現代人的專注力因破碎化內容而持續割裂，根據統計，映入眼簾一則隨意滑到的內容，平均注意力只剩8秒。 儘管內容趨向分眾，大家都樂意在「同溫層」內取暖，但如何深化內容價值，同時把適合的內容推給對的受眾，成為媒體當今的最大挑戰。 中國武漢新芯的記憶體基地已在 2016 年 3 月底動土，預計 2018 年建設完成，月產能約 20 萬片。 官方目標到 南茂做什麼2023 2020 年基地總產能達 30 萬片/月、2030 年來到 100 萬片/月。 不過實際技術上對 3D NAND Flash 的製程工藝也仍是挺要求的（雖然能堆電晶體，但電晶體製程也還是越小越好呀）。
Intel 與美光共同開發了「3D Xpoint 記憶體」，雖然 Intel 與美光並沒有公開此款記憶體的細節，不過由於之前美光在 RRAM 技術上已投入不少心力，普遍認為美光應該是在研究上獲得重大突破後，找上英特爾合作生產。 記憶體產業中的每一家廠商，都在致力於打造一種兼具 SRAM 的快速、Flash 的高密度（高容量），以及低成本、非揮發性等各種優勢的記憶體。 因此美光積極將台灣建立成 DRAM 卓越製造中心，除了收購華亞科，也和許多台廠結盟簽約綁訂單，或許未來也有一一接手台灣生產廠的打算。 韓國財閥靠著大量資本支出拉開製程差距，並以價格優勢將產品價格下殺到見骨。
南茂做什麼: DRAM 代工廠商：
但不易重工(re-work)，且螢幕底部勢必會留出一部份邊框，無法滿足全螢幕等需求是主要缺點。 以南茂的封裝產品來看，晶圓凸塊（bump）是利用薄膜製程、蒸鍍、電鍍或印刷技術，將銲錫直接置於IC腳墊上。 覆晶封裝技術(Flip Chip)是將晶片連接點長凸塊，然後將晶片翻轉過來使凸塊與基板（substrate）直接連結。 整體來看，2021年南茂受惠半導體供不應求，各產品線均出現成⾧，加以漲價效應推升業績走高，在出貨量與報價俱增下，全年獲利將創新高，預估2021年營收275.79億元，YoY+19.85%，稅後EPS 6.64元。
作為全球十大封測廠之一，相關設備的能耗自然不容小覷，卓連發進一步分析，為了測試每一片IC的功能，必須全方位模擬晶片要適應的環境，有時要將溫度降到攝氏零下40度，有時則得升高至125度，並經數小時耐溫。 而測試秒數依要求調整，如消費品短則10幾秒，車規IC則長達數百秒。 南茂股本為72.72億元，2020年現金股利為2.20元，已連續9年發放現金股利，預估2021年現金股息3.97元，以45.8元的股價位置來看，殖利率約8%，股價下檔具殖利率保護。 21Q3每股淨值31.41元，股價淨值比(PBR)相較於歷史處於均值。 預估2021年營收275.79億元(原預估246.59億元)，YoY+19.85%，稅後EPS 6.64元(原預估3.97元)。 從下圖的南茂本益比河流圖可以得知，目前南茂本益比落在平均偏下一點的位置，雖然代表股價可能稍微被低估，只要股價合理、有銀彈可以投入，在評估自身風險與近期企業表現與新聞消息後，投資人可以考慮分批進場。
南茂做什麼: IC 晶片到底是在做什麼？
不久後，或許就會有大量中國製造的 NAND Flash 進入市場，把記憶體價格拉下來。 回顧 DRAM 價格波動的歷史，市場經常在供過於求與供不應求之間擺盪。 因此 NAND 廠仍然得面臨蠻多問題，故目前 3D NAND 在量產進度與總產能上，最領先的還是三星一家，而且並沒有真正大規模應用在所有的產品上。
