意法半導體先進的量產碳化矽STPOWER SiC目前由義大利卡塔尼亞和新加坡宏茂橋兩家6吋晶圓廠完成前段製程製造，後段製程製造則在中國深圳和摩洛哥布斯庫拉的兩家封測廠進行。 本研究使用次多孔性碳材(如石墨毯)以及矽晶片(Si 碳化矽長晶2023 wafer)，利用碳熱還原法合成碳化矽原料。 首先將多孔性碳材及石墨坩堝進行高溫純化，以避免碳化矽原料於高溫合成時產生汙染，並將去除晶片表面的雜質，接著將多孔性碳材與矽晶片採特殊的填料方式，置入石墨坩堝中，在將坩堝放入合成爐中完成碳化矽原料合成。 也可於原料合成時摻雜n型(如：氮、磷、砷、銻)或p型(如：鋁、硼、釩、鈧、鐵、鈷、鎳、鈦)，製備不同電性的碳化矽原料。 據了解，目前全球碳化矽由美日廠商寡占，其中的關鍵因素之一為美日廠掌握基板料源，而基板的生產中，又以長晶難度最高，以傳統的矽材來說，通常費時約3-4天即可以長出約 cm的晶棒，但以目前碳化矽，可能要2個禮拜才能長出可能不到10公分長度，所以在產出上非常的受限。 投資碳化矽概念股的邏輯很容易理解，只要是跟「半導體材料-碳化矽」有直接或間接相關的公司，這些公司的股價和營運表現通常會跟「半導體產業發展」有一定關聯。
不過，由於台灣在矽的製造、封測製程上，原本就擁有高度的技術含量，長久來看仍可借重矽微影、薄膜、蝕刻等製程生產製造流程的基礎，以解決材料挑戰。 相比於第1類半導體「矽製程」的製造與封裝，動輒需要整合30～40層材料，國立陽明交通大學國際半導體產業學院院長張翼認為，第3類半導體僅需10～20層，難度應該屬於中等。 陳佐銘補充，IC設計過程中，需要考量材料品質而調整設計，若只是將設計做得很理想，但後端製程做不到設計要求也是徒勞。
碳化矽長晶: 功率元件用碳化矽基板簡介
具有類似鑽石的閃鋅礦晶體結構的β-碳化矽(β-SiC)則是在低於1700°C的條件下形成的。 [26]β-碳化矽因其相較α-碳化矽擁有更高的比表面積，所以可用於非均相催化劑的負載體。 《今周刊》是台灣最具影響力的財經媒體，2018、2019年蟬聯金鼎獎「最佳財經時事雜誌」、屢獲亞洲卓越新聞獎（SOPA）等大獎肯定。 但莊淵棋也坦言，化合物半導體與矽基半導體差異甚大，「需要很長的學習曲線，不是廠商不願意做，而是不知道怎麼做。」對台廠而言，向學界取經是最快的一條路徑。
由於台灣缺少本土汽車、通訊設備等品牌供應鏈，難以打入國外封閉的系統，有功率元件業者就私下表示，其實公司相關產品早已經開發完成，但迄今沒有外商願意採用。 雖然受限成本與技術門檻較高、產品良率不高等因素，使碳化矽晶圓短期內難普及，但隨著既有廠商與新進者相繼擴增產能佈局，且在電動車、5G 等需求持續驅動下，可望加速碳化矽晶圓產業發展。 另一家國內矽晶圓廠合晶 (6182-TW) 也持續關注碳化矽或氮化鎵產品，並評估進行策略合作，未來可能與其他廠商結盟。 韓國唯一的半導體矽晶圓廠 SK Siltron，也呼應韓國政府近來推動的材料技術自主化政策，今年 2 月底收購美國化學大廠杜邦 (DuPont) 的碳化矽晶圓事業，積極切入次世代半導體晶圓技術。 整體而言，元富投顧表示，第三代半導體潛在市場具想像空間，但發展關鍵在碳化矽基板，短期最大困難在於成本太高，限制滲透速度，而且碳化矽長晶僅能透過試誤法增加良率，所以需要投入大量資金發展，短中期以碳化矽較具潛力，長期則是看好成本降低後商機爆發。 環球晶布局第三代半導體超過4年，今年斥資逾千億元公開收購德國世創（Siltronic），預計下半年合併完成後，有望成為全球矽晶圓第2大供應商，並與美國長晶設備廠GTAT合作， 把以往製作太陽能矽晶圓爐，改裝成SiC長晶，並成功進入6吋產品階段。
碳化矽長晶: 全球最大對沖基金六大指標看美股泡沫化
