在引進 GaN on Si 的技術後，不僅使得廠商得以有效壓低成本，終端需求量也提升了許多（試想看看：以前一個碗公大小的充電器，現在可能指向一片餅乾這麼大，消費者當然更願意去擁有這樣的新型充電器，對吧！），也不難想像為何低電壓消費性電子產品的電源供應器，可以成為第三代半導體的一大熱門應用。 名列全球前 10 大半導體廠英飛凌，高級經理高金萍接受財訊採訪時表示，目前全球主流車廠電動車規格已往 800 伏特高壓平台發展，意即對台廠來說較為困難的碳化矽將成主流。 英飛凌發展碳化矽技術超過 25 年，已有 20 家車廠在使用及評估英飛凌的碳化矽產品。 第三類半導體龍頭 LED 領域發光發熱後，近來受惠 5G、電動車應用推升，對高頻率、高功率元件需求成長，市場對氮化鎵的討論聲浪再度高漲。 氮化鎵主要應用於 600 至 1000 伏特的電壓區間，具備低導通電阻、高頻率等優勢，可在高溫、高電壓環境下運作，但主要優勢仍在於高頻率元件，在高壓與高功率表現上，雖優於矽基材料，但不如碳化矽材料表現亮眼。
- 林漢偉指出，第三類半導體概念股去年的表現相當強勁，但漲幅有點太大，已經有提前反應到今年的業績成長利多，雖然今年來看整個市況沒有太大的問題，整體的市場成長性有三、四成以上就代表是快速成長的市場，所以目前來看當然就是市況相當看好的情況。
- GaN-on-Si 製程要將氮化鎵磊晶長在矽基材上，有晶格不匹配的問題須克服。
- 走進汎銓董事長柳紀綸的辦公室，宛如置身戰情室，牆上8台螢幕，每台螢幕有16個分割畫面，每個分割畫面連結到不同的實驗室，讓柳紀綸及客戶能清楚掌握員工的工作狀況。
- 由於全球高檔電動車相繼推出800V高壓車型，電氣架構革新，將使SiC功率元件，成為主驅逆變器標準配備，據電動車業界評估，全球電動車市場對6吋SiC晶圓的需求，將從今（2022）年的25萬片，逐年上升，至2025年，暴增到169萬片，成長速度驚人。
- 很多上市公司把GaN或SiC技術的公司用合資、分割的方式藏在子公司或孫公司，判斷這類公司做的應用若是大電流或超高電壓650V，則這類公司拚的是真本事。
半導體和絕緣體之間的差異在於兩者之間能帶間隙寬度不同，亦即電子欲從價帶跳入導電帶時所必須獲得的最低能量不一樣。 絕緣體的能帶比半導體寬，意即絕緣體價帶中的載子必須獲得比在半導體中更高的能量才能跳過能帶，進入導帶中。 室溫下的半導體導電性有如絕緣體，只有極少數的載子具有足夠的能量進入導帶。 因此，對於一個在相同電場下的本徵半導體和絕緣體會有類似的電特性，不過半導體的能帶寬度小於絕緣體也意味著半導體的導電性更容易受到控制而改變。
第三類半導體龍頭: 提升電動車續航4%的第三代半導體 - SiC碳化矽產業介紹
2004年，她一度受東元會長黃茂雄之邀，轉任菱光總經理，2007年盧明光接手中美晶，需要一位左右手，在孫鐵漢的推薦下，又找徐秀蘭回鍋，「她當年就對我說，未來希望把中美晶經營成矽晶圓廠裡的台積電。」盧明光曾透露。 今年61歲的徐秀蘭，出生在三重的小農家庭，從北一女、輔大畢業，遠赴美國伊利諾大學攻讀電腦科學碩士後，返台進入電子業。 因與中美晶業務往來，被中美晶大股東孫鐵漢相中，1998年受邀加入中美晶，「Doris的思慮清楚、做事條理分明又認真負責。」孫鐵漢曾對本刊說。 繼美商Globitech、日本Covalent、丹麥Topsil、美國SunEdison（簡稱SEMI）連續的4大併購案之後，徐秀蘭已讓環球晶坐穩矽晶圓三哥，但一樁能否讓環球晶順利攻上二哥大位的併購案，今年除夕夜就要正式揭曉。 