【時報-台北電】在電動車、5G通信、低軌衛星浪潮下，第三代半導體（化合物半導體）成為新的兵家戰場，但目前這塊技術與材料掌握在國外大廠手中，政府今年起將啟動國產化計畫，扳回劣勢。 經濟部預計撥出4億，5月起先補助2家半導體廠研發8吋碳化矽長晶生產設備，再補助1家8吋氮化稼磊晶設備廠，目標2024、2025年「開花結果」，讓化合物半導體設備國產化，不仰人鼻息。 盧明光目前出任大同董事長，大同也有自製國產電動大巴電力系統的技術，《財訊》採訪盧明光，他也是朋程董事長，盧明光表示，目前6吋的矽晶圓價格是20美元，6吋的碳化矽要1500美元，當碳化矽成本能降到750美元，車用碳化矽的MOSFET就有機會普及，他估計「大概還要5年以上」。
- 目前 SiC 基板主要由 Cree、II-VI、英飛凌（Infineon）、意法半導體（STM）、ROHM、三菱電機（Mitsubishi）、富士電機（Fuji Electric）等國際大廠主導，以 6 吋或 8 吋晶圓為主；台廠則以 4 吋為主，6 吋晶圓技術尚未規模化生產。
- 磊晶廠則以美國的II-VI Incorporated為代表；模組廠包括歐系的意法半導體（STM）、英飛凌（Infineon）、日本的Rohm、三菱電機等。
- 張翼也認為，第3代半導體能源轉換效率能達到95%以上，一旦被大幅採用，「台灣能省下一座核能電廠的電」。
- 「跨足車用動力電子，就是最佳突破點，」吳誠文說，電動車市場正在快速發展，以車用動力電子做為化合物半導體的出海口，短時間可立竿見影，增加業者的信心，也不會與既有矽半導體產業鏈衝突，甚至可以相輔相成，開創更多機會。
- 第三代半導體成當紅炸子雞，科銳（Wolf）、意法半導體（ST）、英飛凌（Infineon）、羅姆（ROHM）及日亞化等國際大廠分庭抗禮。
- 技術方面，合晶將強化 12 吋 N 型低阻矽晶棒成長技術開發，積極建立 12 吋晶片成型製造研發線；並與策略夥伴合作發展第三代化合物半導體技術，確保在功率元件領域的領先地位。
第三代半導體碳化矽 (SiC) 的專利競爭激烈，根據《日本經濟新聞》7 日報導，相關專利數量最多的前五名都是來自美國、日本的大企業。 其中第一名是美國科銳 (Cree)，接下來是日本羅姆 (Rohm)、住友電工、三菱電機和 Denso。 在討論會中，中芯國際新任獨立董事楊光磊也到場，楊光磊從台積電研發處長退休，如今是繼蔣尚義之後到中芯幫忙的台灣半導體業重量級人士。 楊光磊提到，台灣人才有競業禁止的限制，所以讓一些從台灣公司離職的員工，反而只能加入大陸公司工作，台灣應該幫助沒有直接競爭的二線企業。
合晶第三代半導體: 中美晶》入主宏捷科，整併技術與市場資源
碳化矽可取代以往半導體材料的矽利光 (Silicone)，特別是在功率半導體等用途上，可提升性能、也有利節能。 展望今年後疫情時代，合晶在股東會年報中指出，市場普遍預期未來 2 年半導體景氣將轉趨熱絡，即便企業合併成風，美中貿易衝突導致全球供應鏈重組，半導體晶片因車市回溫及 合晶第三代半導體2023 5G、電動車等新領域需求漸增，將以務實積極態度，迎接新一波景氣循環。 合晶指出，去年全年出貨量較 2019 年同期成長 20%，其中 8 吋矽晶圓出貨量更在第四季創下新高，全球市佔率提升至 5.3%；新加入的 12 吋磊晶代工產品線，也獲客戶認證，開始貢獻營收。 矽晶圓廠合晶 (6182-TW) 表示，半導體晶片因車市回溫及 5G、電動車等新領域需求漸增，展望今年，將務實積極迎接新一波景氣循環，楊梅、龍潭廠年初以來持續滿載，上海合晶復工後本季可望量產，鄭州廠也啟動擴產。 謝志峰出生於1960年，六歲到十六歲正好遇到中國文化大革命，完全沒機會念書，但大學恢復考試後努力向學，成為大陸最頂尖的「新三屆」。 後來他赴美念書取得博士，加入英特爾工作多年，之後到新加坡特許半導體，在那裡的主管是目前台積電總裁魏哲家，後來又加入張汝京創辦的中芯國際擔任副總裁，是中國在半導體製程及研發領域的頂尖人物，如今他創辦ＩＣ設計公司芯盟，研發最尖端的人工智慧晶片。
