2.小米与意法半导体着力开拓的领域;微波射频领域应用于功率放大器、基站射频、军工射频等,特别适合高频信号,随着5G商用,氮化镓材料将首先在基站领域渗透,未来待成本下降后有望进入更多终端,成为5G关键材料之一。 2022氧化鎵概念股要注意討論資訊,在PTT/MOBILE01/Dcard上的升學考試資訊整理,找氧化鎵概念股,第四代半導體ptt,第五代半導體在Instagram影片與照片(Facebook/Youtube) ... *編者按:本文僅供參考之用,並不構成要約、招攬或邀請、誘使、任何不論種類或形式之申述或訂立任何建議及推薦,讀者務請運用個人獨立思考能力,自行作出投資決定,如因相關建議招致損失,概與《精實財經媒體》、編者及作者無涉。 第三季合併營收季增11.7%達9.05億元,與去年同期相較成長10.6%,改寫季度營收歷史新高。 閎康公告9月合併營收月增1.0%達3.06億元,較去年同期成長11.5%,為單月營收歷史次高及歷年同期新高。 PA-B7在精巧的體積中放上了2 USB-A 氮化鎵概念股 + 2 Type-C,是非常少見的完整配置。
台積電指出,為縮短新進員工學習曲線,民國110年6月在位於中科的晶圓15A廠啟用新人訓練中心,推出設備、製程、系統、值班技能4大學程。 東森國際股份有限公司(2614)於本月4日宣布減資彌補虧損換發股票停,PTT網友表示,近年來東森已多次減資,股價腰斬再腰斬,「怎麼玩不膩?」其他網友直言,這檔股票就是「專門坑殺散戶的老闆」。 自從去年蘋果發布iPhone 12不再免費搭載5W的豆腐頭充電器之後,市場即在臆測蘋果將加速推出GaN快充,然一直是只聞樓梯響,不見人下來。
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二是減債,則要視經濟狀況而定,從公佈的數據來看,美國除了失業率符合預期外,其它非農就業及製造等通通不如預期,所以讓高盛調降第四季GDP成長,這是好,還是不好? 正所謂「對的時機遇見對的人」,對的人在不對的時機也是惘然,現在市場對的時機就是聯準會不要太早收錢,而不要太早收錢的條件,就是經濟還需要刺激,經濟數據在此刻應如何解讀,值得投資人深思。 許豐祿表示,大盤在經過休息整理過後,即將展開下一波攻勢,再加上近期外資陸續回流,所以個股的回升已經蓄勢待發,那接下來投資人就可以觀察公布出來的財報來挑選優質好股,這邊就可以觀察兩大族群,一個是IC設計股,另一個則是車用電子概念股。
三安光電在今年半年報中披露,子公司廈門市三安積體電路有限公司 (承擔第 3 代半導體業務) 已向 47 家公司提交樣品,其中 11 顆晶片進入微量產,此外還佈局了光通訊晶片、濾波器等領域。 證券分析師張陳浩表示,鴻海完成俄亥俄州的電動車工廠併購,加上打造電動車平台,未來有機會成為「電動車貼牌王」,搶攻中國大陸的電動車市場,搭上這波電動車題材,推升今日股價表現,後續有機會再往上攻。 鴻海去年5月完成自Lordstown手中收購美國俄亥俄州的電動車工廠後,電動皮卡已開始出貨,另外,在 去年鴻海科技日,展示旗下3款電動車Model C、Model V、 Model B,Model C今年將量產,Model B則是預計明年量產,鴻海打造MIH開放平台,在電動車的領域上積極布局。 國際各大廠科銳(Cree)、英飛凌(Infineon),以及羅姆(ROHM)已進入量產碳化矽的階段。 過去3年來,碳化矽、氮化鎵等化合物成本,已下降20%至25%,將有利於終端產品導入第三代半導體的比率逐漸增加。