「從2008年跟著盧董（盧明光）第一次併購美商Globitech開始，環球晶幾乎每4年就有一場併購案，而且每次都是舉辦奧運的那年，環球晶也跟著茁壯。」中美晶發言人李崇偉笑著說。 SiC 是由矽（Si）與碳（C）組成，結合力強，在熱量上、化學上、機械上皆安定，由於低耗損、高功率的特性，SiC 適合高壓、大電流的應用場景，例如電動車、電動車充電基礎設施、太陽能及離岸風電等綠能發電設備。
5月AI晶片龍頭輝達（NVIDIA）創辦人黃仁勳，說出AI的Iphone時刻後，臺灣半導體類股價一飛衝天，儘管上周AI股... 當環境永續已成顯學，104人力銀行透過關鍵字分析（碳中和、低碳、淨零、負碳排、Net Zero、減碳、carbon neutrality、零碳、碳審計、碳足跡、碳標籤、碳盤查、電動車、綠能&新能源、風力發電等），觀察企業徵才條件，給予大學生在校更明確的學習方向、以及社會新鮮人求職參考。 第 1，是將氮化鎵材料用來製作 5G、高頻通訊的材料（簡稱 RF GaN）。 過去 20 年，許多人想用成熟的矽製程，做出可以用在 5G 高頻通訊上的零組件。 至於磊晶廠全新，GaN on SiC磊晶打入台系國防工業應用客戶，並通過產品認證小量出貨。
第三類半導體龍頭: 全球市場觀測站／美信用債 有利可圖
先是去年6月在鴻海研究院底下成立半導體研究所，將第三代半導體列為主要研究項目之一；今年8月，鴻海更豪砸25.2億元收購旺宏月產能1.5萬片的6吋晶圓舊廠。 「雖然這個6吋廠不是做碳化矽，但透過新投資可以將這座晶圓廠轉去做碳化矽。」劉揚偉直接道出，鴻海揮軍第3代半導體的企圖心。 5G、電動車等終端應用市場需求大增，推升第三代半導體產業話題火爆，SEMI將於9月7日至9日舉辦「功率暨光電半導體週線上論壇」，包括太極（4934）、嘉晶（3016）等16檔第三代半導體概念股，25日股價轉強先暖身。 上述說明了第三代半導體以及其應用上的優勢後，接著來分析台灣哪些公司搭上了這項產業趨勢，展現了投資亮點。
電動車、5G 通訊引爆第三類半導體熱潮，被點名的相關概念股都已飆漲一波，但隨著全球科技股回檔跟著修正打底，分析師認為，第三類半導體僅占全球半導體產值不到 1%，但未來發展的潛力值得期待。 目前要觀察兩大反轉訊號有沒有出現，一是有沒有承接買盤出現，二是台廠今年的產能貢獻營收會不會有所成長，現在看來今年上半年第三類半導體仍將維持打底的狀況，真正要有大幅反轉走強可能會落在下半年。 國泰證期資深經理蔡明翰分析，近來各界紛紛跨入第三代半導體領域，第三代半導體技術層次高，要按照不同的需求，選擇不同的材料，在原子等級的尺度下精確排好，生產出更省電、性能更好的電晶體，並且運用在高頻通訊如5G、衛星通訊與高電壓的汽車電源供應器，皆為未來高度成長的市場，具有未來的高度想像空間。 據台亞半導體表示，台亞在化合物半導體領域產品，已經完成驗證並且出貨，但此部分的營收占台亞整體營收比例，將為個位數。
第三類半導體龍頭: 集團強攻第三代半導體 進度大公開