主要是化合物半導體的新製程，上下游具有高度相依興趣維持高品質和可靠度，例如長晶純度與晶圓切割損耗對於模組效能及成本至關重要。 唯有充分掌握上下游所有環節，尤其是原料取得、長晶設備、切磨拋技術，才能打造高良率與高品質的產品，作為相關應用的良好基礎，進而催生豐富的產業生態系。 其製程與矽半導體類似，同樣必須經歷晶球、晶圓切磨拋、元件製作、封裝、模組等階段；不過，化合物半導體是兩種以上的元素結合，必須考慮晶格及原子的匹配性，在晶球生長及晶圓加工的階段更為困難。 以SiC為例，將碳與矽兩種材料進行高溫熔融，必須精準掌握兩大要件：高真空度及高溫均勻性；對照矽晶圓，因為熔融溫度較低，可長出的晶棒較大也較快，而碳化矽半導體的晶球製作不如矽晶棒，因此成本居高不下。
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針對第三類半導體的市場前景發展，集邦科技分析師曾冠瑋指出，其會朝向 8 吋晶圓發展，進而有助整體市場的穩建成長。 自從 1970 年貝爾實驗室發明了室溫半導體雷射之後，以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為主的三五族化合物半導體一躍成為市場主角。 比起已達物理極限的矽基半導體元件而言，砷化鎵與磷化銦擁有超高的電子遷移率，並具備高頻、低雜訊、高效率及低耗電等特性，整個半導體產業因而進入了以這兩種材料為主的第二代半導體時代，並為今後的微波射頻通訊半導體發展奠立厚實的基礎。 由於 5G 技術採用更高的操作頻率，業界看好，GaN 元件將逐步取代橫向擴散金氧半導體 (LDMOS)，成為 5G 基地台主流技術；且在手機功率放大器 (PA) 方面，因 GaN 材料具備高頻優勢，未來也可望取代砷化鎵製程，成為市場主流。
首階段重點是培養國內自製8吋碳化矽長晶爐設備，5月要挑國內2家半導體廠，分別是導電型與絕緣型各一家，每家補助一半研發經費，最高1.5億。 台積電昨（25）日證實，將於竹科銅鑼園區新設立生產先進封裝晶圓廠，預計2026年底建廠完成、2027年第三季開始量產。 萬寶投顧楊惠宇強調，晶圓的製造不是只有基板就好，還要在其上長晶，最後讓晶圓廠切廠下來予以運用，長晶部份除了環球晶外還有全新、環宇及IET，不過全新及環宇量能並不多，而IET多為政府訂單，尚未商業化。 台積電原是半導體技術落後者，金融海嘯後，張忠謀於2009年中回鍋重掌台積電，安內攘外，並大刀一揮，加大資本支出與研發力道，隨著後來智慧型手機崛起，從40奈米、28、22/20、16/12、10、7奈米製程技術，台積電製程技術逐漸追趕並超越英特爾、三星，「一直到7奈米，我們才有信心說技術領先」張忠謀說。 此外，SiC 基板原料大多仰賴國外進口，但許多國家將 SiC 材料視為戰略性資源，台廠要取得相對困難，原料價格也高；相較於 SiC、GaN-on-Si 可用於車用市場和快充，GaN-on-SiC 應用方向不夠明確，因此全力投入開發仍需要一段時間。
合晶第三代半導體: 半導體材料歷經 3 個發展階段：
此外，對於美中貿易戰帶來的衝擊，兩位也都認為，短期雖然對中國有衝擊，但卻激發中國建立自主技術熱潮，尤其目前許多採購都刻意「去美化」，也讓台商及本地商訂單大增，只要假以時日，兩岸半導體企業的成長相當值得預期。 至於近來聲勢竄起的紫光，謝志峰認為最關鍵是長江存儲在儲存型快閃記憶體（NAND Flash）技術的大突破，將從64層跳到128層，推動此技術進展的是他在英特爾及中芯的同事楊士寧博士。 合晶第三代半導體 也因為紫光集團旗下的武漢新芯及長江存儲都已交出成績單，中央對趙偉國逐漸有信心，願意將中國發展記憶體的任務交給紫光。 漢磊的650伏特高壓氮化鎵已經通過電動車的車用標準認證，並且開始逐漸導入，在電動車無法阻擋的趨勢下，可以看到第三代半導體在充電領域展現的效益。
