1998年，美国超微（AMD）研究团队制造了MOSFET（NMOS）器件，其沟道长度为50 nm，氧化物厚度为1.3 nm。 IT之家 5 月 8 日消息，2023 国际超大规模集成电路技术研讨会将于 6 月 11 日至 16 日在日本京都举行。 此外，在制造环节，此技术也具高度可制造性，因为其利用约90% FinFET 制造技术与设备，只需少量修改的光罩即可。 T客邦由台灣最大的出版集團「城邦媒體控股集團 / PChome電腦家庭集團」所經營，致力提供好懂、容易理解的科技資訊，幫助讀者掌握複雜的科技動向。
一直以来，三星都希望能够在晶圆代工业务上超越台积电，其中对于先进制程的争夺更是成为了双方的焦点。 抢先量产更为先进的半导体制程工艺，不仅能够体现自身的技术实力，同时也意味着三星能够为客户更快的生产更先进的芯片，帮助客户更快的在市场竞争当中占据有利的地位。 6月30日，正如之前外界传闻的那样，三星电子今天正式对外宣布，其已开始大规模生产基于3nm GAA（Gate-all-around，环绕栅极）制程工艺技术的芯片，这也使得三星抢先台积电成为了全球首家量产3nm的晶圆代工企业。
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最近又搶在台積電之前宣佈3nm量產及出貨，雖然反映其強烈的企圖心，但外界卻冷眼相看。 IT之家了解到，三星最初在 2019 年 5 月宣布其基于 MBCFET 的 3GAE 和 3GAP 节点。 三星表示，与 7LPP 相比，3GAE 的性能提高 35%，功耗降低 50%，面积减少 45%。 三星 3 奈米製程技術預計有兩種型號 3GAAE 和 3GAAP，基於奈米片結構設計，鰭中有多個橫向帶狀線。 此奈米片設計被研究機構 IMEC 當成 FinFET 後續產品而有大量討論，並由 IBM 與三星和格羅方德 (Globalfoundries) 合作研究。
由於台積電在7nm以下的製程有超過9成的市佔率，三星的幾乎7nm以下產品線都在賠錢苦撐，而開發新製程動輒要百億美元起跳，5nm良率造假風波尚未平息，如果3nm找不到客戶，未來可能危及整個先進製程生產線。 現在三星半導體最賺錢的是記憶體與快閃，但這些年台積電與美光積極合作，已準備聯手搶下三星記憶體的市佔，三星記憶體部門未來持續大量營利的前景並不樂觀。 IT之家 7 月 14 日消息 2021 年国产 IP 与定制芯片生产大会中，三星电子公开了自己的下一代芯片代工制程规划：3 纳米制程将在 2023 年投产。 相比于三星、台积电，英特尔就更是雄心勃勃，各方面消息表明其将在5nm节点直接放弃FinFET晶体管，转向GAA环绕栅极晶体管。 很明显，在发展的前20多年里，多栅极MOSFET技术都是作为一种前沿科技在实验室里进行研究与演示。 之后，随着半导体先进制程的快速发展与市场需求的驱动下，多栅极MOSFET技术作为3nm先进制程的实现技术，开始走上商业化道路——量产。
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超微原訂第4季推出最新MI300系列AI晶片，與輝達（NVIDIA）一較高下。 對於南韓媒體相關報導，超微並未證實，台積電也不評論單一客戶業務及市場傳聞。 @i 冰宇宙表示三星 Galaxy S24 是李一焕操刀的第一版设计。 IT之家此前报道，三星于去年 12 月聘请了梅赛德斯-奔驰中国区前首席设计官李一焕（Hubert H. Lee），并任命为执行副总裁兼 三星3nm MX（移动体验）设计团队负责人。 一名內部主管透露，大客戶下達的訂單，足以讓三星 5 奈米生產線在未來幾年保持忙碌。
针对三星3nm GAA制程技术的物理设计套件（PDK）早在2019 年5 月就已发布，并在2020年通过了制程技术认证。 三星联合首席执行官 Kyung Kye-hyun 今年早些时候曾表示，其代工业务将在中国寻找新客户，预计中国市场将实现高速增长，因为从汽车制造商到家电产品制造商等公司都争相确保产能以解决持续的全球芯片短缺问题。 虽然三星并未公布其3nm GAA制程的客户名单，但是根据爆料显示，三星电子自身以及一家来自中国大陆的矿机芯片厂商——上海磐矽半导体技术有限公司将会是首批客户。
