為了實際競爭，每次操作都需要幾十個光子的電晶體。 然而，很明顯，這在用於量子信息處理的所提出的單光子電晶體[2] [3]是可實現的。 儘管有許多不同的半導體可用來構成異質接面電晶體，矽-鍺異質接面電晶體和鋁-砷化鎵異質接面電晶體更常用。 製造異質接面電晶體的製程為晶體磊晶技術，例如金屬有機物氣相磊晶（Metalorganic vapour phase epitaxy, MOCVD）和分子束磊晶。 晶閘管一詞有時單指SCR；有時泛指具有四層或以上交錯P、N層的半導體裝置，如單向晶閘管（SCR）、雙向晶閘管（TRIAC）、可關斷晶閘管（GTO）、SIT、及其他種類等。 同樣只要使用上頭撰寫的小程式，測試看看直流小馬達是否如預期般運作（你還可以聽見繼電器吸合時滴答滴答的聲音）。
偏壓（英語：biasing）又稱偏置、偏流，在電子學上是指在電子電路上的多個點中，通過建立預定電壓和（或）電流從而設置某個適當的工作點的方法。 偏壓對放大器中主動元件（active device）的初始工作條件（電流和電壓）進行設置；在電子工程上，偏壓應用在電晶體或電子裝置，作為作業參考位準的電壓。 有些放大器在設計中通過某種可控途徑來解決這個問題，即以犧牲增益為代價換取較小的失真。 其結果是一種補償效應，即（如果放大器是音頻放大器的話）大大減少聽起來不悅耳的聲音。 對於這些放大器，其增益比小訊號時小1dB時的輸入功率（或輸出功率）定義為1dB補償點。 如果漏源電壓增長了，由於源漏電位的梯度，它將造成通道形狀上的一個很大的非對稱改變。
電晶體放大電路: 特性
繼電器是一個電感特性負載，因此您需要一個續流二極體來保護電晶體。 一些MOSFET被設計為在高電流下工作，而無需高閘極電壓。 因為它們可以直接連接到Arduino的輸出引腳（5V），所以它們被稱為邏輯準位MOSFET。 大部分常用的FET是金屬氧化物半導體場效電晶體。
- 電晶體電路在控制電器和機械的應用上，也正在取代電機設備，因為它通常是更便宜而有效，使用電子控制時，可以使用標準積體電路並編寫電腦程式來完成一個機械控制同樣的任務。
- 台大農機系、台科大電子所畢業，熱愛賞鳥、演奏管風琴、大提琴、法國號，亦是不折不扣的熱血 maker。
- 電晶體由半導體材料組成，至少有三個對外端點稱之為極。
- 當然有時一些電路中FET並沒有這樣的結構，比如級聯傳輸電路和串疊式電路。
- [2] 它們顯示增益的性質，即輸出訊號和輸入訊號幅度之間的比例係數。
- 使用光耦合器還意味著Arduino與MOSFET之間沒有電氣連接，因此，如果高壓電路發生故障，則幾乎不可能將其連接到Arduino並破壞它。
這一事實在光纖用於長距離通信方面發揮了重要作用，但尚未在微處理器層面得到開發。 雙極性電晶體的另一種類型為PNP型，由兩層P型摻雜區域和介於二者之間的一層N型摻雜半導體組成。 電晶體放大電路 也就是說，當PNP型電晶體的基極電壓低於射極時，集極電壓低於基極，電晶體處於順向主動區。 因此N通道的JFET類似真空管的三極體，兩者也都是運作在空乏區，都有高輸入阻抗，也都用輸入電壓來控制電流。 欲啟動NPN電晶體時，必須依照圖1所示施加電壓。
電晶體放大電路: 電晶體是什麼？ 數位電晶體的原理
這個閘極可以通過製造或者消除源極和汲極之間的通道，從而允許或者阻礙電子流過。 如果受一個外加的電壓影響，電子流將從源極流向汲極。 體很簡單的就是指閘極、汲極、源極所在的半導體的塊體。
電晶體之所以有如此多用途在於其訊號放大能力，當微細訊號加於其中的一對極時便能控制在另一對極較大的訊號，這特性叫增益。 有人可能會說，放大器的第二級只是一個電壓跟隨器，將輸入電晶體集極上的電壓傳遞到R2的上端。 也就是說檢測到的輸出端的訊號就是輸入電晶體的集極電壓。