他認為當龍頭其實很辛苦，像早期他在英特爾服務時以IBM馬首是瞻，等到追上了，就得自行研發探索許多未知領域，挑戰相當大。 謝志峰提到，中國近年積極投資半導體，很大原因是負責官員可因此建功升官，但晶圓廠少說五年才會賺錢，更別說經常受限於人才、產品及技術，因此他大膽預測在三十個陸續興建的晶圓廠中，恐怕有二十個會倒閉，成為名副其實的「半倒體」。 半導體材料歷經 3 個發展階段，第一代是矽 (Si)、鍺 (Ge) 等基礎功能材料；第二代開始進入由 2 種以上元素組成的化合物半導體材料，以砷化鎵 (GaAs)、磷化銦 (InP) 等為代表；第三代則是氮化鎵 (GaN)、碳化矽 (SiC) 等寬頻化合物半導體材料。
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二是減債，則要視經濟狀況而定，從公佈的數據來看，美國除了失業率符合預期外，其它非農就業及製造等通通不如預期，所以讓高盛調降第四季GDP成長，這是好，還是不好？ 正所謂「對的時機遇見對的人」，對的人在不對的時機也是惘然，現在市場對的時機就是聯準會不要太早收錢，而不要太早收錢的條件，就是經濟還需要刺激，經濟數據在此刻應如何解讀，值得投資人深思。 漢磊（未包含嘉晶） 2021Q3 營收為 7.2 億元，YoY+50%、QoQ+13%；毛利率為 9%，較去年同期轉負為正，主要受惠於產能利用率提高及漲價效應，且若排除一次性人事成本則可進一步拉高到 10% 以上。 漢磊：目前 4 吋 SiC 月產能約 1,000~1,200 片，6 吋 GaN 則為 1,000 片，且皆以 GaN on Si 為主，聚焦在 Power 領域，目前長約客戶大約佔整體 35~40%。 公司預計 2022 年資本支出將達 1,800~2,000 萬美元，未來 3 年將投入 4,000~5,000 萬美元擴充 SIC 產能 7~8 倍、GaN 產能 2~2.5 倍。
因此，要處理高電壓、高頻訊號，或是在訊號的轉換速度上，第3代半導體都優於傳統的矽。 「在工研院全新的平台提供 SiC-on-SiC, GaN on XX（Si / SiC / QST 等）應用於 RF 及 power 的服務。其中，由於 GaN-on-SiC 用於車載相對匱乏，因此將以平台概念協助相關業者串接上中下游，以達最大綜效。」方彥翔進一步說明。 至於 GaN-on-SiC 的關鍵材料 SiC 基板，製程更是繁雜、困難，過程需要長晶、切割、研磨。
合晶第三代半導體: 曾竄改世銀經商環境排名被抓包 中國憂經濟慘況藏不住了
另外太陽能也是重要應用場景，目前全球除了持續提升綠能發電量外，也要求能耗降低及轉換效率提高，因此也將逐步導入 合晶第三代半導體2023 SiC，在未來幾年將加速成長。 台達電、中美晶、華碩等三大本土集團攜手日商羅姆半導體（Rohm），共同搶進第三代半導體商機，鎖定氮化鎵（GaN）相關領域。 【時報-台北電】晶圓代工廠聯電4日公布7月營收為190.64億元，較上月微幅增加0.04％，代表進入第三季晶圓需求仍平緩，較去年同期減少23.21％。
