李玉君以與 AMD 合作舉例，台積電先進製程發展有完整規畫，AMD 自 2017 年開始合作後，資料中心高效能算領域如第二代 EPYC 處理器 ROME 與第三代 Milan，都採用台積電 7 奈米製程，第四代 Genoa 也採用台積電 5 奈米加強版。 加上台積電 3 奈米製程今年量產，2023 年也量產更節能的 N3E 製程。 因發展時間有明確規劃，讓 AMD 產品也能照計畫推出，為 先進製程成熟製程差異2023 AMD 創造最高價值。 聯電預計在 2017 年上半年開始商用生產14奈米 FinFET 晶片，以趕上台積電與三星，然而在隨著製程越趨先進，所需投入的資本及研發難度越大，聯電無法累積足夠的自有資本，形成研發的正向循環，未來將以共同技術開發、授權及策略聯盟的方式來彌補技術上的缺口。 現在的聯電在最高端製程並未領先，策略上專注於 12 吋晶圓的 40 以下奈米、尤其 28 奈米，和 8 吋成熟製程。
市場研究機構 TrendForce「集邦拓墣產業科技大預測」表示，2022 年晶圓代工產值成長來自市場需求，市場疲弱造成庫存調整，衝擊 2023 年產值僅成長 2.7%。 即便如此，2023 年晶圓代工產業產值仍會持續成長，因台積電預計市佔逼近六成，加上強勢漲價與高單價 3 奈米製程晶圓挹注，使台積電有高個位數成長，帶動 2023 年晶圓代工產值成長。 其他晶圓代工廠沒有漲價動能與產能利用率減少衝擊，2023 年只會持平，甚至衰退。 至於28奈米製程，台積電率先採用與英特爾相同的後閘極設計（Gate-last）架構，超越聯電、三星、格羅方德等晶圓代工領域競爭對手。 進入先進製程之後，2017年台積電、三星與格羅方德推出10奈米製程，聯電於2018年放棄12奈米以下製程研發，最終，格羅方德於2019年宣布放棄先進製程研發，市場上僅剩台積電、三星以及英特爾競爭先進製程。 更加值得關注的是，與先進工藝相比，特色工藝在晶圓代工業務模式上滲透率相對較低，傳統邏輯器件方面，除了英特爾外，主要廠商基本採用「設計-代工-封測」的分工合作模式，而在模擬器件、MCU、分立器件領域，仍然以IDM自家生產為主。
先進製程成熟製程差異: 中國大陸全面打壓互聯網 扶植半導體製造產業
市場需求面來說，雖然產能消耗最大仍是智慧手機，但仍持續投片支撐晶圓代工產能利用率，不論 8 吋廠或 12 吋廠，多來自伺服器與車用電子。 供應端方面，地緣政治是關鍵，以新美國禁令分析，設備出口、高效能晶片出口、美國技術人員支援等，都會影響晶圓代工市況。 而第二篇，我們則聚焦在疫情衝擊供應鏈後，各國開始改變過去半導體的專業分工模式，紛紛加碼強化半導體在地化的政策補貼，並接續討論在中美科技戰升溫下，中國為求突圍美國的半導體禁令，設法在成熟製程、RISC-V 和第三類半導體加緊發展。 更深入來看，所謂異質晶片整合製程，就是將各種不同小晶片（Chiplet）包括了記憶體及邏輯晶片等，透過先進封裝製程緊密集合在一起。
中國大陸2014年開始大陸扶植半導體產業後，中國大陸IC設計產業在內需市場支撐下，近年來快速成長。 美中貿易戰後，為避免關鍵技術受制於美國，更加速中國大陸半導體自主化之決心，積極發展自有半導體供應鏈。 先進製程成熟製程差異2023 當然市場也會擔心未來幾年是否會因為中國快速擴張晶圓產能下，造成半導體供過於求，並衝擊到台廠？ 我們認為短中期並不容易，原因是中國在先進製程被卡關後，為了能夠繼續發展高階晶片，目前的解決方法是將多顆成熟製程晶片做堆疊或是重新設計電路圖，來達到單顆高階晶片的效能，而這變相地會增加成熟製程的需求，緩解供過於求的疑慮。 若看到長期，則要觀察需求端是否會在 AI、自駕車等新科技應用帶動產品半導體含量增加，產生更多的半導體需求。