至於 GaN-on-SiC 射頻元件的主要廠商則包括住友電工、Qorvo、恩智浦及 Wolfspeed 等。 目前市場朝向 8 吋 GaN-on-Si 量產發展的關鍵挑戰，集中在 GaN 磊晶、蝕刻、表面鈍化層以及在線/離線監控等方面上。 整體而言，第三類半導體適用於高頻及高功率的應用場景，其中 SiC 是製造適用再生能源及車用領域大功率元件的首選材料，至於資料中心、通訊及消費性領域等高頻率場景則是 GaN 最擅勝場之處。 此外，漢磊、嘉晶深耕第三類半導體之餘，因應電子產品多樣化且效能與規格要求更高趨勢，同步展開多元布局，持續推進更具競爭力技術，包括當紅的絕緣柵雙極電晶體（IGBT）、二極體和複合雙載子互補金屬氧化物半導體（BiCMOS）及BCD等製程．
而這材料依照內容不同，分為一至三代，分別為矽、砷化鎵至第三代的碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)，以效能推算，當然是第三代材料比較好，相對上技術也較難，因為化合物內容比較複雜，那麼是不是第一、二代將會被取代？ 答案是不會，就好像台積電及聯電，一個先進、一個成熟製程，各有所需，畢竟不是所有電子產品都要運用到如此高效能，只是簡單的容易做，比較容易被取代，而先進的技術因市場滲透率低，故成長空間也較大，差別在此。 第三類半導體龍頭2023 第三類半導體因耐高壓、耐高溫特性，最常見就是用在設備充電，未來也預期會有更多樣化用途。 委托晶圓代工龍頭台積電生產、超快速手機充電器製造公司 Navitas Semiconductor 表示，電動車將是下個大賭注，如果 Navitas 能藉自家技術，可讓電動車充電時間剩三分之一，或電動車續航里程增近 30%，或電池尺寸減少 30%。
第三類半導體龍頭: 除了 5G 射頻、快充，GaN 未來發展重點：新能源汽車和資料中心
了解了半導體與其運作原理後，接下來我們趕緊來認識一下今天的主軸 —— 第三代半導體。 第三代半導體，不同於第一代半導體材料（矽 Si、鍺 Ge）與第二代半導體材料（砷化鎵 GsAs、磷化銦 InP），第三代半導體的主要材料則為碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）兩種，由於產品特性的不同，各代半導體也分別有不同領域的應用。 過去電動車都使用矽製成的 IGBT 電源轉換晶片，但特斯拉 Model 3 首次採用意法半導體製造的碳化矽元件，為電動車轉換電能。 根據英飛凌提供的數據，同樣一輛電動車，換上碳化矽晶片後，續航力能提高 4%，由於電動車每一分電源都極為昂貴，各家車廠都積極布局碳化矽技術。 第三類半導體龍頭2023 第三類半導體龍頭2023 英飛凌預期，到 2025 年，碳化矽晶片將占汽車電子功率元件 2 成。
吳朋鴻補充，此舉是為讓營運表現佳或配發股利紀錄優異的產業冠軍股來壯大資產的殖利率空間，而等權重指數猶如巴菲特價值型投資，採取高度分散、調整彈性大的方式，可與市值加權型指數有互補效果，當產業或個股遇到不同景氣階段，等權重指數較有機會獲得景氣輪動下的投資紅利。 AI股漲多修正，成交量居高不下，非AI族群維持輪動，第二季暨上半年財報陸續出爐，搭配七月營收與下半年展望，為股價承先啟後的重要數據。 Wolfspeed公布財報激勵股價跳空大漲，亦同步推升安森美創歷史新高、意法半導體跟漲，優於預期的財報指引預示著第三類半導體的需求大爆發。 第三類半導體龍頭 當您使用本網站留言服務時，視為已承諾願意遵守中華民國相關法令及一切使用網際網路之國際慣例。 《萬寶週刊》鎖定中高資產族群，以台股、全球股市、期貨、基金、房地產、藝術、精品投資為主軸，出版至今深受投資界人士青睞，為全國證券界指標性刊物。