Richard以三級警戒為例，大家被迫關在家大幅提升自煮比例，短短一個月集團旗下的愛料理頻道流量成長20~40%。 我們上面提到記憶體產業在歷經價格血戰後，現已成了三星、海力士與美光三強鼎立的寡佔市場。 南韓三星作為全球最大的 DRAM 大廠，在挺進下世代製程的腳步向來最為積極。 目前 18 奈米製程的 DRAM 便已占了三星產能高達 20%。 BusinessKorea 亦在報導中指出，三星最近已完成了 14.3 奈米 NAND Flash 的研發，並將微縮製程的目標改為 14.2 奈米。 除了東芝最近傳出要出售半導體業務的消息，同為日廠的爾必達早在 2012 年時已不敵虧損、而被美光併購。
南茂做什麼: 公司基本資料
也就是說， PC 廠會和記憶體廠商簽署合約、取得長期穩定的供貨來源，而價格就依照議定的合約走。 在記憶體模組產業鏈上面，若 DRAM 原廠銷售自己的模組給 PC 業者，就叫做「Major on Major」；若是 DRAM 原廠出售晶粒給模組廠，模組廠再銷售記憶體模組給 PC 業者，就叫做「Major on Third」。 南茂（股號：8150）：南茂是美光 DRAM 封裝代工廠之一；美光 NAND Flash 未來也將開始啟動委外代工，今年四月傳出南茂已是美光 NAND Flash 封測代工廠，未來可望受惠。 華亞科（現已下市）：南亞科與美光的共同合資公司，為美光提供晶圓代工服務。
- 2012 年 12 月 11 日因淨值轉為負數，自櫃買中心下櫃。
- 但由於先前 DRAM 產業嚴重供過於求，廠商連年陷入虧損之下，現在的現貨市場佔總市場比重，僅剩下一成不到。
- 預期今年 DRAM 銷售額有望成長高達 39%、NAND Flash 則是 25%，兩者都還有進一步上修的可能。
- 去年台灣的華亞科也被美光收購，下市後成為美光 100% 持股子公司。
- 有了 3D NAND 後，廠商終於不需要再受 2D Flash 製程卡關困擾，轉而堆疊更多的層數就可以保證容量增長，穩定性也夠。
- 金士頓之所以能成為全球最大的記憶體模組廠，便是花了許多心血在提升庫存與物流速度。
- 也就是說， PC 廠會和記憶體廠商簽署合約、取得長期穩定的供貨來源，而價格就依照議定的合約走。
1980 年代，東芝、NEC 等廠商進入生產，以優良的製造將美系廠商擠出市場，獨留美光一家廠商撐著。 已下單給上游零組件供應商、但尚未交貨，組裝中的零組件與模組，與已接了客戶訂單但尚未交貨；這幾種情形所涉及的金額往往超過百萬美金。 Dell、HP 等個人電腦品牌廠會再向記憶體模組廠商購買模組；若是 DRAM 製造原廠也有自己的記憶體模組廠的話，個人電腦廠商有些也會直接向原廠購買。 隨機存取記憶體（RAM）的意思是可以不用按照記憶體位址的順序來讀寫資料、而可以隨機。 RAM 又有分 DRAM（動態隨機存取記憶體）和 SRAM（靜態隨機存取記憶體）；SRAM 價格較貴、多用在快取；DRAM 則多用在主記憶體，也就是我們一般在用的記憶體。
南茂做什麼: Q5：南茂( 預期今年的資本支出、折舊費用為何？
南茂主要業務為提供IC半導體後段製程中，記憶體IC、液晶顯示器驅動IC及邏輯/混合訊號IC的封裝及測試方面的服務，生產基地分佈於竹科廠、竹北廠、台南廠、湖口廠，以及中國的上海宏茂(南茂持股45%)。 日前公司已調高DDIC測試和晶圓凸塊服務價格，日前市場亦有傳聞公司已正式調漲 DRAM封裝價格，預計將陸續反映在業績上。 此外，中低階智慧型手機採TDDI-COG方案預期持續成長，高階智慧手機開始採用OLED，然由於中系OLED面板廠良率不佳，預期客戶轉回COF將有助南茂測試時間增加而推升營收。
1.產品與技術簡介 凸塊是半導體製程的重要一環，即是在晶圓上所長的金屬凸塊，每個凸點皆是IC信號接點，種類有金凸塊、共晶錫鉛凸塊及高鉛錫鉛凸塊等。 驅動IC的生產流程與一般IC有所不同，它必須先經過前段晶圓代工廠的特殊半導體製程製作電路，再轉至後段構裝廠製作金凸塊與進行TCP或COF等封裝和測試，最後才交由面板廠完成組裝。 所以當 2015 年全球模組市場年衰退約 10%、整體 DRAM 價格下跌時，由於現貨價格跌幅又較合約價格更為劇烈，使模組廠首當其衝，多數模組廠的營收表現便受到嚴重的影響。 現貨市場會因為各國市場需求不同、PC 產品銷售量與 DRAM 製造商庫存量的不同而受到影響，價格波動比合約市場更激烈。
