另外，SiC 本身是「同質磊晶」技術，所以品質好、元件可靠度佳，這也是電動車選擇使用它的主因，加上又是垂直元件，因此功率密度高。 SiC 第三類半導體概念股2023 是由矽（Si）與碳（C）組成，結合力強，在熱量上、化學上、機械上皆安定，由於低耗損、高功率的特性，SiC 適合高壓、大電流的應用場景，例如電動車、電動車充電基礎設施、太陽能及離岸風電等綠能發電設備。 第一、二代半導體的矽與砷化鎵屬於低能隙材料，數值分別為 1.12 eV 和 1.43 eV，第三代（寬能隙）半導體的能隙，SiC 和 GaN 分別達到 3.2eV、3.4eV，因此當遇到高溫、高壓、高電流時，跟一、二代比起來，第三代半導體不會輕易從絕緣變成導電，特性更穩定，能源轉換也更好。
第三代半導體成當紅炸子雞，科銳（Wolf）、意法半導體（ST）、英飛凌（Infineon）、羅姆（ROHM）及日亞化等國際大廠分庭抗禮。 第三類半導體概念股2023 5G、電動車等終端應用市場需求大增，推升第三代半導體產業話題火爆，SEMI將於9月7日至9日舉辦「功率暨光電半導體週線上論壇」，包括太極（4934）、嘉晶（3016）等16檔第三代半導體概念股，25日股價轉強先暖身。 第三類半導體可能出現的曙光，許博傑指出，依照目前台廠的進度來看，應該要落在明年之後，所以今年還是看題材來走，因第三類半導體去年占台廠營收僅 1% 左右，今年看有沒有辦法成長到 5~6% 以上，那才代表第三類半導體的產品開始變多，而且量產的能力提高。 車用占比部分，嘉晶目前占比約 30%，客戶比重朝車用方向持續成長，漢磊目前占比約 10%，今年以來除了第三類半導體，第一類半導體的部分也從消費性漸漸轉往車用，顯示電動車產業仍為驅動整個第三類半導體廠商成長的主要動能。
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台積電在半導體代工市場席捲全球，成為世界霸主，中國在第一代與第二代半導體布局嚴重落後，因此新「十四五規畫」預計將投資 10 兆元台幣，發展第 3 代半導體。 盧明光目前出任大同董事長，大同也有自製國產電動大巴電力系統的技術，《財訊》採訪盧明光，他也是朋程董事長，盧明光表示，目前6吋的矽晶圓價格是20美元，6吋的碳化矽要1500美元，當碳化矽成本能降到750美元，車用碳化矽的MOSFET就有機會普及，他估計「大概還要5年以上」。 《財訊》分析，過去電動車都使用矽製成的IGBT電源轉換晶片，但特斯拉Model 3首次採用意法半導體製造的碳化矽元件，為電動車轉換電能。 根據英飛凌提供的數據，同樣一輛電動車，換上碳化矽晶片後，續航力能提高4%，由於電動車每1分電源都極為昂貴，各家車廠都積極布局碳化矽技術。 如同前文表格中所提到，SiC 的一大優勢在於它可以在極高壓的環境下持續運作，因此要在高壓、大電流的作業環境下使用電力推動的電動車、電動船等， SiC 技術就成為較有商業價值的運用。 摩爾投顧分析師林漢偉表示，第三類半導體在台股比較純的概念股很少，像是嘉晶、漢磊是有自己的晶圓廠，貢獻營收比重較高，而其他相關概念股的營收占比就不是相當的高，但今年整個市場對於電動車，或是所謂的快充需求，其實都有助於帶動第三類半導體的產，目前來看整體產能都會陸續開出來，貢獻營收比重就會有所拉升。
今天盤中台股 AI 概念股走低，但 IC 設計的聯發科 (2454-TW)、矽力 - KY(6415-TW)、聯傑 (3094-TW) 及 CoWos 封裝類股的日月光投控 (3711-TW) 股價走高。 今天台股早盤廣達 (2382-TW)、華碩 (2357-TW)、技嘉 (2376-TW)、緯創 (3231-TW) 等電子股開低振盪，欣興 (3037-TW) 也走弱。 這類由單一元素組成的半導體，也稱作「第一代半導體」、「元素半導體」，由兩種或以上的元素所組成的半導體，即稱「化合物半導體」，其中又可以分為第二代、第三代半導體。 鰭式場效電晶體 (Fin FET) 因此問世，主要是將半導體由平面轉為立體 3D 增加接觸面積，好讓閘極更好的從 3 個面控制電子流通，這項技術是由前台積電技術長胡正明等五位教授所發明。 外資17日買超漢磊4,473張，由賣超轉為買超，投信17日轉賣489張，持股為11.53％。