先進製程成熟製程差異: 「成熟製程」競爭日漸激烈，台灣暫居前茅
MBCFET 顧名思義，結構與多層橋梁相似，實際上和前述的 stacked nanosheets 是相同的結構。 與 FinFET 相比，MBCFET 具有更好的閘極控制，在相同的面積下，也有更大的等效寬度以提供更大的驅動電流，並可依照不同的應用來調整通道寬度，提高電路設計之彈性。 高通產品線布局多元，為搶占掌上型遊戲裝置市場，推出Snapdragon G系列晶片新品，專為新一代手持遊戲裝置設計。 ARM近期進入美股ＩＰＯ上市程序，有望成為今年美國資本市場最大的亮點，台積電、智原更被欽點為運算平台的合作夥伴，對ARM的重要程度不言而喻。 聯電則是在2000年採用IBM技術與其合作，台積電在考慮過後選擇自行研發，並在2003年以自主研發製程推出0.13 微米「銅製程」，就此雙方在技術上出現決定性的差距。
PTT網友狠酸「畫餅」，直言「就是連要做什麼都還不確定，所以機台也還沒訂，各位慢慢等啦」。 到了 2003 年，台積電 0.13 微米自主製程技術驚豔亮相，客戶訂單營業額將近 55 億元，聯電則約為 15 億元。 再一次，兩者先進製程差異拉大，台積電一路躍升為晶圓代工的霸主，一家獨秀。 火災不僅毀掉了百億廠房，也讓聯瑞原本可以為聯電賺到的二十億元營收泡湯，更錯失半導體景氣高峰期、訂單與客戶大幅流失，是歷史上台灣企業火災損失最嚴重的一次，也重創了產險業者、賠了 100 多億，才讓科技廠房與產險業者興起風險控制與預防的意識，此為後話不提。 這在當時完全是一個創舉、更沒人看好，一般認為 IC 設計公司不可能將晶片交由外人生產、有機密外洩之虞，況且晶圓代工所創造的附加價值比起販售晶片還低得多。 彼時德儀正替 IBM 生產四個電晶體，IBM提供設計、德儀代工，可以說是晶圓代工的雛形。
先進製程成熟製程差異: 先進製程、特殊應用、產能擴張 台積電技術論壇的三大亮點
隨著先進製程的不斷發展，原先傳統的２Ｄ封裝已經無法達到相關的需求，於是晶片廠商逐漸轉向3D IC，如WoW（Wafer-on-Wafer）、甚至CoW（Chip-on-Wafer）等的技術研發，而這種新型態的３Ｄ堆疊晶片製程技術就替異質晶片整合帶來了更多發展的想像空間。 IC封裝是將加工完成的晶圓，經切割過後的晶粒，以塑膠、陶瓷或金屬包覆，保護晶粒以免受汙染且易於裝配，並達成晶片與電子系統的電性連接與散熱效果。 另一則為IC成品測試，主要在測試IC功能、電性與散熱是否正常，以確保品質。 台灣IC封裝與測試產業，穩坐全球之冠，隨著IoT應用興起，台灣IC封裝與測試業者持續布局高階封裝與異質整合技術，拉大與競爭業者之差距。 該研究機構分析，1X奈米等較為先進製程發展方面，儘管目前已非中國大陸晶圓代工廠發展主流，但在美國、日本及荷蘭管制下，中國大陸未來發展先進製程的可能性，預期將隨著全面性的出口管制被進一步阻擋。 由於曝光、沉積、磊晶製程等多項半導體製程設備均在本次限制出口範圍內，凡受管制之品項出口皆需申請許可，9月1日將正式生效。
- 多數半導體設備與技術都來自美國，晶圓代工廠也無法提供中國 IC 設計廠商代工生產服務，形成直接損失，加上美國限制中國廠商使用 EDA 軟體設計 GAA 架構晶片，採用 GAA 技術代工的三星也直接受衝擊。
- 當然市場也會擔心未來幾年是否會因為中國快速擴張晶圓產能下，造成半導體供過於求，並衝擊到台廠?