碳化矽龍頭廠Wolfspeed於2019年宣布將投入7.2億美元，計畫將SiC材料及晶圓的產能擴充30倍，包括設立一座全新的8吋廠，全力鞏固其在碳化矽市場的主導地位，另外包括ROHM及II-VI等大廠，也都規劃在未來幾年持續投資，將碳化矽的產能擴充數倍。 目前該公司致力研發的 3 階層 GaN 拓樸設計能為 800V 電池系統帶來許多好處，包括更好的電子效能及更小尺寸等優勢。 和 2 階層 SiC 相比，3 階層 GaN 縮減系統體積達 26%，並降低 15% 的物料清單成本。 目前 SiC 功率元件主要廠商包括美國 Wolfspeed（掌握全球 6 成市占率）、Coherent（已被 II-VI 收購）及 On Semi、日本羅姆、中國天科合達及山東天岳、台灣環球晶、穩晟材料及盛新等。 身為全球最重要半導體生產基地的台灣，為了延續今後在全球半導體的影響力並為今後經濟發展灌注新動能，自然會全力推動第三類半導體相關技術與元件的研發與量產。 比起第一、第二類半導體，以碳化矽（SiC）及氮化鎵（GaN）為首的第三類半導體因為能在高溫、高壓、高頻及高功率應用領域中展現無與倫比的低功耗及高可靠性優勢，因此受到自動車、通訊、消費性及資料中心等產業的高度重視與興趣。
合晶第三代半導體: 中國追兵虎視眈眈 台灣不可輕忽
中信證券曾在拆解特斯拉 Model 3 的研報中提到，Model 3 採用 48 顆 SiC MOSFET 替代了 84 顆 IGBT（絕緣柵雙極型電晶體），使體積、功耗大幅減小，為全車增加了續航這一里程碑式的創新迅速在新能源廠商中傳播，一把火點燃了中國的第三代半導體行業。 日常生活中接觸到形態各異的晶片，是由晶圓切割後封裝而成，而晶圓製備包括襯底、外延兩大工藝環節，可以簡單地理解成襯底是加工一切晶片的基礎。 業者指出，第三代半導體是為了方便發展，所創造的名詞，與一、二代半導體之間不存在迭代關係，其應用場景也完全不同。
雖然受限成本與技術門檻較高、產品良率不高等因素，使碳化矽晶圓短期內難普及，但隨著既有廠商與新進者相繼擴增產能佈局，且在電動車、5G 等需求持續驅動下，可望加速碳化矽晶圓產業發展。 名列全球前 10 大半導體廠英飛凌，高級經理高金萍接受本刊採訪時表示，目前全球主流車廠電動車規格已往 800 伏特高壓平台發展，意即對台廠來說較為困難的碳化矽將成主流。 中美晶則是另一股積極投資第 3 代半導體的勢力，除了 2020 年底成為宏捷科最大股東，切入通訊用化合物半導體製造外，本刊採訪得知，中美晶旗下環球晶第 3 代半導體基板技術也逐漸成形，但仍需克服良率和成本問題。
合晶第三代半導體: 全球掀電動車旋風 第三代半導體紅不讓
這種技術大幅降低化合物半導體的成本，用在生產處理數百伏特的電壓轉換，可以做到又小又省電。 目前市面已可看到，原本便當大小的筆電變壓器，做到只有餅乾大小，OPPO、聯想等公司，更積極要把這種技術內建於高階手機和筆電。 業界指出，雖然近期消費性電子市場重挫，但在全球不遺餘力發展節能減碳趨勢下，加速寬能隙半導體發展，氮化鎵及碳化矽等第三代半導體需求大好。 其中，受惠於太陽能、儲能、快充及電動車和5G射頻等生產鏈，對氮化鎵及碳化矽需求暢旺，市況供不應求，呈現逆風飛揚的態勢，漢磊及嘉晶同步受惠。 雖說各大汽車品牌、半導體業者已紛紛投入 SiC 發展，不過目前碳化矽元件的最大挑戰仍是成本偏高，使得各廠商在推出新技術、產品之時，也想方設法的增加 合晶第三代半導體2023 SiC 產能，以降低元件成本。 另外，聯電則與頎邦結盟，未來在SiC等晶圓級晶片尺寸封裝將進行合作，業者看好化合物半導體市場，持續強化技術投資佈局，在起跑點取得先機。
聯電先前預估，第三季晶圓出貨約季減3％～4％，市場預期聯電第三季營收仍有小幅下滑壓力。 合晶第三代半導體 高金萍指出，未來不只電動車需要第3代半導體，從提升太陽能發電效率，縮短電動車充電時間，到提高資料中心的用電效率，縮小行動裝置電源體積，都用得上這項技術。 《財訊》分析，以通訊晶片為例，要按照不同的通訊需求，選擇不同的材料，在原子等級的尺度下精確排好，難度有如給你各種不同形狀的石頭，堆出一座穩固的高塔，誰能用這些材料，生產出更省電、性能更好的電晶體，就是這個市場的勝利者。