南茂做什麼: 【研究報告】南茂 ( 全球前10大封測廠，產能滿載再擴產
AWS希望幫助更多企業順利數位轉型，蛻變為頂尖雙Ｅ企業，在EPS、ESG指標皆拔得頭籌，成為新世代的雲企業明星。 正由於新一代的記憶體尚未量產、舊一代的又開始縮編產量，才使得記憶體出現供不應求的情況。 不過相信隨著自由市場動態調整供需的機制，這種價格增幅不會持續太久。 有了 3D NAND 後，廠商終於不需要再受 2D Flash 製程卡關困擾，轉而堆疊更多的層數就可以保證容量增長，穩定性也夠。 2013 年後就開始有相關產品問世，相對也威脅到了新型態的記憶體技術（像上述提到的 MRAM、 PCRAM 等）。 順帶一提，金士頓和台灣廠商的關係相當緊密（共同創辦人孫大衛為台灣人）。
我們在晶圓代工戰爭的系列文章中曾跟讀者介紹過，積體電路（IC 南茂做什麼 南茂做什麼2023 晶片）就是：把複雜的電路微縮到晶圓上，再經過兩三百道以上的複雜工序，並完成封裝測試後，所製造出的電子元件。 南茂2019年因拓展記憶體模組客戶，帶動記憶體業務高速成長，讓2019年營收203.38億元(YoY+10.05%)，稅後淨利25.84億元(YoY+134.27%)，稅後EPS 3.55元。 20Q3營收比重分別是DDIC(顯示面板驅動IC，包括COG(玻璃基板封裝)與COF(覆晶薄膜))占約29.8%、記憶體占約42.2%(含NAND、NOR、SRAM及DRAM)、混訊IC占約8.5%、晶圓凸塊占約19.5%。
南茂做什麼: 代工、封測、模組？今天就讓你搞懂記憶體產業與新興技術！
不過有鑒於新一代 iPhone 需求強弱將是左右整體 NAND Flash 供需狀況的關鍵，2017 半年整體 NAND Flash 供給將持續吃緊。 由此可見，就算製程一路挺進，良率也難以跟上，因此每片晶圓能產出的晶粒數目並不一定會隨著晶片面積變更小而提升。 PCRAM 的技術介於 MRAM 與 RRAM 之間（有些新聞喜歡說：結合了 DRAM 和 NAND Flash 優點），對於取代現行記憶體也有一定優勢，故現在各大記憶體大廠也不輕言放棄這部分的研究。 DDR3 較 DDR2 擁有更高的頻寬（每秒傳輸速率達 2133 Mb/s）、更低功耗（記憶體電壓從 DDR2 的 1.8 伏特、降至 1.5 伏特，能降低耗電量），以及更大的組成容量。 最新一代的 DDR4 又提供了比 DDR3 更高的頻寬（3200 Mb/s）與更低的供電電壓（1.2 伏特）。
三星也是 IDM 廠商，有自有處理器但量不多、產品以 DRAM、NAND Flash 等記憶體為主。 南茂（8150）股票相關概念股，推薦可以參考Cmoney 的產業別概念股分類，一部分的好處是比證交所產業別概念股的分類還要細會更加方便投資人在選股上的精準度。 後續Max會補充主題性概念股，這樣知道南茂（8150）是做什麼及產業概念股分類就不容易被市場人云亦云帶風向，一股腦衝上投入寶貴的資金。 在檢測頭裝上探針(Probe)後與晶粒上的接點(Pad)接觸，檢驗晶片是否可正常工作，確定晶圓的可靠度與良率，通常封裝前要先測試(Test)，將不良的晶片去除，只封裝好的晶片，封裝後還要再測試，以確定封裝過程是否發生問題。 對於晶片封裝和測試通常會以緊鄰的先後工序方式綁在一起，但也有少數廠商是僅作封裝或僅作測試的。 整體來看，南茂營運高峰已過，預估21Q4營收QoQ將出現低個位數的下滑，短線營運缺乏動能。