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台積電在這個領域，早已發展多年，其他台灣公司是向歐洲技轉，但台積電則是自己花錢，由最基礎堆疊不同材料的磊晶技術開始研究。 外界觀察，台積電仍是以矽基板的化合物半導體為主，這種技術在通訊上應用有限，但在電動車等應用上相當有競爭力。 根據台積電年報，台積電在矽基板氮化鎵上，2020 年已開發出 150 伏特和 650 伏特兩種平台。
資深分析師許博傑表示，目前來看的第三類半導體相關概念股有漢磊、嘉晶、穩懋、宏捷科、環球晶、太極、中美晶、全新，現在受到應用面和成本的影響，還有上游材料都掌握在國際大廠手上，所以整體市場不大。 環球晶、漢民科技、穩晟科技以及廣運集團去年和子公司太極成立「盛新材料」跨足 SiC 基板領域；台積電、世界先進、穩懋、宏捷科、環宇-KY、漢民子公司漢磊及嘉晶專攻磊晶技術與代工業務。 第三代半導體（包括 SiC 基板）產業鏈依序為基板、磊晶、設計、製造、封裝，不論在材料、IC 設計及製造技術上，仍由國際 IDM 第三類半導體概念股 廠主導，代工生存空間小，目前台灣供應商主要集中在上游材料（基板、磊晶）與晶圓代工。 第三代半導體是目前高科技領域最熱門的話題，在 5G、電動車、再生能源、工業 4.0 發展中扮演不可或缺的角色，即使常聽到這些消息，相信許多人對它仍一知半解，好比第三代半導體到底是什麼？
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張翼也認為，第3代半導體能源轉換效率能達到95%以上，一旦被大幅採用，「台灣能省下一座核能電廠的電」。 《財訊》分析，以通訊晶片為例，要按照不同的通訊需求，選擇不同的材料，在原子等級的尺度下精確排好，難度有如給你各種不同形狀的石頭，堆出一座穩固的高塔，誰能用這些材料，生產出更省電、性能更好的電晶體，就是這個市場的勝利者。 第3代半導體的市場還在起步階段，「第2加第3代半導體占全球半導體市場的比率，不到1成，如果只看第3代半導體，也約只有1/100。」王尊民說。
化合物功率半導體（即第 2、3 代半導體）去年市場規模約 298 億美元，但 2025 年成長到 361.7 億美元，2030 年更可上看 435 億美元，成長潛力大。 法人表示，今年台股上漲的主力，來自科技股評價提升，特別是AI類股帶動主升段行情。 進入第4季，今年漲幅落後標的，例如半導體股中的IC設計、晶圓代工、封測等，有機會吸引資金轉進。 目前 SiC 基板主要由 Cree、II-VI、英飛凌（Infineon）、意法半導體（STM）、ROHM、三菱電機（Mitsubishi）、富士電機（Fuji Electric）等國際大廠主導，以 6 吋或 8 吋晶圓為主；台廠則以 4 吋為主，6 吋晶圓技術尚未規模化生產。 第三類半導體概念股2023 GaN 為橫向元件，生長在不同基板上，例如 SiC 或 Si 基板，為「異質磊晶」技術，生產出來的 GaN 薄膜品質較差，雖然目前能應用在快充等民生消費領域，但用於電動車或工業上則有些疑慮，同時也是廠商極欲突破的方向。
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許豐祿表示，如今台積電看旺第三代半導體，碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）供應鏈成為當紅炸子雞。 像是漢磊（3707）、嘉晶（3016）、越峰（8121）這些個股都已經展開漲勢。 用第2代或第3代化合物半導體就像是鐵門，甚至金庫的大門，需要很大的力氣，要施加大的電壓，才能讓半導體材料打開大門，讓電子通過。 因此，要處理高電壓、高頻訊號，或是在訊號的轉換速度上，第3代半導體都優於傳統的矽。 所謂半導體（semiconductor），就字面上直觀來看，是「一半」的「導體」 — 它有些時候可以當導體，有些時候卻又成了絕緣體。
