《財訊》報導指出，業界人士觀察，通訊會愈來愈往高頻發展，未來高頻通訊晶片都是化合物半導體的天下，王尊民觀察，這個領域也是化合物半導體製造毛利率最高的部分，像穩懋和宏捷科的毛利都在3~4成。 世界先進耕耘GaN技術始於2018年，以Qromis基板技術（簡稱QST TM ）進行八吋QST基板的0.35微米650 V GaN-on-QST製程開發，於今年第一季開發完成，於第四季成功量產，此外，世界先進同時已和海內外整合元件製造（IDM）廠及IC設計公司展開合作。 原因是不同材料的半導體功能不同，有不同的應用領域，第一代半導體應用於CPU處理器及消費IC、第二代半導體應用於手機關鍵通訊晶片、第三代半導體則應用在5G、電動車及衛星通訊等面向。 為了滿足客戶對SiC及GaN晶圓代工產能強勁需求，漢磊預計將在未來二～三年投資0.8～1.0億美元大擴產能，其中，6吋SiC晶圓代工產能將擴增達目前的5～7倍，GaN晶圓代工月產能明年將倍增至2,000片。 漢民集團旗下晶圓代工廠漢磊及其轉投資嘉晶15日召開法人說明會，漢磊暨嘉晶董事長徐建華表示，今年是第三代化合物半導體應用起飛元年，將積極擴產因應強勁需求。 萬寶投顧楊惠宇表示，漢磊、世界先、宏捷科及茂矽主力放在代工，而台積電則是自行生產氮化鎵(GaN)晶圓後再進行代工，其於三年前就開導入生產六吋GaN及代工，此部份可望隨需求增加而擴大，第三代半導體在電動車及5G加持下將開始大步前進。
- 展望後市，康普現階段已開始與客戶議談年約，依據過往經驗，鎳系材料長單比約 70-80%、鈷系材料長單比則為 60-70%，其中，鈷系目前出貨量與最初議約時有較大差異，預計今年將對此再進行調整。
- 漢磊目前共有三座5、6吋晶圓廠，以MOSFET等為主，產能滿載，持續透過去瓶頸化擴增產能，但因毛利低，中國廠積極搶進，恐將造成殺價競爭，產能開出，漢磊朝佈局多年的碳化矽等功率半導體佈局。
- 3月1日，野村證券發表題為「A GaN Changer」的產業報告，認為未來2~3年，第3代半導體將重塑全球消費性電源市場，取代用矽製作的IGBT電源管理晶片。
- 但近幾年，根據《財訊》報導，市場上開始出現將氮化鎵堆疊在矽基板上的技術（GaN on Si）。
- 觀察台灣在第三代半導體的布局進度，除了要先克服技術瓶頸，還面臨國外大廠發展多年、技術領先，再加上中國「十四五規劃」將砸 10 兆人民幣、在 5 年內全力發展第三代半導體，打算來個「技術大超車」。
- 擴產計畫方面，漢磊將依照原先計畫進行投資，今年月產能提升至 3000 片，預計未來兩年內 SiC 產能將成長超過 5 倍，同時明、後年矽基 (Silicon) 產能將降到 6 成水準。
- 如前文所述，一片不過 6 寸大的 SiC 基板，要價就要好幾萬台幣，但偏偏現有市場又有超過 80% 的 SiC 基板是由美、日兩國企業寡佔，加上中國直接海投 10 兆人民幣將第三代半導體定調成重點發展產業，未來他們在基板的發展自主化也只是時間問題。
根據《財訊》報導，過去30年，台積電、聯電擅長製造的邏輯IC，基本上都是以矽做為材料。 「矽基本上是一種相當全能的材料。」工研院產業科技國際策略發展所研究總監楊瑞臨觀察。 漢磊的650伏特高壓氮化鎵已經通過電動車的車用標準認證，並且開始逐漸導入，在電動車無法阻擋的趨勢下，可以看到第三代半導體在充電領域展現的效益。 此外，市場對二極體及金氧半場效電晶體（MOSFET）等分離式元件需求增多，漢磊產能滿載，今年上半年逐季調漲價格，整體接單能見度看到年底，法人預估漢磊今年第2季將轉虧為盈，全年可望轉為獲利。 此外，SiC 基板原料大多仰賴國外進口，但許多國家將 SiC 材料視為戰略性資源，台廠要取得相對困難，原料價格也高；相較於 SiC、GaN-on-Si 可用於車用市場和快充，GaN-on-SiC 應用方向不夠明確，因此全力投入開發仍需要一段時間。 至於 GaN-on-SiC 的關鍵材料 SiC 基板，製程更是繁雜、困難，過程需要長晶、切割、研磨。
