②綠碳化矽含SiC約97%以上，自銳性好，大多用於加工硬質合金、鈦合金和光學玻璃，也用於珩磨汽缸套和 精磨高速鋼刀具。 此外還有立方碳化矽，它是以特殊工藝製取的黃綠色晶體，用以製作的磨具適於軸承的超精加工，可使表面粗糙度從Ra32～0。 在二十世纪80至90年代，几个欧洲、日本和美国的高温燃气涡轮机研究项目对碳化硅做了研究，项目的目标均打算以碳化硅代替镍高温合金制造涡轮机叶片或喷嘴叶片。 但这些项目无一实现量产，主要原因在于碳化硅材料的耐冲击性和断裂韧度低。 1982年由氧化铝和碳化硅须晶构成的超强复合材料问世，经过随后三年的发展这种复合材料走出实验室成为商品。
有別於中國砸錢補貼的作法，楊瑞臨表示，美國政府推動的基建計畫中將大舉建置充電樁，這將為第三代半導體 SiC 創造市場。 第三代半導體生產成本高昂，放量生產仍有難度，現階段國內外廠商都朝著策略結盟，透過加強上下游垂直整合能力，將良率提升、降低成本，最終量產。 寬能隙半導體中的「能隙」（Energy gap），如果用最白話的方式說明，代表著「一個能量的差距」，意即讓一個半導體「從絕緣到導電所需的最低能量」。
碳化矽用途: 半導體保險絲（IPD）
碳化硅利用良好的导热和热稳定性作为换热器，燃耗降低20%~35%，生产率提高20~30%，耐磨性是普通耐磨材料的6~7倍。 至於 GaN-on-SiC 的關鍵材料 SiC 基板，製程更是繁雜、困難，過程需要長晶、切割、研磨。 生產 SiC 的單晶晶棒比 Si 晶棒困難，時間也更久，Si 長晶約 3 天就能製出高度 200 公分的晶棒，但 SiC 需要 7 天才能長出 2 到 5 公分的晶球，加上 SiC 材質硬又脆，切割、研磨難度更高。 形成於地幔的高溫高壓條件，隨岩漿噴出地表；如泰國、澳大利亞、中國山東、美國等國家。
人造莫桑石的寶石就是切割由Lely法製備的大塊碳化矽單晶獲得的。 碳化矽（英語：silicon carbide，carborundum），化學式SiC，俗稱金剛砂，寶石名稱鑽髓，為矽與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化矽在大自然以莫桑石這種稀有的礦物的形式存在。 將碳化矽粉末燒結可得到堅硬的陶瓷狀碳化矽顆粒，並可將之用於諸如汽車剎車片、離合器和防彈背心等需要高耐用度的材料中，在諸如發光二極管、早期的無線電探測器之類的電子器件制造中也有使用。 人造莫桑石的寶石就是切割由Lely法制備的大塊碳化矽單晶獲得的。 碳化矽的結構和性能 碳化矽用途2023 碳化矽有多重晶體結構，純碳化矽是無色透明的晶體。
碳化矽用途: 碳化硅用途有哪些
碳化矽是當代非氧化物耐火原料中應用最廣泛、成本最低的。 碳化矽是用石英砂、石油焦、煤焦、木屑等原料在電阻爐內經高溫冶煉而成。 碳化矽有黑碳化矽和綠碳化矽兩個常用的基本品種，都屬α-SiC。 ①黑碳化矽含SiC約95%，其韌性高於綠碳化矽，大多用於加工抗張強度低的材料，如玻 璃、陶瓷、石材、耐火材料、鑄鐵和有色金屬等。
粉末状脱氧剂黑碳化硅一般有4～0.5mm和0.5～0.1mm两种粒度。 碳化矽用途 碳化矽用途2023 电工用碳化硅有两种首要类别：(1)电热元件用绿碳化硅，其本质与磨料用绿碳化硅彻底一样。 (2)避雷器用碳化硅，其电功用要求特别，不同于磨料用耐火资料用黑碳化硅。
碳化矽用途: 磊晶技術困難、關鍵 SiC 基板由國際大廠主導
[27]此外碳化矽的熱膨脹係數也非常低（4.0×10-6/K）同時也不會發生可能引起的不連續性熱膨脹的相變。 矽格長期深耕手機與網通領域，看好第三代半導體發展趨勢，也投入相關應用測試研發，並與客戶緊密合作，成功在第2季通過客戶驗證，現階段已小量出貨，象徵公司朝高附加價值領域布局效益開始顯現。 矽格透露，該公司已具備氮化鎵和碳化矽量產能力。 談到氮化鎵測試的技術門檻，矽格說明，氮化鎵具高頻、高溫的特性，在測試上需要特別留意設備、載板等與產品的匹配度，有一定難度，矽格相關測試技術通過客戶驗證並量產出貨，對集團而言是邁入新的里程碑。
2008年已有第一个商品化的JFET，额定1200V[39]，之后是2011年第一个商品化的MOSFET，额定电压1200 碳化矽用途 V。 SiC的开关以及SiC肖特基二极管（SBD）有常见的TO-247及TO-220（英语：TO-220）封装外，许多厂商也开始将SiC裸晶放在功率模组中。 半導體大廠積極布局先進封裝，英特爾率先喊話其2025年先進封裝產能要比現在大增四倍，由於晶片堆疊層數大增，引動ABF載板... 業界認為，太陽能逆變器採用氮化鎵後，可增強轉換效率及縮小約30%逆變器體積；至於新能源車雖然停留在OBC、DC-DC應用上，未來也將逐漸切入逆變器應用。