而CVT法還需要多晶的碳化矽粉做昇華的原料，這多晶粉體除了要有純度、雜質控制、粒徑等的要求外，還要注意其結晶相選擇。 2.高溫化學氣象沉積法（HTCVD）：把高純度的氣相矽源與碳源，通入高溫爐中進行反應，再將反應物帶入低溫區，再沿著碳化矽單晶晶種長成單晶塊。 此外，SiC 功率元件成本架構，也是以包含長晶、切割、研磨的基板占最大比重，高達 50%。 第三代半導體是以SiC及氮化鎵（GaN）為主要材料，有別於第一代半導體以矽（Si）、鍺（Ge）為主要材料，及第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、鋁砷化鎵（AlGaAs）為主要材料。
Marketsandmarkets預估，SiC應用市場的年複合成長率高達19%，2025年市場將達到18億美元。 然而目前SiC長晶與晶圓薄化(切割、研磨、拋光)效率緩慢，使得目前製作成本居高不下，是SiC產業最關鍵的挑戰之一。 因此本文透過觀察國際SiC晶圓領導廠商的動態與佈局，以及檢視產學研界於長晶、切割、研磨、拋光技術發展，為國內欲投入SiC晶圓生產設備的廠商提供技術趨勢與建議。 太極(4934)子公司第三代半導體廠盛新材料，宣布已具4~6吋N型及SI型碳化矽(SiC)晶體技術，其中4吋SI型基板已開始進入量產，目前擁有16台長晶爐，其中1台和集團母公司廣運(6125)共同研發成功的長晶爐，有效產量400片/月。 【時報-台北電】太極能源（4934）旗下盛新材料科技報喜，開發第三代半導體碳化矽技術有成，4吋半絕緣碳化矽已有台灣、日本、美國客戶正在進行驗證，若順利驗證完成，預計年底即將進入量產階段。 碳化矽長晶2023 此外，盛新已掌握6吋晶錠從熱場模擬、材料、製程的擴晶技術，未來將直接切入6吋碳化矽基板。
碳化矽長晶: 碳化矽概念股
富采也積極發展第三代半導體的業務，近期獲得台積電認證「氮化鎵快充」製程外包廠。 此外，台積電子公司世界先進，在氮化鎵與碳化矽領域代工生產，已經布局 4 碳化矽長晶2023 年，今年將可進入量產的前期商機。 台積電集團高階封裝廠精材，也投入氮化鎵射頻功率放大器的商機，今年也將進入量產階段。
以 SiC MOSFET 取代目前的 Si IGBT，不僅能使切換損失降低 80% 以上，大幅縮減電力移轉時的能源損耗，同時也可讓晶片模組尺寸微縮至原本的 1/10，此將有助於電動車之性能提升，達到延長續航里程及縮短充電時間的功效。 市調機構 Yole Developpement 預估，到 2025 年時，電動車與充電樁應用領域的 SiC 市場規模將達到 17.78 億美元，約佔總體 SiC 應用市場的 70% 左右。 根據工研院產科國際所統計，目前第一代半導體材料的市占率約九成，第二、三代合計約 10%。 化合物功率半導體（即第二、三代半導體）2020 年市場規模約 298 億美元，但 2025 年成長到 361.7 億美元，2030 年更可上看 435 億美元，成長潛力大。 中山晶體研究中心在科技部自然司物理學門支持及教育部高教深耕計畫經費挹注下，已克服技術難關，從生長晶體的「長晶爐」到長晶技術，全部自行設計研發，關鍵技術不倚賴國外廠商。
碳化矽長晶: 碳化矽的市場前景 - 2025年成長五倍到25億美金