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美国芯片公司Marvell表示，公司基于台积电 3 纳米 (3nm) 工艺打造的数据中心芯片正式发布。 據集邦諮詢調查，今年首季台積電晶圓代工的市佔率是53.6%，比排名第2的三星高出16.3%，雙方差距持續擴大，若3年前李在鎔發出「奪下世界第一」豪語時相比較，三星與台積電差距又擴大了8個百分點。 台積電3nm今年就會量產，外傳還為此擴建了2處生產基地，加上今年設備投資成長高達46%，計劃2024年要出第2代3nm，2025年生產2nm。 以這樣的技術推進速度，三星奪取世界第一不只希望渺茫，而且還會愈拉愈遠，說不定幾年內還會被包括大陸在內的競爭對手趕上並超越。 除了這2家，還有可能使用3nm製程的只有高通、Nvidia與AMD，但是因為三星在5nm良率報告上造假，早把這幾家客戶得罪光了。 唯一可以指望的就只有中國的客戶，但三星3nm使用的GAA晶體管技術又被美國禁止輸出中國，加上中國自身的先進製程也有不少斬獲，未來也很難成為三星3nm的買家。
在2019年初，三星提出了计划在2021年在3纳米节点制造3纳米GAAFET（全能栅极场效应晶体管）的计划；三星的半导体路线图还包括8、7、6、5和4 nm节点的产品。 需要指出的是，三星基于GAA技术的3nm制程不同于台积电FinFET架构的3nm制程，所以三星要成功量产3nm GAA制程工艺，也需要新的设计和认证工具。 三星在去年就曾对外表示，MBCFET出色的栅极可控性，比三星原本FinFET 技术高出了31%，且纳米片通道宽度可直接图像化改变，设计更有灵活性。
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随后在今年3月，摩根士丹利投资者大会上，英特尔CEO基辛格回应称，对英特尔IDM 2.0 战略计划非常有信心，且目前英特尔先进制程进展皆超过预期。 接下来四代先进制程是由两个团队同时进行研发，一个是负责Intel 4 及改良版Intel 3 制程，另一个团队负责Intel 20A 及18A 制程。 根据规划Intel 20A依旧会在2024年上半年量产，而Intel 18A 制程将提前半年在2024年下半年量产。 去年3月，英特尔新任CEO基辛格宣布了IDM 2.0战略，其中关键的一项举措就是重启晶圆代工业务，英特尔还陆续宣布了庞大的产能扩张计划，以及激进的制程工艺路线图。 根据TrendForce的数据显示，在今年一季度的晶圆代工市场，台积电的市场份额高达53.6%，而排名第二的三星的市场份额仅有16.3%，份额差距巨大。
根据地区、智能手机型号和操作系统版本的不同，可能存在数 GB 的偏差。 IT之家 8 月 26 日消息，三星 Galaxy S23 系列发售之初，由于高达 60GB 的系统空间占用，而引发了消费者和媒体的广泛关注。 与此同时，NVIDIA显卡订单饱满还给AMD带来一个难题，那就是NVIDIA将占据台积电大部分产能，尤其是先进封装工艺CoWos，会让AMD的加速卡很难获得稳定供应。 1985年，日本电报电话公司（NTT）的研究小组制造了一种MOSFET（NMOS）器件，其沟道长度为150 nm，栅氧化层厚度为2.5 nm。 而且在此之后，台积电在10nm-7nm-5nm的量产上均持续领先于三星，这也使得苹果从后续的A10处理器开始全部都交由台积电独家代工。 但是，随后不论是从用户的体验，还是专业的机构的测试都显示，基于三星14nm工艺A9处理器的iPhone 6S在体验与续航表现上都要弱于台积电16nm工艺A处理器的iPhone 6S。