漢磊做什麼: 漢磊董座：下半年會更好 化合物半導體將達80％
雖然消費性晶片生產鏈持續去化庫存，第四季矽基(Si)產能會受到景氣影響，但在化合物半導體仍供不應求且客戶訂單的達成率居高不下，但包括氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)接單滿載且供不應求，不僅今年營運不看淡，明年營收及獲利可望續締新猷。 今年以來股價兩度回測80元位置有守，並打出底部型態，今日跳空上漲挑戰季線位置，目前短期均線翻揚，中長期均線仍持續下彎，日KD處高檔，MACD正值持續擴大，短線上賣壓化解後，股價仍有望持續上攻。 台灣IC設計產業歷經逾2年罕見盛世後，2022年第2季開始疫情紅利消退，以及俄烏大戰與中國封控收緊等眾多衝擊，與PC、手機與消費性電子相關產業，需求開始下滑。
在半導體材料領域中，第一代半導體是「矽」（Si），第二代半導體是「砷化鎵」（GaAs），第三代半導體（又稱「寬能隙半導體」，WBG）則是「碳化矽」（SiC）和「氮化鎵」（GaN）。 漢民投資半導體動作也未見停歇，業界最近傳出漢民投資觸角悄然延伸到後段封測業，結合欣銓、日月光前研發副總經理唐和明共同投資瑞峰半導體，瑞峰主要以晶圓封裝為主，總經理為力成（6239）前副總經理戴國瑞，業界看好瑞峰半導體在利基型封裝的經營潛力。 漢民雖以代理設備起家，但董事長黃民奇對自主研發技術卻「情有獨鍾」，除了轉投資自有技術的漢微科，締造千金股后並高價賣給外商ASML之外，很早就投入功率相關的中小尺寸晶圓廠—漢磊。
漢磊做什麼: 中國三安低價搶單？漢磊董座：技術與品質取勝
太極子公司盛新材料布局長晶，生產碳化矽基板送樣客戶測試，預計今年第 1 季即可通過，有機會進入量產階段。 根據公司員工透露，生產的晶圓良率超過 3 成就能賺錢，今年公司內部希望良率突破 6 成，量產可能要等到第 2 季底。 晶電及隆達合併的富采投控，今年最大轉機在量產 Mini LED 產品，第 2 季可大幅成長。 由於蘋果支持，相關產品開始導入 Mini LED，讓富采生產的 Mini LED 全球市占率上看 3 成，足以吸引資金投資轉機題材。
根據英飛凌提供的數據，同樣一輛電動車，換上碳化矽晶片後，續航力能提高4%，由於電動車每1分電源都極為昂貴，各家車廠都積極布局碳化矽技術。 《財訊》報導指出，目前，坊間所稱的第2代半導體，指的是砷化鎵、磷化銦這兩種半導體材料，「這是1980年代發展出來的技術。」拓墣產業研究院分析師王尊民說，現在所稱的第3代半導體，指的是氮化鎵（GaN）和碳化矽（SiC）這兩種材料，「這是2000年之後才開始投入市場的新技術」。 半導體業近期傳出，晶圓代工產能供不應求，不只台灣晶圓代工廠挑客戶、挑產品，轉承接高毛利產品，趁機調整產品結構，中國晶圓代工廠也如此，像去年12月，士蘭微就大減MOSFET等毛利較低產品，轉提高毛利率較高的IGBT產品，MOSFET等產品訂單四散到其他晶圓代工廠。 台亞（2340）亦積極佈局第三代半導體生產，昨（11/22）日法說指出，包含台亞、旗下積亞半導體在內，將投入逾30億元資本支出量產，其中台亞以矽基氮化鎵（GaN on Si）為主力，明年底小量出貨，積亞的碳化矽（SiC）預計2024年放量，挑戰第三代半導體營收占比30%。
漢磊做什麼: 先進製程＋第三代半導體動能強勁 檢測業者汎銓今年營運估創新高