台積電在半導體代工市場席捲全球，成為世界霸主，中國在第一代與第二代半導體布局嚴重落後，因此新「十四五規畫」預計將投資 10 兆元台幣，發展第 3 代半導體。 全球對第三代半導體的投資掀起熱潮，相關公司股價表現熱絡，成為半導體投資的新星。 晶體中心將與2家大型上市公司攜手開發高純度碳化矽粉末、坩堝及隔熱材料等上游原物料，中心負責開發碳化矽晶體生長技術及長晶設備，中山大學技術移轉的設備公司負責碳化矽晶體的生長及切磨拋，三方將朝成立碳化矽晶體生長公司的目標邁進。 碳化矽（英語：silicon carbide，carborundum），化學式SiC，俗稱金剛砂，寶石名稱鑽髓，為矽與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化矽在大自然以莫桑石這種稀有的礦物的形式存在。 將碳化矽粉末燒結可得到堅硬的陶瓷狀碳化矽顆粒，並可將之用於諸如汽車剎車片、離合器和防彈背心等需要高耐用度的材料中，在諸如發光二極管、早期的無線電探測器之類的電子器件製造中也有使用。 整體而言，元富投顧表示，第三代半導體潛在市場具想像空間，但發展關鍵在 SiC 基板，短期最大困難在於成本太高，限制滲透速度，而且 SiC 長晶僅能透過試誤法增加良率，所以需要投入大量資金發展，短中期以 SiC 較具潛力，長期則是看好成本降低後商機爆發。
GTAT 為太陽能、電力電子和光學電子等專業生產先進材料，並提供創新晶體生長設備與技術，為目前全球少數生產碳化矽原料的廠商之一。 為確保取得長期穩定的碳化矽晶球供應，環球晶 2019 年就與 GTAT 簽訂長約。 徐建華表示，由於化合物半導體跟消費性需求不同，主要在電動車、綠能等領域，漢磊及轉投資嘉晶在氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）等第三代化合物半導體目前產能滿載及供不應求，並無反轉疑慮，且未來擴產進度不變。
碳化矽長晶: 全球 GaN 市場規模 2027 估達 45 億美元
此外，碳化矽的長晶過程非常高溫，以傳統的矽可能溫度在1500度，但碳化矽的溫度可能會高達2500度，所以在長晶的過程中難度更高，也無法即時觀察晶體的生長狀況，需要控制的因素也更複雜，也有可能在2週的長晶過程後，最後發現晶棒沒長好而報銷，造成良率不佳。 對於市場擔心半導體的市況，徐秀蘭表示，從環球晶5月營收再創新高來看，終端需求仍強勁。 碳化矽長晶 以產能來看，目前只有一個小尺寸廠沒有滿載，其他廠都產能滿載，尤其是12吋的產能，終端需求相當暢旺。 碳化矽的長晶完全是在「黑盒子中」製造，因為生產製造的過程中需要維持在高溫（大於2100℃）環境下運作，且須保持低壓、長時間穩定的狀態，這也意味著做出來的品質、成果會在最後一刻才揭曉答案。
盛新除先買15台長晶爐研發量產技術，也向中山科學研究院技轉專利並投入改良，研發自有長晶爐技術，目前已掌握晶種（長晶材料）、4及6吋長晶爐自製能力，今年7月起又取得國家「化合物半導體設備發展推動計畫」科專補助，投入8吋長晶爐研發。 碳化矽長晶 首先是全球碳化矽基板掌握在少數幾家歐美IDM大廠手中，且由於基板（長晶跟切拋）佔元件總成本高達50%，隨高功率應用如電動車、太陽能電廠需求放大，碳化矽基板供不應求，也讓「得基板者得天下」成為圈內共識，鴻海投資碳化矽基板業者，等於拿到穩定供應源。 楊瑞臨指出，高功率應用方面，第三代半導體具備寬能隙、耐高溫和高功率密度等特性；在高頻應用方面，具備低能耗和散熱佳等特性。
碳化矽長晶: 全球GaN市場規模2027年估達45億美元
另台灣第三代半導體要角環球晶（6488），則同步耕耘碳化矽和氮化鎵，環球晶董事長徐秀蘭先前表示，氧化鎵在研發階段（RD level）；環球晶把握自己的優勢，將公司定位在材料供應商，並不做到元件端，並且將投入長晶爐自製，預計需2年時間開發。 以氮化鎵來說，因可大幅節省能耗、空間，戴爾、小米等消費電子產品廠商紛將其採用在快充頭上，據傳蘋果也將導入在快充設備上。 除了充電器，在碳化矽基板上長氮化鎵的技術（GaN-On-SiC），更能應用在光達、基地台甚至衛星通訊等高階應用，雷達系統公司創未來科技董事長王毓駒指出，因為高功率、低能耗的特性，因此創未來的雷達裡，已經有導入氮化鎵晶片的方案。