碳化矽用途: 碳化硅市场需求
金剛砂又名碳化矽（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化矽時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。 碳化矽用途 在當代C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中，碳化矽為套用最廣泛、最經濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 目前中國工業生產的碳化矽分為黑色碳化矽和綠色碳化矽兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。
- GaN 應用領域則包括高壓功率元件（Power）、高射頻元件（RF），Power 常做為電源轉換器、整流器，而平常使用的藍牙、Wi-Fi、GPS 定位則是 RF 射頻元件的應用範圍之一。
- 科銳（Cree）是全球 SiC 基板龍頭廠，市占率超過六成，目前國內有廣運集團旗下盛新材料科技和穩晟材料投入 SiC 基板領域。
- 1985年先進複合材料公司和Greenleaf公司推出了新的商品化切割工具，工具就是由氧化鋁和碳化矽須晶組成的加強型複合材料所製造的。
- 矽格透露，該公司已具備氮化鎵和碳化矽量產能力。
- 楊瑞臨表示，SiC 基板製造難度高，是成本高昂的主因。
研調機構集邦科技報告顯示，估2023年氮化鎵市場規模達5.57億美元，2026年成長至17.68億美元，年複合成長率高達57%，商機龐大可期。 他分析，未來全球電動車、綠能需求會是以「法規引導式」的大爆發，台灣不能缺席；例如部分歐洲國家二○三○年起陸續禁止燃油車銷售，加上日前美國在內的四十國氣候峰會紛紛制定二○五○年大幅減碳乃至零碳目標，需求趨勢已相當明確。 SiC 長晶效率又比 Si 慢 100~200 倍，Si 長晶約 3 天即可製造高度 200 公分晶棒，SiC 要 7 天才能長出 2~5 公分晶球。 SiC 硬且脆，切割、研磨拋光難度高，會有很多報廢物。 楊瑞臨表示，SiC 碳化矽用途 基板製造難度高，是成本高昂的主因。 熱場控制及晶種掌握相當關鍵，卻只能土法煉鋼，做中學、學中做。
碳化矽用途: 碳化矽
碳化硅制品具有耐高温、耐磨、耐热震、耐化学腐蚀、耐辐射和杰出的导电性、导热性等特别功用，因而在国民经济各部门中具有广泛的用处。 碳化矽用途 黑碳化硅用于制造磨具，多用于切开和研磨抗张强度低的资料，如玻璃、陶瓷、石料和耐火物等，一起也用于铸铁零件和有色金属资料的磨削。 绿碳化硅制成的磨具，多用于硬质合金、钛合金、光学玻璃的磨削，一起也用于缸套的珩磨及高速钢刀具的精磨。 用电镀办法将碳化硅微粉涂敷于水轮机叶轮上，可大大提高叶轮的耐磨性;用机械压力将立方体SiC200号磨粉与W28微粉压入内燃机的汽缸壁上，可延长缸体寿数一倍以上。
此外还有立方碳化硅，它是以特殊工艺制取的黄绿色晶体，用以制作的磨具适于轴承的超精加工，可使表面粗糙度从Ra32～0.16微米一次加工到Ra0.04～0.02微米。 以台灣來看，強攻第三代半導體的集團分別有中美晶集團、漢民集團、廣運集團。 環球晶、漢民科技、穩晟科技以及廣運集團去年和子公司太極成立「盛新材料」跨足 SiC 碳化矽用途 基板領域；台積電、世界先進、穩懋、宏捷科、環宇-KY、漢民子公司漢磊及嘉晶專攻磊晶技術與代工業務。 第三代半導體（包括 SiC 基板）產業鏈依序為基板、磊晶、設計、製造、封裝，不論在材料、IC 設計及製造技術上，仍由國際 IDM 廠主導，代工生存空間小，目前台灣供應商主要集中在上游材料（基板、磊晶）與晶圓代工。 第三代半導體是目前高科技領域最熱門的話題，在 5G、電動車、再生能源、工業 4.0 發展中扮演不可或缺的角色，即使常聽到這些消息，相信許多人對它仍一知半解，好比第三代半導體到底是什麼？ 對此，本系列專題將用最淺顯易懂、最全方位的角度，帶你了解這個足以影響科技產業未來的關鍵技術。
碳化矽用途: 碳化硅物质结构
剛玉形成於接觸變質作用；如緬甸、克什米爾、中國安徽等地。 是由各種原生紅寶石、藍寶石經風化作用富集而成，分佈廣，易開採、分選。 日本部分新造的大功率交传铁路车辆，以碳化硅取代IGBT用于牵引变流装置（如新干线ALFA-X、EMU3000和E235系），有助进一步减少车辆耗电。 日本部分新造的大功率交傳鐵路車輛，以碳化硅取代IGBT用於牽引變流裝置（如新幹線ALFA-X、EMU3000和E235系），有助進一步減少車輛耗電。 将笔记本电脑适配器的体积减少80%，将一个变电站的体积缩小至一个手提箱的大小。