後來隨著通訊需求確實如預期地朝趨趨高頻通訊發展，且由於相比於電動車、電源供應器等成熟應用，高頻通訊晶片目前尚處於低基期，未來有潛力躋身第三代半導體的前三大應用。 說到第三代半導體在通訊領域的應用，最著名的就是高通（Qualcomm, QCOM-US）於 2013 年所提出的「RF 360 」新技術 — 當時市場稱之為「劃時代的發明」，並指出這可能是世界上其他製造商的「End Game」。 漢磊做什麼2023 不過後來的故事可能有些投資朋友也不陌生了 —— 高通生產的矽晶片散熱效果非常不理想，整個晶片在運作時的高溫讓其根本沒辦法應用於手機，最後整個計畫宣告失敗，高通也回頭向原來的供應商進貨。 綜觀所有第三代半導體的終端應用，目前市佔最大、發展最成熟的就是電動車領域。
IC設計就是將一片晶片的功能從邏輯設計到晶圓設計的整個過程，IP 則是 IC 設計的智慧財產權，採用IP可以更快、更好、更省的完成晶片設計。 快速科普一下半導體吧，導體（ semiconductor），指常溫下導電性能介於絕緣體（insulator）與導體（conductor）之間的材料。 人們通常把導電性差的材料，如煤、人工晶體、琥珀、陶瓷等稱為絕緣體；導電性比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導體。 且，與導體和絕緣體相比，半導體材料是最晚才被發現的，大約是到20世紀30年代間，當材料的提純技術改進以後，半導體才得到工業界的重視。
漢磊做什麼: 未來技術發展 攸關電動車省電能力
IC 測試則可分為兩個階段，第一個階段是進入封裝之前的晶圓測試，主要測試電性；第二個階段則是IC成品測試，主要在測試 IC 功能、電性與散熱是否正常，以確保品質。 蓋房子前總得先畫出藍圖，在IC產品誕生之前總得先設計出 IC，沒有設計圖，擁有再強製造能力都沒有用，所以IC設計這個設計師的角色就特別重要了。 所謂的IC設計就是將一片晶片的功能從邏輯設計到晶圓設計的整個過程，IC 設計屬於 IC 生產流程的前段，包括邏輯設計、電路設計與佈局等，設計好IC之後，再交給晶圓廠代工製造，知名的IC 設計廠商包括聯發科、聯詠、高通等。
台灣相關業務主要集中在晶圓代工廠，包括台積電、穩懋、世界先進、漢磊，以及磊晶廠全新、嘉晶、環球晶。 另外，太極能源子公司盛新材料布局長晶，生產碳化矽基板，目前也已進入產品送樣階段。 根據張翼觀察，目前台灣在第3代半導體領域，是「製造強，兩端弱」，做代工製造的公司很多，但有能力設計第3代半導體IC設計的公司卻不多。
漢磊做什麼: 密碼台灣》老共若蠢動 台灣人致勝的關鍵
投資33年來，漢磊持續虧損，但黃民奇仍耐心守候，前年初，還取得原本由裕隆集團轉投資磊晶廠嘉晶的經營主導權。 從功率元件代工廠延伸到料源廠，更找來在兩岸半導體業晶圓代工歷練豐富的徐建華擔任董事長，他自己退居幕後。 IC通路業僅負責IC買賣銷售，不涉及生產製造，係向上游半導體設計廠或製造廠採購，提供給下游電子產業製造商所需之相關零件或材料。
第三代半導體目前最熱門的應用是利用 Gan氮化鎵 製造的電源轉換器（簡稱Power GaN），市場上也有人白話地稱之為「氮化鎵充電器」。 在第三代半導體技術發展之前，要製造類似的產品，重要原料之一的碳化矽基板是個頭痛的問題 — 一片 6 寸寬的圓形碳化矽基板，就要台幣 8 萬塊，這使得很多廠商認為這項產品無利可圖，因此沒有很多人願意做這門生意。 【財訊快報／記者張家瑋報導】化合物半導體領導廠商Wolfspeed公布超出預期2022年第四季財報及業績指引，週四股價飆漲31.89%，激勵台廠碳化矽概念股漢磊(3707)、嘉晶(3016)、德微(3675)、朋程(8255)、台半(5425)週五股價逆勢上揚。
漢磊做什麼: 聯電爆量漲停 股價仍追不上6吋廠茂矽、漢磊