電晶體放大電路: 電流放大參數
如果想根據輸入訊號進行開關，那麼使用NPN型電晶體，射極接地。 如果想在電源側進行控制，則通常使用PNP型電晶體。 NPN型電晶體的載流子是電子（負電荷），而PNP型電晶體的載流子是空穴（正電荷）。 在PNP型中，透過施加電壓使射極為正電壓，基極為負電壓，使射極空穴（正電荷）流入基極，其中一部分與基極電子（負電荷）結合，產生微小的基極電流，其餘部分擴散到集極並成為集極電流。 此主動元件的基本角色就是放大輸入訊號，產生一個顯著的放大訊號。
我們常聽到的“IC”也好“LSI”也好，都是電晶體的集合體，是電晶體構成了其功能的基礎。 除了具有更高速度，更低功耗和與光通信系統的高兼容性的潛在優勢之外，光學電晶體必須滿足一組基準才能與電子產品競爭。 [4] 暫時沒有一種設計能夠滿足所有這些標準，同時優於最先進電子設備的速度和功耗。 最常見的光學邏輯案例是光學電晶體的開關時間比傳統的電子電晶體快得多。 這是因為光學介質中的光速通常比半導體中電子的漂移速度快得多。
電晶體放大電路: 電路結構
甲乙類（AB類）放大器在甲類（A類）與乙類（B類）的一種折衷，它改善了小信號輸出的線性度;導通角在180度以上，具體值由設計者決定。 由於他們有較高的效率，通常用於低頻放大器（如音頻和hi-fi）中。 或者也用於其它線性度和效率都很重要的設計（手機，蜂窩發射塔，電視發射台）。
可以選取將放大器的短路輸出電流（產生短路電流增益）。 因為這個變量能很容易導出其他選取（例如，負載電壓或負載電流）的結果。 分析此電路的目的是求三個項目：增益、從負載端看過去的輸出阻抗、以及從輸入源看過去的輸入阻抗。 理想放大器應當是完全線性元件，但是實際的放大器僅在某些實際限制下是線性的，其他情況下均會出現失真。
電晶體放大電路: 放大器的基本特性
門的作用就像一個電容器，因此當打開和關閉它時，會有很大的電流流入或流出。 為了確保快速切換，該閘極電阻應具有相對較小的電阻，例如270歐姆。 在FET中，當在線性模式下運行，電子能向各個方向流動通過通道。
反之，當施加到基極引腳的電壓較低（約0.7V以下）時，集極和射極處於關斷狀態，電流不流動。 電晶體的開關工作就像使用基極作為開關，來打開和關閉從集極流向射極的電流。 由於光子本身不會互相作用，因此光學電晶體必須使用介質介導互相作用。 這可以在不將光學信號轉換為電子信號作為中間步驟的情況下實現。 利用各種操作介質的實現方式已經被提出並通過了實驗證明。 然而，他們與現代電子產品競爭的能力目前是有限的。
電晶體放大電路: 電晶體-電晶體邏輯
當電晶體的輸出不是完全關閉就是完全導通時，這時電晶體便是被用作開關使用。 這種方式主要用於數位電路，例如數位電路包括邏輯閘、隨機存取記憶體（RAM）和微處理器。 電晶體放大電路2023 電晶體一般都有三個極，其中一極兼任輸入及輸出端子，(B)基極不能做輸出，(C)集極不能做輸入之外，其餘兩個極組成輸入及輸出對。
此種電路的作法就是在基極(B)－射極(E)之間施加順向電壓，然後再注入基極電流。 當電洞被注入基極(B)區域後，射極的自由電子-就會被吸引至基極(B)，不過基極(B)區域極薄，必須利用施加集極電壓的方式，讓自由電子得以通過基極(B)區域並進入集極。 如此一來，即可讓電流由集極(C)進入→射極(E)。 另外一種分類放大器的方式是藉由輸入訊號及輸出訊號的相位關係，一個「反相」放大器其輸出訊號會和輸入訊號有著180度的相位差(因為從示波器上觀察像是極性相反或是鏡像投射)。 而「非反相」放大器保留了原始輸入脈衝的波形的相位。 射極隨耦器(也稱共集極電路)即是一種「非反相」放大器，其在射極輸出訊號(有著單一增益但或許會有些偏移)是隨著輸入訊號的。