華冠投顧分析師劉烱德表示，第三類半導體碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）的特性是在高功率及耐高溫耐高壓，剛好就是全球發展電動車、充電樁、低軌衛星、5G 通訊、ESG 企業永續經營、綠能及儲能，所必須用到的新材料。 劉烱德指出，台廠在第三類半導體目前是晶圓代工的製造強，但是上游基板及 IC 設計的兩端弱，而製造晶圓的成本，基板占 50%、磊晶占 25%、元件晶圓占 20%，主要廠商都在國外，台廠又缺全方位 IC 設計人才，像是第三類半導體晶片 IC 設計需要結合數學、物理、電磁波、電子、電機、機械多面向專業。 就未來 10 年的半導體市場發展來看，台積電雖然在全球矽晶圓代工具絕對領先地位，但對第三代半導體材料的應用布局也沒遲疑。
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當前長晶技術主要也掌握在大廠手中，如 Cree(現為 Wolfspeed)、羅姆等國外大廠，台廠相較落後。 不過在 SiC 磊晶與晶圓代工與一般半導體製程差異不大，故台廠若能掌握長晶技術，就等於最重要的關鍵技術。 漢磊國內唯一兼具SiC及GaN生產能力的廠商，目前擁有一座4/5吋及兩座6吋晶圓廠。
對此，本系列專題將用最淺顯易懂、最全方位的角度，帶你了解這個足以影響科技產業未來的關鍵技術。 第三類半導體概念股 目前，中國也拚命投資第三代半導體，如華為投資碳化矽磊晶公司瀚天天成；長期生產 LED 的三安光電，也因為使用的材料相近，發展受到矚目。 但業界人士透露，以三安光電為例，化合物半導體產能約為 1,500 片，跟台灣穩懋、宏捷科數萬片的產能相比，仍有不小差距。 事實上，在消費性電子用的電源轉換晶片上，外資指出台積電從 2014 年開始就幫愛爾蘭的 IC 設計公司 Navitas 代工生產。
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正如我們有時候會需要這些工具運作，有時候則把它們關上，半導體在各種應用產品內的功能，就是一個「開關」— 當導電時電子流通，開關就被打開，可以開始做某些指令；當不導電時，開關就關起來，可以作為工作流程的停止訊號。 由於使用SiC，將能降低電動車整體的系統成本，Tesla採用意法半導體的SiC MOSFET就是最佳的案例，將帶動或應該說迫使其他電動車廠使用SiC的意願，CREE正持續大舉跨入SiC領域。 展望第三類半導體股價表現，林漢偉指出，若台廠的市占率可以快速提升，就有機會在股價有更大的發揮空間，但以短期來看，因為目前全球最大的第三類半導體廠 Wolfspeed，最近在美股費半的表現相對弱勢，而且目前全球科技股都面臨比較大的本益比修正，所以第三類半導體的題材就要慢慢等到全球科技股轉強之後再來看。 目前國際主流為 6 吋的 SiC 基板，預期 2022 年 Wolfspeed、II-VI、ROHM 也將陸續量產 8 吋 SiC 基板，將大幅提升全球第三類半導體產能。 由TrendForce主辦的「產能再提升，第三類半導體前景無限研討會」將於3月24日（五）舉行，這場研討會將邀請TrendForce分析師曾冠瑋，以及鈺祥企業、工研院電工系統所、Innoscience、onsemi、GaN Systems等業界代表分享目前產能狀況及相關應用。 分析師表示，台股站回月線，技術面有轉強跡象，後續除持續密切觀察Fed動向外，新款iPhone買氣及半導體庫存消化狀況也是影響後市變數。
- 《財訊》報導指出，這種化合物半導體目前主要仍在六吋的設備上生產，但台積電的技術現在已能改用8吋設備生產，效率更高。
- 今天盤中 AI 概念的 PCB 股台光電 (2383-TW)、金像電 (2368-TW) 及健鼎 (3044-TW) 股價因賣壓湧現而下跌。
- 由於 Navitas 在這個領域擁有 5 成市占率，也證明台積電早已悄悄靠第三代半導體在賺錢。