合晶第三代半導體: 發展瓶頸
第2個市場，是用氮化鎵製造電源轉換器（簡稱Power GaN），這是目前最熱門的領域。 過去生產相關產品，最難的部分是取得碳化矽的基板，採訪時，陽明交通大學國際半導體產業學院院長張翼拿出一片碳化矽基板給我們看，這一片6吋寬的圓片，要價高達8萬元台幣。 此外，中美晶集團旗下之宏捷科為第二代半導體代工廠，在具備化合物半導體經驗下，與環球晶合作，其SiC基板可以在宏捷科做品質認證，加速開發進度，7月營收創高，今年獲利約有成長30%空間，本益比雖不低，但產業成長前景明確。 張忠謀日前返台積電參加全球研發中心啟用典禮時，再度強調技術自主、研發與製造要緊密合作兩項重要觀念，尤其研發與製造緊密合作更是台積電很大的致勝關鍵，因這攸關所研發技術到落地生產，良率能否提升。 台積電每年研發費用約達營收比8%，隨著營收超過兩兆元，研發費用相當可觀，去年研發費用高達近55億美元，已超越台灣年度科技預算。
今年6月，漢磊與旗下子公司嘉晶（3016）在碳化矽、氮化鎵領域，已開始加速布建產能，瞄準市場對於第三代半導體的需求，6吋碳化矽晶圓已在試產階段，客戶端對於電動車需求最大。 漢磊在第三季法說會上表示，下半年只要通過客戶驗證，對於明年出貨量、營收的貢獻，有望較今年成長。 工研院產業科技國際策略發展所預估，2020年全球化合物半導體產值大於1000億美元，占整體半導體產值約18.6%，預估2025年將成長至1,780億美元，主要應用包括高階通訊、功率元件、光電應用等。 美、日、歐等國已將化合物半導體列為軍事防衛及太空發展的重要材料，甚至成為出口管制的戰略物資，其重要性可見一斑。 漢磊 SiC 主要車用客戶包括 IC 設計與 IDM 廠，今年功率半導體市場需求持續強勁，整體營收估成長至少 20%，並將持續優化產品組合，毛利率可望優於去年；至於第三代半導體、車用 MOSFET、TVS 等技術平台，今年營收占比將達 60-70%，未來 2 到 3 年提升至 8 成。
合晶第三代半導體: 中國全民瘋定存 流動性陷阱山雨欲來
於是拿來做為半導體材料，因為它是世界第三硬物質，穩定特性可以節省50%以上能耗，加上散熱良好，應用於電動車的逆變器，能讓充電及馬達加速更快，也讓鴻海(2317)買下旺宏(2337)6吋晶圓廠要專攻第三代半導體，並喊出第三代半導體為台灣下一座「護國神山」，重要性不可言喻。 國內廠商雖具備4吋及6吋化合物半導體長晶設備能力，但設備自製率、生產良率都偏低。 面對下一個主流是8吋市場，市場預期可能提早到2023年就要開打，對台有時間壓力。
世界先進因為擁有大量 8 吋的設備，也跟台積電採取相同的策略，大力發展矽基的氮化鎵晶片製造技術，以提升附加價值。 這種化合物半導體目前主要仍在六吋的設備上生產，但台積電的技術現在已能改用 8 吋設備生產，效率更高。 中國方面，因為 SiC、GaN 牽扯到國防應用，中國政府正全力補貼並支持技術自有化發展，因此需正視其威脅。
合晶第三代半導體: 沈榮津：台灣半導體產值突破4兆 代工、封測世界第一
經濟部技術處在20年前就開始往前布局第三代半導體技術發展，助廠商搶攻市場先機。 近年來因對抗地球暖化，全球掀起永續發展與綠色能源，促使太陽能光電、風機發電及車輛電動化等新科技的發展，讓掌管電源的功率模組不斷精進。 資料顯示，2020年全球功率模組市場規模約52.2億美元，主要應用包括風力／太陽能發電、交通運輸、電動車／混合電動車、馬達及不斷電系統（UPS）等電機系統的需求。 目前，中國也拚命投資第 3 代半導體，如華為投資碳化矽磊晶公司瀚天天成；長期生產 LED 的三安光電，也因為使用的材料相近，發展受到矚目。 消費性電子用的電源轉換晶片，外資指出台積電從 2014 年開始就幫愛爾蘭的 IC 設計公司 Navitas 代工生產。 2021 年 Navitas 宣布，賣出 1,300 萬個第 3 代半導體變壓器，目前每個月出貨量達到 100 萬個，良率幾乎百分之百。