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而从外媒最新的报道来看，三星电子量产已有一年的3nm制程工艺，良品率在不断提升，预计在今年将超过60%。 也就是说台积电2nm GAA制程工艺仅用了10%的晶体管密度的提升，就带来了最多15%的性能提升、最多30%的功耗的降低。 已经基本达到了台积电3nm相比5nm的代际提升的幅度，而且后者还是在晶体管密度提升了30%的情况下实现的。 自 2019 年他们最初宣布该技术以来，三星一直致力于 三星3nm2023 3nm/GAAFET 技术的研发。 三星特有的 GAA 晶体管技术是多桥通道 FET (MBCFET)，这是一种基于纳米片的实现。
韓國經濟日報引述南韓產業人士說法指出，三星的第四代高頻寬記憶體先進封裝服務，最近已通過超微的品質測試，超微計劃把三星的高頻寬記憶體和先進封裝服務用於其MI300X晶片。 彭博社 17 日報導，三星一名資深執行主管 10 月曾在一場必須受邀參加的會議上透露，2022 年有望量產 3 奈米製程晶片。 AMD具体使用哪种工艺还没明确，不过最大可能还是三星新一代的3nm 三星3nm GAA工艺，预计2024到2025年大规模量产，良率也能有一定保证。 快科技8月25日消息，目前AI显卡的火爆给GPU市场带来了新的机遇，NVIDIA的H100显卡成为香饽饽，订单已经排到了明年，AMD这边主要靠下半年的MI300A/MI300X加速卡了。
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再加上将于2025 年实现 2 纳米原型线的日本新创企业Rapidus 和三星。 此外，GAA 的设计灵活性非常有利于设计技术协同优化 (DTCO)，这有助于提高功率、性能、面积 (PPA) 优势。 与5nm工艺相比，第一代3nm工艺相比5nm功耗最高可降低45%，性能提升23%，面积减少16%，而第二代3nm工艺则功耗最高可降低50%，性能提高 30%，面积减少 35%。 目前晶圓代工市場正加緊布局，期望 2030 年能超車台積電，成為系統半導體龍頭的三星，2020 年初就宣佈克服 3 奈米製程關鍵的 GAAFET 環繞閘極電晶體製程，預計 2022 年正式推出。
- 这项技术的特点是实现了栅极对沟道的四面包裹，源极和漏极不再和基底接触，而是利用线状（可以理解为棍状）或者平板状、片状等多个源极和漏极横向垂直于栅极分布后，实现 MOSFET 的基本结构和功能。
- 该博物馆新馆于今年7月底面向公众开放，展出的1500余件（套）文物中有近600件是首次亮相。
- 外媒在报道中还提到，4nm和3nm制程工艺良品率提升，三星电子也就有望获得更多的客户，会使他们乐观的认为可以从台积电夺回部分失去的客户。
- 资料显示，苹果近年来一直是台积电的第一大客户，特别是随着苹果M系列处理器成功，给台积电带来的营收也进一步大幅增长。
除了技术演示外，VLSI 研讨会还将包括演示会议、联合焦点会议、晚间小组讨论、短期课程、研讨会和特别论坛。 届时还会有一些科技前沿的 CMOS 技术重点论文，例如“全球首个采用新型 MBCFET 技术的 GAA 3nm 工艺（SF3）”。 这种纳米片设计已被研究机构IMEC当作FinFET 架构后续产品进行大量研究，并由IBM 与三星和格罗方德合作发展。 如下图，典型的GAA形式——GAAFET是（Gate-all-around FETs）采用的是纳米线沟道设计，沟道整个外轮廓都被栅极完全包裹，代表栅极对沟道的控制性更好。 三星3nm 台经院产经资料库研究员暨总监刘佩真也表示，三星仍未实际接获3nm订单，今天宣布量产3nm制程，宣传意义应大于实质意义。 不过，以上公布的数据与三星之前透露的数据（性能将提升30%，能耗降可低50%，逻辑面积效率提升超过45%）有一定程度的缩水。