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Wolfspeed近年來進軍電動車應用有成,包括通用、福斯、德爾福集團等電動車動力系統都使用該公司的碳化矽元件,統計近四季度在汽車占比逾七成的設計導入(design-in)營收顯著增至二六億美元,公布的第四季財報營收來到二. 一美元,另外公司更上修二○二六年的營收目標展望,較去年底提出的二一億美至少高出三○%,也使市場歡欣慶賀,股價以跳空開高反應,盤中更上漲超過三二%,帶動安森美、意法半導體等股價走高。 目前碳化矽及氮化鎵半導體元件尚未普及的原因在於,這兩種半導體元件的價格較矽基半導體元件價格的高出數倍,主要原因在於產品良率不高,無法放量生產以壓低成本。 但隨著 5G、電動車的需求持續驅動,越來越多廠商投入發展,可望在需求驅動下快速帶動產業的發展。 儲祥生指出,台廠挾帶著半導體產業鏈優勢,供應鏈主要分為三大塊,包括發展長晶投入 SiC 基板的環球晶、盛新材料、穩晟材料,延伸的相關概念股有環球晶及其母公司中美晶,還有盛新材料的大股東太極-KY。 目前市場上的 GaN 功率元件以 GaN-on-SiC(碳化矽基氮化鎵)及 GaN-on-Si(矽基氮化鎵)兩種進行製造,其中 GaN-on-SiC 具有散熱優勢,相當適合應用在高溫、高頻的操作環境,因此以 5G 基地台的應用能見度最高,並隨著 5G 走向高頻發展,進入高速成長期。
第三代半導體雖然發展已經有一段時間,不過,其實今年以來,才逐漸開始廣為人知,尤其是中國在今年發布的「145規畫」(第14個5年規畫),將第三代半導體納入其中,再度引起市場對第三代半導體的關注。 旗下嘉晶 (3016) 與漢磊科已建置碳化矽、氮化鎵的磊晶及晶圓代工產能,其中嘉晶 6 吋矽晶氮化鎵磊晶矽晶圓,已進入國際 IDM 廠認證階段,漢磊科已能提供 6 吋矽晶氮化鎵晶圓代工服務。 碳化矽涵蓋 4 吋與 6 吋,已少量量產,應用在車用、伺服器電源系統,明年將能明顯挹注營運。 手機大廠 Oppo 年在 Reno Ace 氮化鎵概念股 旗艦手機所配的 65W 原裝快充導入氮化鎵技術,是氮化鎵首次進入大規模的智慧型手機市場,2020年小米推出更輕巧便宜的氮化鎵快充,可望帶動氮化鎵在消費性產品的普及率。 而先前小米所推出的快充插座,因全面導入氮化鎵技術,法人看好,隨著5G智慧手機將大力採用快充技術,預期GaN需求將全面崛起,點名包括漢磊、嘉晶,以及功率半導體晶圓代工廠茂矽等,有機會搶下快充升級商機。 由於掌握過半基板供應量,SiC 市場由美日 IDM 廠商寡占,並使用自研自製的長晶爐,其中 SiC 基板三雄科銳(Cree)、貳陸(II-VI)及羅姆(ROHM)的市占率就高達 80%,而中國投入 10 兆人民幣力拚第三代半導體自主化,因此長晶及基板的發展也位居領先地位。
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既然要投資碳化矽產業,那就一定不能不認識台股市場的碳化矽概念股 ─ 龍頭企業,他們是碳化矽供應鏈的領頭羊,有些公司更是在國際地位上屬於舉足輕重的藍籌股,像是:台積電、穩懋、世界、環球晶等。 也就是說,如果未來晶圓、半導體應用越來越廣泛、碳化矽的需求極大,也不等於「碳化矽概念股們」的股價就一定會上漲,只能代表它們上漲的機會比較大。 第三代半導體在近年最新發展出來終端應用產品,則屬以 GaN 氮化鎵為原料,製作而成的高頻通訊的材料(又稱 RF GaN) 。 永誠國際投顧資深分析師許豐祿指出,雖然第 3 代半導體夢想題材很大,但短期而言,碳化矽、氮化鎵等複合材料良率仍在緩慢爬升,成本過高限制了滲透速度;就投資而言,最好找本業體質不錯,加上有研發第 3 類半導體領域有些成果,正準備發酵,在本益比提升的效應下,對股價向上有正面反應,才是投資人可以注意的標的。