第三類半導體龍頭: 半導體行業網站
許豐祿指出，半導體上游長晶市占率世界第四的環球晶，2021 第三類半導體龍頭 年斥資逾千億元公開收購德國世創（Siltronic）已經過關，未來市占率提升為世界第二；投入第三代半導體布局超過 4 年，4 吋半絕緣產品已小量量產，6 吋導電型產品應用於 IGBT（絕緣柵雙極電晶體）等領域以及氮化鎵產品，都進入量產階段。 環球晶結合下游相關公司，如宏捷科、強茂、朋程、台半、茂矽等公司，未來有可能成為世界第一的半導體上游長晶公司。 因本身耐高溫及高電壓等材料特性引導，第三類半導體於應用市場重要性亦將逐步顯現。
這種技術大幅降低化合物半導體成本，用在生產處理數百伏特的電壓轉換，可以做到又小又省電。 目前市面上已經可以看到，原本便當大小的筆電變壓器，已經能做到只有餅乾大小，OPPO、聯想等公司，更積極要把這種技術內建在高階手機和筆電裡。 結果，高通生產出來的矽晶片非常燙，完全沒辦法用在手機；後來，連高通都回頭跟穩懋下單。 業界人士觀察，通訊會愈來愈往高頻發展，未來高頻通訊晶片都是化合物半導體的天下，王尊民觀察，這個領域也是化合物半導體製造毛利率最高的部分，像穩懋和宏捷科的毛利都在三至四成。 環球晶目前第三代半導體以4吋廠生產為主，6吋廠研發還在進行，後續進度還需持續觀察。 產業人士認為，宏捷科第三代半導體相關業務最快要至明年下半年才會逐步發酵。
第三類半導體龍頭: 電動車免徵牌照稅延長 貨物稅擬跟進
部分邏輯IC需求有機會在2023年第一季先行回溫，大宗消費IC則需等至第二季底。 封測代工價格部分，已經有部分封測廠調降費用，力保稼動率，全面漲價情景也不復存在。 然未來異質整合封裝發展值得關注，隨著全球封測產業市場規模持續成長，除了專業委外封測廠，晶圓製造大廠如台積電、Samsung、Intel也開始布局先進封裝技術，加大先進封裝資本支出。
事實上，在消費性電子用的電源轉換晶片上，外資指出台積電從 2014 年開始就幫愛爾蘭的 IC 設計公司 Navitas 代工生產。 2021 年，Navitas 宣布，他們已經賣出了 1,300 萬個第三代半導體變壓器，目前每個月出貨量達到100萬個，良率幾乎是百分之百。 由於 第三類半導體龍頭2023 Navitas 在這個領域擁有 5 成市占率，也證明台積電早已悄悄靠第三代半導體在賺錢。
第三類半導體龍頭: 全球GaN市場規模2027年估達45億美元
從應用面來看，氮化鎵應用包括變頻器、變壓器與無線充電，為國防、雷達、衛星通訊與無線通訊基地站等無線通訊設備的理想功率放大元件。 17日台股盤面上也以第三代半導體的話題最熱絡，市場認為光磊與日亞化將攜手搶攻第三代半導體，雖官方尚未證實，但股價已衝上漲停，達48.95元。 至於MOSFET廠大中也宣布2022年推出SiC及GaN等第三代半導體材料新品，市場給予肯定，股價漲停，收在159元。 物以稀為貴，不只大客戶追著台積電、聯電等晶圓代工廠搶產能，環球晶也同樣被晶圓廠追著跑。 也難怪，就算連續幾季漲價，還是一堆客戶捧著現金上門搶貨，大咖業者更親自找徐秀蘭簽長約，「訂單能見度到2024年都沒問題。」徐秀蘭豪氣地說。 據了解，為提高矽晶圓產能，排名前5大的業者，包括日本信越、日本勝高（SUMCO）、環球晶、德國世創（Siltronic）與韓國SK Siltron，都陸續規劃新廠，但至少要2年才能量產，新產能最快要等到2024年才會開出。