儲祥生補充，台廠發展磊晶的有環球晶、嘉晶、全新、英特磊，而晶圓代工廠商有台積電、世界先進、穩懋、宏捷科、茂矽、漢磊、晶成半導體，其中相關概念股又包括晶成半導體大股東富采和環宇-KY，並強調台廠發展第三代半導體，目前仍有難度需要克服，因此發酵需要再等一段時間。 隨著5G、電動車的發展，中國十四五規畫投入10兆元人民幣發展「第三代半導體」，而台廠也挾帶著半導體產業鏈優勢，引領相關概念股脫穎而出，鴻海董事長劉揚偉更是高喊要打造第三代半導體成為台灣下一個護國神山，連台積電都看好未來10年前景大開，顯見背後龐大的市場商機。 目前台灣在碳化矽的全球供應鏈占比約7.8%，散佈在不同領域內，而主流的一線大廠如Wolfspeed已是開發30年的市場領先者，且前五大廠都是以垂直一貫的IDM方式來營運，為了迎頭追趕，環球晶在長晶爐的開發則直接切8吋市場，且具有定位的優勢，不會有與客戶競爭的問題。
碳化矽長晶: 科技大廠紛插旗卡位 台積手握客戶、穩懋擴廠
碳化矽屬於多型體 (polytype) 的材料，目前已知晶體結構多達 100 種以上，而不同晶體擁有不同的性質。 目前最為人所知且大量用於半導體產業的有 3C-SiC、4H-SiC 及 6H-SiC，3C-SiC 或稱 β-SiC 是碳化矽當中唯一的立方晶體結構 (cubic crystal structure)，若為非立方晶體結構之晶相，一般通稱 α-SiC。 4H-SiC 及 6H-SiC 則為多型體已知的晶體中，唯二的六角晶體結構 (Hexagonal crystal structure) [17]。 界定成品含有之晶相方能適時掌控材料基礎特性，一般多利用 XRD 進行 3C-SiC、4H-SiC 及 6H-SiC 三種碳化矽材料的粉末與晶圓晶相分析，以確認晶圓結晶方向、缺陷等。
- 另外也以碳化矽長晶和晶圓加工生產的中砂(1560)轉投資的穩晟，目前已進入上櫃輔導的程序但仍未IPO，也是切入4-6吋的碳化矽晶體，同時目標開發大尺吋的碳化矽長晶以及晶圓加工技術。
- 電動車、5G 基建帶動功率元件需求，第三代半導體具重要地位，中國、美國等主要國家紛紛政策推動，國內外企業也爭相投入。
- 真空開關閥對應穿孔設於底盤，真空開關閥內部與穿孔連通形成一空間，真空開關閥控制空間為一真空狀態或一大氣狀態，用以吸附或釋放一晶圓。
- 工研院產科國際所研究總監鄭華琦指出，第二、三代半導體材料為化合物半導體，重要特性為寬能隙（Wide band gap），比傳統半導體材料矽要寬很多，因此有耐高電壓、高電流的特性，可因應電動車、綠能、5G 基站、雷達及快充等終端應用趨勢。
- 可以建立一個安全便宜的產氫模式，加速燃料電池進程，以及成為第三代半導體高純度碳化矽粉末的原料。
太極在越南廠區建置上看850MW的太陽能電池產線，為因應這次市場的變化，全數產能已投入生產，以滿足客戶龐大的需求，同時也正積極評估各種可在短期內擴充產能的策略，以緩解目前供不應求的緊張狀況。 目前，盛新為了開發新產品，將部分機台挪做研發，因此碳化矽導電型晶圓實際月產能約200片，如果火力全開，月產能可以到400片。 「現在光是應付認證需求，機台就已經不太夠。」謝明凱預估，在2022年底，機台總數可以達到60多台，都會是4、6、8吋通用，月產能可達2,000片。 整體策略上，盛新半絕緣、導電型產品會並進，因為電動車日後也會需要搭配通訊才能發展車聯網。
碳化矽長晶: 基板（Substrate）：在黑盒子中製造長晶，難度最高