鴨子划水多年,如今終見到蘋果GaN快充產品上市,勢必加速推動各項消費性電子產品的快充滲透率,明年商機爆發已指日可待,TrendForce預估,隨著成本下降,預估至二○二五年GaN在整體快充領域的市場滲透率將達到五二%。 以下我會教你用3步驟使用TradingView的看盤網站,快速查看碳化矽概念股的股價走勢與K線圖(以嘉晶 3016為例)。 所謂半導體(semiconductor),就字面上直觀來看,是「一半」的「導體」 — 它有些時候可以當導體,有些時候卻又成了絕緣體。 而就學理定義來說,半導體是「一種電導率在絕緣體與導體之間的物質,可作為資訊處理的元件材料」。 透過在這類物質中另外加入其他雜質(例如:磷、硼等等),就可以利用化學元素間電子數量的不同,更精準地控制半導體的導電性,進而製作成超重要的半導體電子元件 — 電晶體(Transiter)。
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環旭24日於官網宣布,全資子公司環鴻電子與氮化鎵系統有限公司(GaN Systems Inc.)簽訂股份認購協定,成為氮化鎵公司新一輪融資的策略投資者。 本網站所有資料僅供參考,如使用者依本資料交易發生交易損失需自行負責,本網站對資料內容錯誤﹑更新延誤不負任何責任。 充電器領導品牌AUKEY推出Omnia系列充電器,3款都使用AUKEY獨家OmniaChip™氮化鎵GaN功率元件,在發散熱方面較傳統矽元件充電器有更優良的表現。 Subaru預告將推出第一款純電動的跨界休旅車、通用設定在2035年停止販售燃油車,電動車雖然很好,但是充電是個問題,因此要廣設充電椿或充電站。
通訊進入5G時代後,科技發展逐漸走向高頻,矽與砷化鎵開始無法負荷通訊設備高漲的頻率,而這也正好符合氮化鎵高工作頻率的特性,高頻狀態下除了保持優異效能外也能維持穩定度。 且氮化鎵射頻元件有著高功率密度的特性,在相同功率下可以獲得比傳統材料更精巧的體積,非常適合需要高密度設置的5G基地台。 但除了技術和生產困難,材料的開發還是需要下游應用配合,所以單獨切入研發相對困難,還是需要上下游互相合作,合晶則表示,公司一直有在關注碳化矽或氮化鎵,也認同此為趨勢上的產品,目前也啟動策略合作的評估,未來會需要打群架,如 CREE 與英飛凌結盟,除了技術合作,更可以確保未來上游材料取得及下游確保出海口。 也因為第三代半導體材料後市看俏,所以也有不少廠商很早就開始投入研發,可望成為下一代的明日之星,惟就業者表示,要生產一片碳化矽晶圓並不難,困難的是要怎麼從一片到一百片、一千片的量產能力,這些都受限技術、專利以及成本門檻,造成量產的挑戰。 氮化鎵概念股2023 閎康表示,有鑑於在開發新元件與新材料研究過程中,分析檢測方面所需具備的尖端服務技術,特別透過科技部的協助,針對台大、台師大、清大、陽明交大、中央、中興、成大、中山等八所國立大學,每年提供總計2,000萬元的研發補助經費,希望藉此強化研發能力,促進產業升級。 而這也是台灣第一家半導體研發實驗室願意提撥高額研發經費向下紮根,讓企業與學術單位共獲雙贏的創舉。
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碳化矽概念股族群是電子產業的關鍵材料供應商,因此大部分類股跟市場上的半導體、電子科技公司有著很高的重疊性,特別是與晶片相關的母子企業。 在經歷過 2013 年市場的高潮迭起後,許多台廠(像是穩懋( 3105-TW )、宏捷科( 8086-TW )等)才又重新的站穩腳步上。 後來隨著通訊需求確實如預期地朝趨趨高頻通訊發展,且由於相比於電動車、電源供應器等成熟應用,高頻通訊晶片目前尚處於低基期,未來有潛力躋身第三代半導體的前三大應用。