這次破天荒的跨國合作，主要是台達電旗下第三代半導體廠碇基半導體進行新一輪新台幣4.56億元增資，不僅台達電參與，也獲得華碩旗下IC設計廠力智、中美晶及羅姆半導體注資。 沈榮津說，台灣政府在土地、水、電、人才、行政效率都給予半導體產業最大的支持，同時台灣半導體產業聚落完整，因此台灣的半導體產業在先進製程的領先地位依然是不可動搖。 最後，政府將持續健全台灣半導體供應鏈，並讓台灣與全球供應鏈能高度鏈結，使台灣半導體成為全球各國的最佳夥伴。 合晶第三代半導體2023 美國第三代半導體龍頭Wolfspeed重新掛牌以來股價已大漲77％，帶動漢磊（3707）等走揚，宣布進軍的大中（6435）、光磊（2340）等17日漲停。 許豐祿表示，晶豪科在利基型記憶體銷售量價齊揚下，8月營收23.7億元，月增9.24%，年增93.56%，連續2個月營收創歷史新高。 合晶第三代半導體2023 加上大廠美光、三星、海力士紛紛將產能轉向DDR4，並逐步退出低階的DDR3市場，這也代表需求方會轉單到晶豪科，對它來說就是長多。
由科技新報主辦、TrendForce 協辦的「產能再提升，第三類半導體前景無限」研討會於 3 月 24 日（五）於台大醫院國際會議中心舉行。 會中邀請來自產官學研等領域的第三類半導體專家，共同探討這類熱門材料在低損耗、耐高溫、高壓、高頻及高功率元件的實際生產現況，以及在 5G 通訊、電動車、資料中心、3C 快充及 AI 等領域的應用前景。 日前，鴻海以 25.2 億買下旺宏 6 吋晶圓廠，布局 SiC 晶圓製造，便是搭上這股順風車，不過，鴻海欲藉以跨入電動車應用領域，關於 SiC 應用於電動車的部分，文後會有進一步探討。 回歸 5G 基地台及衛星通訊方面的應用實例，尚有長居 GaAs 代工龍頭之位的穩懋，該公司不僅擴充 GaN-on-SiC 產能並處於穩定出貨的狀態。 據 Yole Development 預估，GaN-on-SiC 元件市場，將從 2020 年的 3.42 億美元（約新台幣 95.57 億元）成長至 2026 年的 20.22 億美元（約新台幣 565 億元），CAGR 達 17%。 全球5G、電動車及智慧物聯網等市場持續成長，帶動RF及功率元件等相關產品需求增加，進而推升第三代半導體的投資持續增加。
合晶第三代半導體: 雨林涵養萬物 化合物半導體帶來豐富應用
在 5G 電信、消費性電子及新能源車（New Energy Vehicle，NEV）的推波助瀾下，市場對於電信基地台、轉換器及充電站的需求大增，進而帶動 GaN 功率元件與 SiC 功率元件的成長。 隨著全球進入 IoT、5G、綠能、電動車時代，能徹底展現耐高壓、高溫、高頻能耐，並滿足當前主流應用對高能源轉換效率要求的寬能隙（Wide Band Gap，WBG）半導體開始成為市場寵兒，半導體材料於焉揭開第三代半導體新紀元的序幕。 5G 應用推升氮化鎵材料需求，而除站穩矽晶圓代工龍頭、砷化鎵晶圓代工龍頭寶座外，台廠在第三代半導體材料上，當然也不能缺席，包括矽晶圓代工廠、三五族半導體晶圓代工廠，均積極佈局氮化鎵領域，以迎接 5G 時代下的半導體材料新革命。 除了漢磊，上游晶圓廠中美晶（5483）8月投資35億元，入主砷化鎵晶圓代工廠宏捷科（8086），投入氮化鎵的製程開發，有望能達成上下游互補效應，取得綜效，未來在半導體化合物的市場中，發展潛力值得關注。 國際各大廠科銳（Cree）、英飛凌（Infineon），以及羅姆（ROHM）已進入量產碳化矽的階段。