此外，氮化鎵也可用來製造電源轉換器，用在處理數百伏特的電壓轉換，可以做到又小又省電。 根據研調機構Trend Force的研究，至2025年，氮化鎵功率元件的市場規模將達8.5億美元，年複合成長率高達78%。 IC製造的流程是將晶圓廠所做好的晶圓，以光罩印上電路基本圖樣，再以氧化、擴散、CVD、蝕刻、離子植入等方法，將電路及電路上的元件，在晶圓上製作出來。 由於IC上的電路設計是層狀結構，因此還要經過多次的光罩投入、圖形製作、形成線路與元件等重複程序，才能製作出完整的積體電路。 漢磊做什麼 而這材料依照內容不同，分為一至三代，分別為矽、砷化鎵至第三代的碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)，以效能推算，當然是第三代材料比較好，相對上技術也較難，因為化合物內容比較複雜，那麼是不是第一、二代將會被取代？ 答案是不會，就好像台積電及聯電，一個先進、一個成熟製程，各有所需，畢竟不是所有電子產品都要運用到如此高效能，只是簡單的容易做，比較容易被取代，而先進的技術因市場滲透率低，故成長空間也較大，差別在此。
高頻電路設計需要數學、物理、電磁波理論基礎，功率IC設計需機電（機械、電子、電機）整合背景，設計人才非常稀有。 另外，台灣也需要突破基板製造的技術；例如，製造通訊IC需要絕緣碳化矽基板，如果台灣有能力自製基板，穩懋和宏捷科的發展會更為快速。 我們深信唯有不斷地研發精進、品質提升及優質的服務，才能創造出客戶、投資者及員工的最大價值與利益。 同為兩家公司董事長的徐建華表示，化合物半導體將是漢磊未來營運主軸，計畫逐年將現有產能調整，預估2-3年以後，化合物半導體佔營收比重目標將達80％。 策略將聚焦GaN、SiC 、車用MOSFET、二極體、靜電保護的TVS等5類化合物半導體相關元件，他說，漢磊也是目前台灣唯一已量產碳化矽 （SiC ）的代工廠。
漢磊做什麼: 半導體產業鏈簡介
這項技術發展成熟之後，台積電舊有的8吋廠，由於折舊早已完成，換上化合物半導體新應用，獲利還會進一步提高。 3月1日，野村證券發表題為「A GaN Changer」的產業報告，認為未來2~3年，第3代半導體將重塑全球消費性電源市場，取代用矽製作的IGBT電源管理晶片。 張翼也認為，第3代半導體能源轉換效率能達到95%以上，一旦被大幅採用，「台灣能省下一座核能電廠的電」。
第三代半導體（包括 SiC 基板）產業鏈依序為基板、磊晶、設計、製造、封裝，不論在材料、IC 設計及製造技術上，仍由國際 IDM 廠主導，代工生存空間小，目前台灣供應商主要集中在上游材料（基板、磊晶）與晶圓代工。 嘉晶也計畫在未來二～三年投資4,000～5,000萬美元擴大SiC及GaN基板產能，目標是將SiC基板產能擴增7～8倍，GaN基板產能擴增2～2.5倍，就明年而言，相關營收貢獻目標至少增加五成以上。 徐建華表示，漢磊及嘉晶持續投資第三代半導體領域，進而迎接爆發性成長商機。
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去年2月，意法半導體宣布和台積電合作，台積電已經為意法生產車用的化合物半導體晶片。 在消費性IC與記憶體供過於求，需求滑落的情況下，也連帶影響IC封測需求，在在皆不利於2023年半導體產業整體營運。 隨著半導體市場進入庫存調整黑暗期，2023年上半景氣落底已是確定態勢，目前來看，中國已逐步解封，若接下來俄烏大戰能停火，待庫存去化告一段落，需求應可逐季爬升，未來展望樂觀，預期台灣半導體產業2023年仍能維持正成長。 然地緣政治影響也將持續籠罩2023年半導體產業，全球各國大力扶植本土半導體製造產業及加強與海外半導體廠合作，企圖改變版圖分布並強佔戰略物資的制高點，可預見台廠IC設計與晶圓代工業者在中國大陸市場的業務將受到更多限制，也會影響台廠全球布局規劃。 【財訊快報／研究員莊家源】漢磊(3707)為晶圓代工廠，第三季受惠於IDM廠擴大委外產能滿載，第三代半導體接單強勁，以及新台幣貶值，單季營收及獲利續創歷史新高，每股獲利0.95元。