為加速研發人員辨識並解決設計與製造問題、確保產品品質,台積電推動「可靠性監測再進化」方案,找出電流測試的最佳化參數並利用產線機台進行試驗,成功節電99%。 台積電今年6月將超重力旋轉床成功導入晶圓15B廠,截至8月已減少COD排放9萬9635公斤,預估113年依序導入晶圓18廠、晶圓20廠等先進製程廠區後,平均年減COD排放7638公噸,減廢效益每年可達新台幣4億731萬元。 據《上海證券報》報導,看好第 3 代半導體商機,三安光電 ( CN) 氮化鎵概念股 利用安芯基金,在 RF 射頻、光通信、濾波器、電力電子等方面展開佈局,目標是建設面向下一代無線通訊 GaN 器件平台。 《先探投資週刊》 創刊於1980年,成立宗旨是建立完整掌握國內產業投資動態的指標性刊物,每週五出刊,不但完整掌握一週投資訊息,同時準確預測未來一週的動態趨勢。
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Novel 16日宣布,已完成高品質氧化鎵3吋(100mm)外延晶圓(Epitaxial Wafer)的研發,藉此可讓客戶端利用現行3吋量產產線開始生產氧化鎵功率半導體產品。 日本新創企業Novel Crystal Technology成為全球第一家成功量產氧化鎵3吋晶圓的廠商,激勵有對Novel進行出資的日本電子零件製造商TAMURA股價高掛漲停。 但在相關材料、製程設備與技術相關業者共同努力下,相信未來氮化鎵、砷化鎵功率半導體能夠在製程技術上有新進展。 奠基4G的基礎,以及新興應用對於行動網路低延遲、高傳輸速率的需求,5G行動通訊技術在全球業者的期待之下,加速發展中。 隨著2018年標準底定時間越來越接近,相關半導體廠商、網通設備商及其他相關業者,對5G技術架構的了解有越來越清晰的輪廓。 強茂是全球前20大功率半導體供應商,在台灣則是最大,品項超過1.5萬種,可滿足客戶一站式採購需求,且是高雄岡山廠製造,免去美中貿易爭端,另在深圳、無錫也有生產基地直接供應中國內需市場。
- 根據工研院產科國際所統計,目前第一代半導體材料的市占率約九成,第二、三代合計約 10%。
- 所謂第一代半導體材料矽、鍺等;第二代半導體材料砷化鎵、磷化銦等;第三代半導體材料為氮化鎵、碳化矽等。
- 研究指出,SiC基板約占總成本的五○%、磊晶片占二五%、元件晶圓製造環節占二○%,封裝測試環節占五%,尤其在SiC基板供不應求的情況下,儘管國際指標大廠Wolfspeed、Rohm、排名第三的貳陸(II-VI)等均大動作擴產,擴產規模仍追不上SiC終端市場需求增加的速度。
- GaN 射頻元件的主要應用市場在國防與 5G 基礎建設,因為 5G 需要多個天線提高信號品質,而每個天線都需專用的射頻前端晶片組,因此具有外型縮減,提高使用寬容性優勢的 GaN,即可在相同功率水準下使用數量較少的天線,並有望取代橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)。
- 鍺則是地殼中最分散的元素之一,其終端需求涉及高新技術產業,產品主要包括太陽能、紅外、探測器級鍺單晶和光纖級四氯化鍺。
- 氮化鎵GaN有著相較於傳統矽(Si)元件更高的工作頻率,矽元件的切換頻率極限約為65~95kHz,再高即會造成原件耗損與不必要的耗能。
- 根據市場調研機構IHS預估,2027年全球氮化鎵市場規模達45億美元,成長主要動能包含功率和射頻市場,目前氮化鎵功率元件最大的應用在手機、筆電快充電源、軍用,並推估2023年後汽車應用比重將快速提升。