- 事實上，能夠人熟知的由中國設計的手機處理器自研晶片，只有華為旗下海思半導體研發的麒麟系列晶片。
- 官員說明，以半導體產業為例，目前先進製程以5奈米為主流，3奈米則在試量產，專家委員會會就申請案的製程，針對多少奈米以下才不算成熟製程、或如何才符合國際供應鏈關鍵地位等相關要件、進行討論。
- 台灣晶圓代工成熟製程主要業者包括聯電（2303）（2303）、力積電等。
- 受到終端消費影響，智慧手機、個人電腦和消費性電子產品需求降溫，由車用、工業用及伺服器等需求彌補，但將帶來短期波動，且難以預測庫存修正的時間。
由於美《實體清單》明文禁止用於1X奈米及以下先進製程之美國技術銷售予被列入清單的公司，多數中國晶圓代工業者因而轉向積極擴充28奈米及以上成熟製程技術，於此同時中國亦積極培植國產半導體設備，企圖達成全非美系製造產線。 先進製程成熟製程差異 然而，TrendForce表示，現階段美系設備商仍掌握部分半導體製程關鍵機台，尤其在7奈米以下先進製程仍必須採用美系設備方能製造，短期內要達成全非美系產線的難度相當高。 據TrendForce統計，中國晶圓代工業者在既有設備限制下亦較積極於擴充成熟製程產能。
先進製程成熟製程差異: 日積電、德積電、美積電，台積電模式將被各國複製？ 半導體成戰略物資，台灣如何守住防線
也意味以手機為主的供應鏈正在快速凋零，代表業者是OLED面板為主的韓國三星、相機模組的台灣大立光，近年兩者財報來看，均有下滑的態勢。 以大立光為例，高階鏡頭市場逐漸飽和，後起之秀（中國玉晶光、中國舜宇光學）猛烈追趕下，股價一瀉千里。 先進製程成熟製程差異 官員表示，在修法溝通時，已有向立委詳細說明修法規劃，例如未來受理申請案件時，因適用產業不僅限於半導體，也可能包含電動車、5G甚至儲能等產業；因此，將就不同申請個案領域，邀集學者專家組成委員會審查。
過去，半導體業界會以Doping（參雜半導體）的方式解決此一漏電問題，但是當製程縮小、漏電情況也越趨嚴重，平面電晶體架構也面臨到需要改變的時刻。 市場上對於成熟製程其實未有明確的定義劃分，但以7奈米作為分水嶺，以降包括5奈米及3奈米等稱之為先進製程，而7奈米以上則包括16奈米及28奈米等可稱為成熟製程（mature process），同時基於兩種不同製程在晶片體積上的不同，終端應用需求也有顯著差異。 所謂摩爾定律，是指半導體產業的電晶體將持續朝小型化路徑前行，並在縮小同時、其積體電路上的電晶體數量依舊能以幾何級數的方式快速成長，從原先預測的每年翻一倍、到後來根據產業發展趨勢修正成約18至24個月增加一倍的電晶體數量，如此、將比上一代晶片提升約40%的晶片效能，為產業帶來更多創新。 為了克服3奈米良率的問題，媒體報導三星正尋求Silicon Frontline Technology的協助，以提高 3 奈米 GAA 良率。 主要是要克服因利用這家公司所有的技術，從水質和靜電放電預防技術方面降低生產過程缺點，以提高晶圓良率。 但2023年7月中旬，媒體報導，市場傳聞蘋果的 A17 Bionic 和 M3 處理器已經獲得台積電 90% 的 3 奈米製程產能。
先進製程成熟製程差異: 持續辦理社會住宅，照顧各族群的生活
談到成熟製程市況，世界先進董座方略曾說，公司和客戶一起面對市況變化與壓力，包含提供折讓等，但希望後續隨8吋晶圓代工市況回溫後，能使該公司毛利率隨產能利用率提振而回升，目標重回30%甚至40%以上水準。 兩種製程的在晶片體積上的不同，終端應用也差很大，這代表成熟製程不會因為先進製程而受到排擠。 由於多數產品並不需要高效能，像是較為廉價的家電、手機等，再加上成本考量下市面上反而多以成熟製程為優先、市場需求更大。 官員說明，以半導體產業為例，目前先進製程以5奈米為主流，3奈米則在試量產，專家委員會會就申請案的製程，針對多少奈米以下才不算成熟製程、或如何才符合國際供應鏈關鍵地位等相關要件、進行討論。 以汽車業為例，目前缺的是 MCU 晶片（Microcontroller Unit，微控制器），汽車 ESP 先進製程成熟製程差異 車身電子穩定系統和 ECU 先進製程成熟製程差異 電子控制單元等都要用，主要由 8 吋晶圓生產，晶片製程普遍在 45~130 奈米。 每個架構中都會有閘極設計，就像家裡的電燈開關一樣，它能藉由觸發開啟讓電子得以通過，電流的產生就能使晶片運作，但當晶片的尺寸越來越小後，閘極也因為不易控制造成漏電情況發生，稱之為短通道效應（Short Channel Effect）。
【財訊快報／記者李純君報導】這幾年的半導體晶片斷鏈，以及區域性政治議題，致使美國晶片就地生產意識大舉抬頭，《美國晶片法案》更將進入最後程序，總統簽署後即正式生效，此舉預估會將讓美國在2025年於全球7奈米及以下先進製程拿下12%市佔率。 過去兩年因疫情造成的晶片供應鏈斷鏈，以及中美貿易摩擦、俄烏戰爭等地緣政治升溫，使得全球各區域經濟體提高對區域生產與供應鏈自主性的關注。 據TrendForce研究預估，以全球各區域12吋約當產能來看，至2025年台灣占比約43%，接續為中國27%、美國8%、韓國12%；7奈米（含）以下先進製程產能方面，至2025年台灣占比約69%、韓國18%、美國12%、中國1%。 相較2022年的格局，顯見美國未來三年將提升先進製程產能占比，而中國則以成熟製程為主軸。 TrendForce表示，目前同時於美國、中國投資擴產/廠的半導體公司僅有台積電（TSMC）與三星（Samsung），針對《美國晶片法案》將如何限制兩家業者於中國的投資值得持續關注。