製程佔比則為 8 吋佔 38%、6 吋 32%、5 吋 20%、4 吋 漢磊做什麼 10%。 漢磊5月營收5.7億元，月增0.37%、年增15.76%，已連續7個月站穩5億元之上；前5月累計營收為27.62億元，年增16.23%，其中，第1季毛利率與營業利益已轉正，但受業外虧損影響，稅後淨損2000萬元，每股小虧0.06元。 在籌碼方面，3大法人低檔以來皆加碼漢磊持股，其中又以投信最為積極，投信從5月17日以來加碼逾1.35萬張，是推升股價最大的動力，外資則買2100餘張、自營商買約920張；此外，融資也增加近萬張。
漢磊做什麼: 漢磊董座：今年營收略成長 化合物半導體可年增80％
不過其具有高頻運作的特性，目前大多應用在快速充電、電源管理器等民生消費需求。 一般能將良率維持在八成左右已經是非常困難的事情了，台積電與聯電的製程良率可以達到九成五以上，可見台灣晶圓代工的技術真的是無人能出其右。 國際氮化鎵元件供應商除 Cree 和 ROHM 等外，主要集中在上游 IC 設計及 IDM 廠，可歸類為三五族公司，如 Skyworks、Qorvo、Broadcom、MURATA，以及生產設計功率元件公司如英飛凌、STM、NXP、TI 等。
漢磊及嘉晶在致股東營運報告書中，說明將全力擴大布局GaN及SiC等第三代半導體相關產品的營業規模，以掌握半導體綠能及車用市場領域商機。 徐建華在報告書中指出，漢磊去年營運轉型成功，全年度轉虧為盈，今年將在此基礎上持續強化營運效率及導入高附加價值產品線，投資重點鎖定在進入爆發成長的第三代半導體。 〔記者洪友芳／新竹報導〕晶圓代工廠漢磊（3707）受惠MOSFET等高壓製程產品需求旺，產能利用率滿載，公司為了走向高毛利的車用與電源利基產品領域，決定擴大碳化矽（SiC）產能，董事會決議斥資3.4億元新建置6吋SiC生產線，為台灣第一家率先擴增SiC產能的代工廠，預計明年下半年可以展開試產。 過去20年，許多人想用成熟的矽製程，做出可以用在5G高頻通訊上的零組件，最有名的是高通在2013年推出的RF 360計畫。 當時，市場上的擔心，高通這項新技術推出之時，就是生產通訊用化合物半導體製造商的「死期」，穩懋股價還曾因此重挫。 徐建華表示，由於化合物半導體跟消費性需求不同，主要在電動車、綠能等領域，漢磊及轉投資嘉晶在氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）等第三代化合物半導體目前產能滿載及供不應求，並無反轉疑慮，且未來擴產進度不變。
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漢磊4吋及6吋SiC晶圓代工均已量產，合計月產能達1,000片6吋約當晶圓，今年將以6吋為擴產重點項目，希望今年內可擴增一倍至2,000片。 漢磊暨嘉晶董事長徐建華表示，漢磊是台灣第一家率先擴增SiC產能的晶圓代工廠，嘉晶是台灣唯一擁有GaN及SiC量產磊晶供應商，今年將積極擴大產能以迎接產業爆發性成長商機。 漢磊目前共有三座5、6吋晶圓廠，以MOSFET等為主，產能滿載，持續透過去瓶頸化擴增產能，但因毛利低，中國廠積極搶進，恐將造成殺價競爭，產能開出，漢磊朝佈局多年的碳化矽等功率半導體佈局。 由於化合物半導體相較傳統矽製程，成品效能好壞很大的關鍵是決定在磊晶的品質，因此兩者營運模式為和 IDM 廠、IC 設計廠拿到訂單後，由嘉晶負責提供磊晶，漢磊則負責晶圓代工，形成完整的供應鏈。 《財訊》報導指出，這種化合物半導體目前主要仍在六吋的設備上生產，但台積電的技術現在已能改用8吋設備生產，效率更高。
