西亚居林工厂建造第三个厂区用于生产SiC和GaN功率半导体。
氮化镓: 氮化镓计算化学数据
氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶体管这两种化合物半导体器件已作为方案出现。 这些器件与长使用寿命的硅功率横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) MOSFET和超级结MOSFET竞争。 GaN和SiC器件在某些方面是相似的，但也有很大的差异。 本文对两者进行了比较，并提供了一些实例，以助您为下一个设计做决定。 从充电头网的拆解来看，目前市面上已经量产商用的氮化镓方案主要来自PI和纳微半导体两家供应商。
在程凯看来，创新是永无止境的，只有通过创新，企业才能在激烈的全球市场竞争中占据一席之地。 “要努力做产品的创新，走到行业的前面，这样才能实现一个正向循环。 得益于氮化镓高频高效的黑科技加持，绿联氮化镓充电器相比普通 100W 充电器的体积小巧很多，加上折叠插脚设计，使得它整体更加便携。
氮化镓: 氮化镓充电器和普通的充电器有什么区别？
许多功率电路和器件可用GaN和SiC进行设计而得到改善。 其中一些流行的应用是OBC、DC-DC转换器、电机驱动器和激光雷达(LiDAR)。 GaN器件被广泛用于无线设备中，作为频率高达100 GHz的功率放大器。 一些主要的用例是蜂窝基站功率放大器、军用雷达、卫星发射器和通用射频放大。
半导体技术迭代链条包括所有技术环节所需的相关支撑条件是否具备可靠来源，市场周期的波动率，用户对产品需求性价比，以及对比竞品材料的优劣等。 在热电器件领域，含锑元素的各类晶体材料具有优良的热电和制冷效应，是长期以来热电制冷器件领域的重要技术方向，具有广阔的应用前景。 “硅器件工作温度范围相对有限，而超宽禁带半导体可谓‘上天下海’，适应范围非常宽广。
尽管这种弱点确实带来了额外的挑战，它也并不是一帆风顺的。 美浦森MSD04065G1，碳化硅二极管，耐压650V，更短的恢复时间，采用TO252封装，用于PFC升压整流。 两颗高压滤波电解电容，规格均为400V 33μF，由于PFC升压后电压稳定，无需采用大容量电解电容，两颗33μF即可满足100W功率输出。 与许多宽带隙半导体不同，氧化镓晶圆可以使用与硅晶圆大致相同的工艺制造。 因此，总而言之，Ga2O3等材料的真正电子性能来自于充分利用其临界电场强度。 直到2015年，还没有一个小组对材料可达到的场强进行实测。