- 金溢科技:7月以來漲幅15.78%,中報業績預告扭虧,中報預告淨利潤下限0.04億元,中報預告淨利潤同比下限113.38%。
晶電及隆達合併的富采投控,今年最大轉機在量產 Mini LED 產品,第 2 季可大幅成長。 由於蘋果支持,相關產品開始導入 Mini LED,讓富采生產的 Mini LED 全球市占率上看三成,足以吸引資金投資轉機題材。 此外,台積電子公司世界先進,在氮化鎵與碳化矽領域代工生產,已經布局 4 年,今年將可進入量產的前期商機。 台積電集團高階封裝廠精材,也投入氮化鎵射頻功率放大器的商機,今年也將進入量產階段。 根據工研院產科國際所統計,目前第一代半導體材料的市占率約九成,第二、三代合計約 10%。
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當今砷化鎵的終端應用主要有「2 大 1 小」共三個領域 — 射頻(RF)應用約 47%、發光二極體(LED )應用約 42%、激光二極體(LD)應用約佔 10%。 大陸商務部、海關總署3日宣布對鍺和鎵兩種半導體原材料實行出口管制,受到該消息影響,大陸A股4日開盤,有色鍺、鎵概念股集體走高,雲南鍺業、馳宏鋅鍺、羅平鋅電一字漲停;鋅業股份、有研新材、株冶集團、中國鋁業、藍曉科技、新湖中寶等集體高開。 LED磊晶生成大多係採用藍寶石基板或碳化矽基板做材料,但藍寶石基板與碳化矽基板成本較高,並且加工困難,導致以藍寶石基板和碳化矽基板生產的LED照明產品,尚無法普及。 台積電在節能減廢方面也不遺餘力,首創工業再生水回用半導體製程,亦致力以創新技術精進水汙染防治處理效能,為強化化學需氧量(COD)的削減能力,攜手供應商針對超重力旋轉床設備進行改造,將氣提技術應用於去除有機廢液COD中的化學物質異丙醇(IPA),有效提升削減率70%。 為鼓勵更多學子投入半導體產業,台積電釋出內部培訓資源,由新人訓練中心特別設計「半導體設備元件基礎」、「半導體機台基礎」2門課程,開放各校半導體學程學生選修。
氮化鎵概念股: 投資評價:
謝詠芬指出,這次補助將主要聚焦在高科技產品和製造、封裝、測試與系統等主題,並運用先進分析檢測技術的研究計畫,支持學術單位在創新元件、材料及創新構想的先期研究及開發。 氮化鎵GaN因目前因成本較傳統矽高許多,目前仍無法取代傳統、較便宜的矽(Si)元件,但未來的可能性及商機都不可小覷,財經專家也直接點名看好氮化鎵的前瞻性,讓許多國際大型上市科技公司都爭相跟進氮化鎵GaN市場。 碳化矽、氮化鎵等第三代半導體材料,儼然是目前投資舞台焦點,楊惠宇建議,可以留意相關供應鏈,例如中美晶(5483)集團、漢磊(3707)、嘉晶(3016)、合晶(6182)。 鍺則是地殼中最分散的元素之一,其終端需求涉及高新技術產業,產品主要包括太陽能、紅外、探測器級鍺單晶和光纖級四氯化鍺。 據美國地質調查局數據,全球鍺資源大陸佔比41%,美國佔比45%;全球鍺供給中,大陸佔比68%,俄羅斯佔比5%。
適合應用於5G基地台、加速快充以及電動車充電樁等相關產品領域,也是目前為止,技術已經足以應用商業化的產品。 第三代半導體具備耐高電壓、低阻抗與切換速度快等特性,適合應用在功率半導體、射頻開關元件等領域,快充成為進入消費市場的突破口,未來兩三年將步入快速成長階段,對於中小型晶圓代工業者說,將是下一波成長動能,題材發酵前,可伺機提早佈局相關概念股。 許豐祿指出,半導體上游長晶市占率世界第四的環球晶,2021 年斥資逾千億元公開收購德國世創(Siltronic)已經過關,未來市占率提升為世界第二;投入第三代半導體布局超過 4 年,4 吋半絕緣產品已小量量產,6 吋導電型產品應用於 IGBT(絕緣柵雙極電晶體)等領域以及氮化鎵產品,都進入量產階段。 