漢磊在第三季法說會上表示，下半年只要通過客戶驗證，對於明年出貨量、營收的貢獻，有望較今年成長。 環球晶結合下游相關公司，如宏捷科、強茂、朋程、台半、茂矽等公司，未來有可能成為世界第一的半導體上游長晶公司。 此外，台積電的子公司世界先進，在氮化鎵與碳化矽領域代工生產，已經布局 4 年，今年將可進入量產的前期商機。 台積電集團高階封裝廠精材，也投入氮化鎵射頻功率放大器的商機，今年也將進入量產階段。
漢磊做什麼: 市場剛起步 誰能成為下個勝利者？
而就學理定義來說，半導體是「一種電導率在絕緣體與導體之間的物質，可作為資訊處理的元件材料」。 透過在這類物質中另外加入其他雜質（例如：磷、硼等等），就可以利用化學元素間電子數量的不同，更精準地控制半導體的導電性，進而製作成超重要的半導體電子元件 — 電晶體（Transiter）。 Wolfspeed公布第四季財報，單季營收2.285億美元、年增56.7%；毛利率35%，優於去年同期30%；非一般公認會計原則(Non-GAAP)每股稀釋虧損自去年同期0.23美元大幅收斂至0.02美元，優於華爾街分析師預期。 Wolfspeed預測2023年第一季營收在2.325億美元至2.475億美元之間，高於華爾街預測的2.26億美元，預計該季度調整後的每股淨損在0.02至0.08美元之間。 擴產計畫方面，漢磊將依照原先計畫進行投資，今年月產能提升至 3000 片，預計未來兩年內 SiC 漢磊做什麼 產能將成長超過 5 倍，同時明、後年矽基 (Silicon) 產能將降到 6 成水準。 漢民集團董事長黃民奇口袋深，也總不吝嘗試投資新技術，電子束檢測設備廠、也曾是台股股后的漢微科就是「十年磨一劍」的代表作；2016年，荷蘭半導體設備大廠ASML以每股1,410元、總價高達1千億併購漢微科，震撼業界。
漢磊做什麼: 半導體產業 下游包含：IC 封裝測試、IC 模組
康普 (4739-TW) 近年受惠動力電池、半導體需求穩健成長，目前包括鎳系、鈷系、電子級硫酸擴產進度皆照計畫進行，其中，鈷系代工合約明年將重新議約，看好後續與客戶仍有眾多合作機會。 嘉晶指出，明年 GaN 產能將較 2021 年成長 2.5 倍，至於 8 吋 GaN 磊晶片預計明年下半年將開始貢獻營收；另外，SiC 磊晶片預計明年產能將較 2021 年成長 4-5 倍。 徐建華指出，節能減碳的發展趨勢及5G、電動車等應用，從新能源的產生到傳輸端或應用端，對化合物半導體的需求將會大幅增加。 一般能將良率維持在八成左右已經是非常困難的事情了，台積電與聯電的製程良率可以達到九成五以上，可見台灣晶圓代工的技術水平。 嘉晶：由於磊晶參雜很多專利佈局及技術，進入門檻極高，目前除國外 IDM 外，競爭者並不多。 IDM 雖然也有自製磊晶，但大多是標準化產品且僅供自用，而嘉晶則能更彈性及客製化，滿足客戶特殊規格的需求，另外嘉晶的基板是和國外 IDM 拿，因此屬於亦敵亦友的關係。
漢磊做什麼: 國際
第三代半導體晶圓代工方面已經有氮化鎵 (GaN) 量產能力的世界 (5347-TW) 漲幅跟漢磊比起來仍算落後，世界均線呈現多頭排列，前方的頸線壓力若成功突破將往小底滿足點 18x 元附近靠攏。 而率先切入第四代氧化物半導體氧化銦鎵鋅 (IGZO) 的力積電 漢磊做什麼2023 (6770-TW) 上市櫃日期已經確定，我認為盯著 5 日均線何時轉折最主要。 漢磊做什麼 現如今第三代半導體的 SiC 基板找到了電動車大電流新活力，我們觀察資金有輪動到比如合晶 (6182-TW)、中美晶(5483-TW)、環球晶(6488-TW) 這些還沒大開產能的公司。 晶圓代工廠漢磊（3707）及轉投資磊晶廠嘉晶（3016）積極擴建氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）等第三代寬能隙半導體產能，在手訂單能見度已看到明年上半年。 IC 封裝是將加工完成的晶圓，晶切割過後的晶粒，以塑膠、陶瓷或金屬包覆，保護晶粒以免受汙染且易於裝配，並達成晶片與電子系統的電性連接與散熱效果。