電晶體放大電路: 組成
正電壓吸引了導體中的自由移動的電子向閘極運動，形成了導電通道。 但是首先，充足的電子需要被吸引到閘極的附近區域去對抗加在FET中的摻雜離子；這形成了一個沒有運動載子的被稱為空乏區的區域，這種現象被稱為FET的閾值電壓。 更高的柵源電壓將會吸引更多的電子通過閘極，則會製造一個從源極到汲極的導電通道；這個過程叫做"反型"。 共集極電路較小的輸出阻抗允許一個本來具有大輸出阻抗的訊號源驅動一個下一級小阻抗的負載，其功能相當於一個電壓緩衝器。 換句話說，這個電路具有顯著的電流增益（其大小取決於電晶體的hFE），而電壓增益近似為1。 [1]輸入電流的微小變化都會在輸出端成倍地輸出給負載。
由 圖12 可知，波形在 直流 3.4V 的地方變動，因此只要輸出交流訊號大於 1.6V 電晶體放大電路2023 ，波形才會失真。 輸入訊號 Vin 既出現在 (+) 也出現在 (−) 端子，導致流過 Rg 的電流 i 等於 Vin/Rg. 用達林頓電晶體（例如BC517）替換Q1，並為R1找到更好的值。
電晶體放大電路: 訊號流分析
此時因為Q9與Q10的集極端與Q3/Q4的基極端相連，當Q9的電流下降時，Q3/Q4的基極電流必須增加，以滿足由Q10與R2所設定的電流值。 又因為Q3/Q4的基極電流增加，迫使Q3/Q4的射極電流也必須增加，亦即將整個輸入級的偏壓電流拉回原本的大小。 這樣的機制等同於一個高增益的負回授系統，能夠讓輸入級的直流工作點（DC operating point）更加穩定，進而讓輸入級的整體效能更好。 光學電晶體，又稱為光學開關或光閥門，是切換或放大光學信號的裝置。 在光學電晶體輸入端出現的光會改變電晶體輸出端的光的強度，而且輸出功率會由附加光源提供。
而且CMOS內部不具有製作麻煩的電阻，所以TTL可說几乎沒有發展。 如果你買的繼電器，只是上頭藍色的元件，那麼就必須如先前介紹，自行將相關電阻、二極體與電晶體兜好，如果是繼電器模組，就只可以直接使用。 比如用於光纖通訊網絡中的摻鉺光纖放大器（EDFA，Erbium doped fiber amplifier）。
電晶體放大電路: 偏壓
以不超過絕對最大額定的任意輸入條件為基本的輸出端子電壓。 在GND接地增幅電路中充分通過輸入電流時，輸出電壓會減少，IN、OUT接合也呈現順偏壓的狀態。 規定的Vo、lo中，II以整數(通常10～20)分之1測量。 電晶體放大電路 丙類（C類）設計成在輸入信號不足180°時導通。 電晶體放大電路 線性度不好，但是對於單個頻率功率放大器來說這並不重要。
電壓隨耦器也是一種有著單一增益的「非反相」放大器。 以上這些敘述可以通用在單級放大器，或是一個完整的放大器系統。 [2] 它們顯示增益的性質，即輸出訊號和輸入訊號幅度之間的比例係數。
電晶體放大電路: 輸入與輸出訊號
光學電晶體其中一個更為複雜的應用是開發光學數字計算機，當中光子取代了電子，成為信息的新載體。 此外，使用單光子操作的光學電晶體可以形成量子信息處理的組成部分，其中它們可以用於選擇性地尋址量子信息的各個單元，稱為量子位元。 場效應電晶體利用電子（N通道FET）或是電洞（P通道FET）導通電流。 場效應電晶體都有閘極（gate）、汲極（drain）、源極（source）三個極，若不是結型場效應電晶體，還會有一極，稱為體（body）。 大部份的場效應電晶體中，體（body）會和源極相連。 因為電晶體和後來的電子計算機的低成本，開始了數位化信息的浪潮。