環球晶結合下游相關公司,如宏捷科、強茂、朋程、台半、茂矽等公司,未來有可能成為世界第一的半導體上游長晶公司。 碳化矽概念股,是指將半導體產業的材料「碳化矽」的相關產品開發、設備製造、技術服務及業務銷售有相關的供應鏈公司股票,包括碳化矽各類應用的上游、中游、下游廠商合稱的一種股市術語,也是投資人用來挑選碳化矽相關個股的選股方式。 半導體材料第一代為矽(Si)等,第二代兩種以上元素組成的化合物半導體材料,以砷化鎵(GaAs)等為代表,第三代則是氮化鎵(GaN)等寬頻化合物半導體材料;因氮化鎵能在高溫、高電壓環境運作,主要優勢在於高頻率元件。
氮化鎵概念股: 拜登展開「投資美國」之旅,首站訪問 Wolfspeed
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嘉晶是台灣有能力量產 4 吋、6 吋碳化矽磊晶及 6 吋氮化鎵磊晶的公司,擁有磊晶相關專利技術,品質也獲得國際 IDM 大廠認可。 集團運用漢磊晶圓代工,據悉氮化鎵良率達九成以上,由於嘉晶集團投入第三代半導體的研發已經 10 年,2021 年有機會展現成果,讓嘉晶與漢磊今年將轉虧為盈。 台積電在半導體代工市場席捲全球,成為世界霸主,中國在第一代與第二代半導體布局嚴重落後,因此新「十四五規畫」預計將投資 10 兆元台幣,發展第 3 代半導體。 晶圓代工方面,台積電看好第三代半導體未來十年商機大開,鎖定快充、資料中心、太陽能電力轉換器、48V 直流電源轉換器、電動車轉換器、車載充電器等五大應用領域,旗下世界先進也積極布局 SiC 及 GaN 的代工生產今年將可進入量產的前期商機。 如同前文表格中所提到,SiC 的一大優勢在於它可以在極高壓的環境下持續運作,因此要在高壓、大電流的作業環境下使用電力推動的電動車、電動船等, SiC 技術就成為較有商業價值的運用。 許豐祿指出,半導體上游長晶市占率世界第 4 的環球晶,今年斥資逾千億元公開收購德國世創(Siltronic)已經過關,未來市占率提升為世界第 2;該公司投入第 3 代半導體布局超過 4 年,其中 4 吋半絕緣產品已小量量產,6 吋導電型產品應用於 IGBT(絕緣柵雙極電晶體)等領域以及氮化鎵產品,都進入量產階段。
氮化鎵概念股: 砷化鎵布局第三代半導體,機會在哪?
近期華爾街大咖們,紛紛喊出美股9月恐有修正風險,著實令不少投資人擔心若成真,台股是否也會跟著大修正。 氮化鎵概念股2023 萬寶投顧楊惠宇表示,美股9月有最大的兩個不確定因素,一是疫情及聯準會動態,其中疫情部份在歷經近兩年的和病毒共處後,疫苗覆蓋率增加下,影響己漸漸減少,輝瑞表示到明年將有充足疫苗給「所有想接種者」施打,甚至己有「口服藥」可能問世,相信人類將逐漸走出疫情陰霾,迎接燦爛陽光。 受到美國與中國大陸貿易戰、新冠疫情以及大陸自身經濟情勢的影響,二○一九年以來大陸各地台商協會透過海基會協助返台的「台流」... 距「摘牌」大限剩下不足一個月,「恒大系」中最關鍵的成員、已停牌超五百天的港股上市公司中國恒大,廿五日在港交所公告已申請自... 新訓中心同時針對值班業務強化溝通流程與技能培訓,培養新進員工獨立思考與自主學習能力,進而熟悉企業核心價值,加速融入公司文化。 (中央社記者張建中新竹31日電)台積電成立新人訓練中心,協助新進員工快速掌握半導體基礎知識與技能,獨立作業時間有效縮短10%,已累計培育超過1萬名生力軍。