- 漢磊國內唯一兼具SiC及GaN生產能力的廠商，目前擁有一座4/5吋及兩座6吋晶圓廠。
- 環球晶結合下游相關公司，如宏捷科、強茂、朋程、台半、茂矽等公司，未來有可能成為世界第一的半導體上游長晶公司。
- 集團運用漢磊晶圓代工，據悉氮化鎵良率達九成以上，由於嘉晶集團投入第三代半導體的研發已經 10 年，2021 年有機會展現成果，讓嘉晶與漢磊今年將轉虧為盈。
每年11月上市櫃企業都會公布前3季財報，這檔基金將以個股前3季獲利為基準，推估當年度可能的 EPS 水準，再搭配近3年盈餘的股利發放率，計算下一年度可能發放的股利金額。 高股息基金將有新兵加入，統一投信睽違16年再度募集台股基金，統一台灣高息優選基金預計9月登場，四層選股機制採用預測股息方式，即時掌握企業營運動態，搭配基金團隊主動式操作，嚴選最具成長前景的潛力股，讓投資人可以兼顧高股息與高成長，追求「領息、填息、賺資本利得」的三重目標。 財經網站MarketWatch報導， 根據Oppenheimer分析師Rick Schafer，特斯拉周二啟動造價3億美元的AI運算叢集，這個超級電腦「由數千顆輝達繪圖晶片組成，比全球第三高效超級電腦還強大」。 凱基投顧指出，電子類股溫和上行，佔大盤成交比重攀升至75.29%，AI概念股中的矽智財走勢比較強，AI伺服器、散熱、PCB、普遍走揚，昨日強勢的軍工族群則是稍微休息，後續最關鍵的就是類股是否能夠持續上揚。 晶片設備巨擘東京威力科創(TEL)漲0.97%、測試設備商Advantest漲0.70%、晶圓切割機廠Disco飆漲4.25%、矽晶圓廠信越化學上揚1.24%、IC基板廠Ibiden大漲2.63%。 台北股市今 (28) 日早盤 AI 相關概念承受賣壓沉重，反而是 IC 設計、CoWos 封裝類股出面撐盤，台積電 (2330-TW) 也止趺，出現大盤指數走漲的格局，集中市場 盤中一度漲百點。
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半導體是材料的總稱，指的是製造晶片的原材料，因其介於導電和不導電之間，利用施加電壓的方式來控制電子流通或不導通（即 1 或 0）因此稱作「半導體」，又可分為主動元件與被動元件，主動元件泛指可以控制電子導通與不導通，通常也可以用再放大電壓或者電流，而被動元件則是無法控制導不導通，單純僅讓電子通過。 17日台股盤面上也以第三代半導體的話題最熱絡，市場認為光磊與日亞化將攜手搶攻第三代半導體，雖官方尚未證實，但股價已衝上漲停，達48.95元。 至於MOSFET廠大中也宣布2022年推出SiC及GaN等第三代半導體材料新品，市場給予肯定，股價漲停，收在159元。 第三代半導體生產成本高昂，放量生產仍有難度，現階段國內外廠商都朝著策略結盟，透過加強上下游垂直整合能力，將良率提升、降低成本，最終量產。 此外，SiC 基板原料大多仰賴國外進口，但許多國家將 SiC 材料視為戰略性資源，台廠要取得相對困難，原料價格也高；相較於 SiC、GaN-on-Si 可用於車用市場和快充，GaN-on-SiC 應用方向不夠明確，因此全力投入開發仍需要一段時間。 在半導體材料領域中，第一代半導體是「矽」（Si），第二代半導體是「砷化鎵」（GaAs），第三代半導體（又稱「寬能隙半導體」，WBG）則是「碳化矽」（SiC）和「氮化鎵」（GaN）。
首先，未來電動車電壓要提升至800V；因為提高電壓可以降低電流，電流變小就能夠縮減熱來源，也就不需要那麼多散熱配置，整個電池與電動車體積與重量也可降低。 本網站所提供之股價與市場資訊來源為：TEJ 台灣經濟新報、EOD Historical Data、公開資訊觀測站等。 本網站不對資料之正確性與即時性負任何責任，所提供之資訊僅供參考，無推介買賣之意。 事實上，關於半導體的運作原理其實遠比上述更複雜（例如：N 型、P 型、Gate 閘極等）；至於功用除了作為開關之外，也有功率放大層面的用途。 但若只是想要大致理解半導體產業的投資朋友，筆者認為對於運作原理至此的認識也已算足夠。