機車市場進入暑假傳統旺季，各家車廠拚戰更兇，新車款與促銷頻頻，爆發強大買氣。 三陽、光陽、中華車、PGO近期都推強銷車款，各家車廠看好全年車市約80萬台的規模，暑假更是各方爭戰布局的重點。 而此趨勢，將為800V供應鏈如碳化矽、逆變器、車載充電器（OBC）、直流-直流轉換器、連接器、及繼電器等帶來收入，並將對整體大中華碳化矽供應鏈帶來結構性的積極利多。 櫃買市場今（7）日將再添一檔債券 ETF 掛牌，該檔債券 ETF 係由統一投信所發行之統一彭博美國20年期以上公債 ET... 三大法人買超前十大個股，依類別分，4檔電子股、2檔金融股及4檔傳產股；依股價分，1檔百元股、2檔中價位股及7檔銅板股；買超張數方面，2檔買超上萬張，榜首為緯創(3231)，買超1萬8730張，華通(2313)、京元電子(2449)名列二、三名，分別買超1萬737張及買超8893張。
第三類半導體龍頭: 半導體的摻雜
日經的報導乃是依據日本Patent Result所整理出來的資料，Patent Result 的計算方式是基於 2021年7月29日為止的美國已發行專利數量，再把專利數量及受關注程度轉換成分數來算出得分。 若是因離子佈植問題造成的漏電，上述兩種顯微鏡便無法派上用場，需要使用掃描式電容顯微鏡（Scanning Capacitance Microscopy, SCM）來觀察 p-type 與 n-type 攙雜的分布。 濃度異常除了會造成 第三類半導體龍頭 cell leakage，還會因為影響了電場分布，而導致擊穿現象所產生的大電流問題。 和施體相對的，受體原子進入半導體晶格後，因為其價電子數目比半導體原子的價電子數量少，等效上會帶來一個的空位，這個多出的空位即可視為電洞。 半導體之所以能廣泛應用在今日的數位世界中，憑藉的就是其能藉由在本質半導體加入雜質改變其特性，這個過程稱之為摻雜。 摻雜進入本質半導體的雜質濃度與極性皆會對半導體的導電特性產生很大的影響。
目前 SiC 功率元件主要廠商包括美國 Wolfspeed（掌握全球 6 成市占率）、Coherent（已被 II-VI 收購）及 On Semi、日本羅姆、中國天科合達及山東天岳、台灣環球晶、穩晟材料及盛新等。 工研院電光所微型光學元件與系統應用組組長方彥翔指出，化合物半導體具備高速、高頻、耐高壓等光電轉換的三高優異特性，可滿足 6G 通訊、電源快充系統需求，並支撐元宇宙、電動車、虛實整合等產業蓬勃發展。 台亞強調，積亞主要生產碳化矽功率元件（MOSFET, SBD on SiC）與MOSFET on SiC等半導體功率元件，其中碳化矽因具備散熱性良好、功率損耗低、高耐壓、低導通電阻等特性，適合應用於電動車逆變器、穩壓器等設備，公司以完善替進軍國際碳化矽功率元件市場做足完善準備。 如果你看到這邊還是對於第三代半導體的未來成長性有些疑慮的話，不妨參考一下以下數據： 2018 年 GaN 在電源供應器領域的市場規模大約是 900 萬美元，而 2024 年市場預估總產值將來到 3.5 億美元 — 6 年成長 40 倍。 而且這只是單一終端應用，都還沒有考慮電動車、高頻通訊等兩大未來發展主軸。 說到第三代半導體在通訊領域的應用，最著名的就是高通（Qualcomm, QCOM-US）於 2013 年所提出的「RF 360 」新技術 — 當時市場稱之為「劃時代的發明」，並指出這可能是世界上其他製造商的「End Game」。