以六吋晶圓來說,SiC 的價格就大約是 Si 的 50 倍, 其中長晶、切割、研磨的基板占 SiC 功率元件成本高達 50%,其餘的磊晶占 25%、製造占 20%、後段封測占 5%,因此掌握基板供應量成為發展關鍵,而整合元件製造(IDM)廠由於投入時間較早,發展比代工廠更具優勢。 根據市場調研機構 Yole Développement 的資料顯示,SiC 功率元件在 2019 年的全球市場規模約 5.47 億美元,預估到 2025 年全球市場規模可達 25.62 億美元,年複合成長率高達 30%,最大的應用在電動車逆變器、轉換器、充電樁,以及太陽能與能源儲存終端應用。 第三代半導體將取代部分第一代和第二代半導體需求,如電源晶片針對不同功率與應用,低功率持續使用 Si 製作,高功率體積小使用 SiC;射頻晶片則針對不同功率與應用,部分繼續使用 GaAs 製作,而高頻率尺寸小則可採用 GaN。 第三代半導體發展超過 30 年,因為具有耐高電壓、高電流的特性,相比第一代半導體的矽(Si)、鍺(Ge),以及第二代半導體的砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP),第三代半導體的碳化矽(SiC)及氮化鎵(GaN)更適合用來發展電動車、5G、綠能等終端應用。 身為碳化矽概念股投資人的我們,除了關注碳化矽相關產業鏈的總體經濟、半導體材料的未來發展和國家相關政策以外,碳化矽概念股本身的公司體質與營運表現也要一併考慮進去。 投資碳化矽概念股的邏輯很容易理解,只要是跟「半導體材料-碳化矽」有直接或間接相關的公司,這些公司的股價和營運表現通常會跟「半導體產業發展」有一定關聯。
氮化鎵概念股: 全球GaN市場規模2027年估達45億美元
此外,穩懋、宏捷科,在第 2 代半導體材料砷化鎵代工領域業務逐年提升中,目前也積極投入第 3 代半導體事業的布局;在本業穩健向上,再加上夢想題材發酵,股價也有機會轉強向上。 國際氮化鎵元件供應商除 Cree 和 ROHM 等外,主要集中在上游 IC 設計及 IDM 廠,可歸類為三五族公司,如 Skyworks、Qorvo、Broadcom、MURATA,以及生產設計功率元件公司如英飛凌、STM、NXP、TI 等。 身為氮化鎵概念股投資人的我們,除了關注半導體相關產業的總體經濟、半導體材料的未來發展和國家政策以外,概念股本身的公司體質、財報與營運表現也要一併考慮進去。 投資氮化鎵概念股的邏輯很容易理解,只要牽涉到「第三代半導體 ─ 氮化鎵(GaN)」,其中有直接或者間接關係的企業,這些公司的股價和營運表現通常會跟「氮化鎵(GaN)半導體的材料需求」有一定關聯性。 第三代半導體相較於第一代(矽Si、鍺Ge)與第二代(砷化鎵GsAs、磷化銦InP),具有高功率、高電子傳導以及耐高溫、高壓、高頻等特性。
氮化鎵概念股: 砷化鎵基板概念股股票行情
說到第三代半導體在通訊領域的應用,最著名的就是高通(Qualcomm, QCOM-US)於 2013 年所提出的「RF 360 」新技術 — 當時市場稱之為「劃時代的發明」,並指出這可能是世界上其他製造商的「End Game」。 不過後來的故事可能有些投資朋友也不陌生了 —— 高通生產的矽晶片散熱效果非常不理想,整個晶片在運作時的高溫讓其根本沒辦法應用於手機,最後整個計畫宣告失敗,高通也回頭向原來的供應商進貨。 第三代半導體目前最熱門的應用是利用 Gan 氮化鎵 製造的電源轉換器(簡稱 Power GaN),市場上也有人白話地稱之為「氮化鎵充電器」。 在第三代半導體技術發展之前,要製造類似的產品,重要原料之一的碳化矽基板是個頭痛的問題 — 一片 6 寸寬的圓形碳化矽基板,就要台幣 8 萬塊,這使得很多廠商認為這項產品無利可圖,因此沒有很多人願意做這門生意。 了解了半導體與其運作原理後,接下來我們趕緊來認識一下今天的主軸 —— 第三代半導體。