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5nm方面，在格罗方德苦守12nm、Intel难咽10nm之时，台积电的5nm订单已接到手软。 2020年1月，三星宣布生产世界上第一个3 nm GAAFET工艺原型，并表示将在2021年实现批量生产。 显然，英特尔入局晶圆代工市场，将为本就竞争激烈的先进制程晶圆代工市场带来了新的竞争，台积电、三星也将面临新的挑战。 根据英特尔对投资人公布的统计数据显示，今年一季度英特尔的晶圆代工业务营收年增175%，是旗下主要业务中，成长幅度最惊人的业务，主要来自思科、亚马逊等30多家客户的订单。 由于台积电和三星的2nm计划的量产时间都是在2025年，因此，英特尔有望在2024年在先进制程工艺超越台积电和三星。
除了这两家晶圆代工厂以外，据报道，英特尔也将在2023年年底推出其 3nm 工艺节点。 三星3nm2023 而在此前，台湾媒体报道称，台积电的3纳米工艺生产良率高达85%，高于三星。 他们表示，考虑到台积电向苹果提供业界最小芯片的量产和交付时间表，其生产良率最多为50%。 而转向 3nm 三星3nm 工艺使工程师能够降低芯片和计算系统的成本和功耗，同时保持信号完整性和性能。 按照Marvell所说，SerDes 和并行互连在芯片中充当高速通道，用于在chiplet内部的芯片或硅组件之间交换数据。 与 2.5D 和 3D 封装一起，这些技术将消除系统级瓶颈，以推进最复杂的半导体设计。
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黄柏谚表示，自己从前只在历史课本中看到过有关文物，这次贴近参观更觉震撼；现代考古专家也对文物做了很好的保护与修复，才令这些珍宝得以呈现在世人面前。 他说，作为五千年中华文明的传承人，我们要在现代技术辅助下做好保护者，捍卫好中华文明，也让后世感受古蜀人的精湛技艺与灿烂文化。 三星堆是大陆西南地区迄今所知规模最大、延续时间最长、文化内涵最丰富的先秦时期遗址。 该博物馆新馆于今年7月底面向公众开放，展出的1500余件（套）文物中有近600件是首次亮相。
在三星3nm被发布早期，业内人士一直在诟病其良率，但据业内人士在今年一月透露，三星电子公司周一大幅提高了其为无晶圆厂客户生产的业界最先进的 3 纳米芯片的良率。 知情人士表示，三星的第一代 3 纳米工艺节点的生产良率达到了“完美水平”，但他没有进一步详细说明。 三星表示，借助公司专有技术利用具有更宽通道的纳米片，与使用具有更窄通道的纳米线的 GAA 技术相比，可实现更高的性能和更高的能效。 利用 3nm GAA 技术，三星将能够调整纳米片的通道宽度，以优化功耗和性能，以满足各种客户需求。 事實上，三星推動推出更多 Galaxy S24 系列智慧型手機搭載自家的 Exynos 2400 行動處理器原因顯而易見，也就是除了能協助三星半導體搶攻市場之外，那就是降低成本。 因為有消息指出，高通的 Snapdragon 8 Gen 3 行動處理器價格比上一代的 Snapdragon 8 Gen 2 要貴。
三星3nm: 三星盼 2 年後趕上台積電，內部人士：3 奈米晶片 2022 年量產
三星研究人員將全環柵（GAA）電晶體設計的 3 奈米 CMOS 技術稱為多橋通道（MBC）架構，奈米片（nanosheets）水準層製成的溝道完全被柵極結構包圍。 三星表示技術有高度可製造性，因利用三星現有約 90% 的 FinFET 製造技術，只需少量修改過的光罩。 此技術有出色的柵極可控性，比同樣三星 FinFET 技術高 31%，且因奈米片通道寬度可透過直接圖像化改變，讓設計有更高靈活性。 照技術人員的觀點，GAA 技術晶片，在電晶體能提供比 FinFET 技術有更好靜電特性，滿足某些柵極寬度的需求，這主要表現在增強同等晶片尺寸結構下 GAA 溝道控制能力，讓晶片尺寸有更微縮的可能性。 對比傳統 FinFET 溝道僅三面被柵極包圍，GAA 以奈米線溝道設計使溝道整個外輪廓都被柵極完全包覆，代表柵極對溝道的控制性能更好。