此外，業者表示，在安森美入主後，將可投入更多資源與資金，有利 GTAT 提升研發能力與財務結構，加速碳化矽相關產品發展。 在二十世紀80至90年代，幾個歐洲、日本和美國的高溫燃氣渦輪機研究項目對碳化矽做了研究，項目的目標均打算以碳化矽代替鎳高溫合金製造渦輪機葉片或噴嘴葉片。 此外，結合母集團廣運(6125)共同研發的碳化矽(SiC)長晶爐，也已開發完成，除可有效降低設備投資金額以外，也可達到保護營業機密和快速量產的目標。 目前第3代半導體還是由歐美IDM（整合元件製造）廠壟斷，但隨著各家業者大舉投入第3代半導體，以及電動車、軍工航太、資料中心、基地台等新興應用起飛，台廠莫不期待能在其中扮演一定的供應角色。 但依矽的基板發展經驗，剛開始的時候也都是廠商自行打造長晶爐，如日系矽晶圓大廠，要等市場成熟才會走向分工化，現在都可以找到專門做長晶爐設備的公司買。 「製作難度上來說，半絕緣型難度較高、市場價格也比較貴。」不過謝明凱認為，跟車載用的導電型相比，市場成長速度較慢，因此現在投入較多資源在研發導電型產品；由於碳化矽導電型成分中含有「氮」，空氣中的成分中也有氮，製作過程要排除環境影響，因此難度也不低。
另一方面，業者指出，安森美也是環球晶長期客戶之一，雙方合作關係密切；且 GTAT 主要業務為長晶，環球晶則是做基板、未來也將做到磊晶，雙方可進一步強化供應關係。 1982年由氧化鋁和碳化矽須晶構成的超強複合材料問世，經過隨後三年的發展這種複合材料走出實驗室成為商品。 1985年先進複合材料公司和Greenleaf公司推出了新的商品化切割工具，工具就是由氧化鋁和碳化矽須晶組成的加強型複合材料所製造的。
碳化矽長晶: 主要產品型態
目前市場上的 GaN 功率元件以 GaN-on-SiC（碳化矽基氮化鎵）及 GaN-on-Si（矽基氮化鎵）兩種進行製造，其中 GaN-on-SiC 具有散熱優勢，相當適合應用在高溫、高頻的操作環境，因此以 5G 基地台的應用能見度最高，並隨著 5G 走向高頻發展，進入高速成長期。 第三代半導體碳化矽(SiC)通常分導電型(N型，多應用於電動車等功率元件)與半絕緣型(SI型，多應用於5G通訊等功率放大器)，碳化矽(SiC)基板進入量產前，須經過三階段測試驗證程序，通常為期一年時間，第一階段為送樣測試；第二階段為試產；第三階段則進入每月百片以上量產規模測試。 目前市場上的氮化鎵功率元件以GaN-on-SiC（碳化矽基氮化鎵）及GaN-on-Si（矽基氮化鎵）2種進行製造，其中GaN-on-SiC具有散熱優勢，相當適合應用在高溫、高頻的操作環境，因此以5G基地台的應用能見度最高，並隨著5G走向高頻發展，進入高速成長期。 透過科技部計畫支持，我們已經發展與改質綠色奈米矽粉，成為可以成為台灣於未來綠色能源產業的上游關鍵性材料。 可以建立一個安全便宜的產氫模式，加速燃料電池進程，以及成為第三代半導體高純度碳化矽粉末的原料。
如圖十二所示，當在 HEBM 作用下達到一定的時間，產生燃燒合成同時導致溫度急遽上升至 1750K，並開始產生碳化矽粉。 如圖十三所示，在 HEBM 的作用下，可以在短時間產生碳化矽粉末，且當作用時間愈久，殘餘的矽粉及碳粉更加容易進行更完全的反應，這樣的製程也不須將環境溫度升至反應溫度。 然而，此方式利用鋯珠產生之碰撞力點燃反應，在製造的過程中易摻入雜質；除此之外，此製程僅適用於小量製造，並不適合大量生產。
碳化矽長晶: 市場動態
環球晶已發展4吋與6吋的碳化矽晶圓產品，8吋產品也正在開發中，去年底6吋碳化矽晶圓月產能約5,000片，預計今年底擴充至上萬片。 磊晶方面，嘉晶布局第三代半導體研發超過 10 年，擁有磊晶相關專利技術，並具有量產 4 吋、6 吋 SiC 磊晶及 6 吋 GaN 磊晶的能力，而環球晶已與客戶陸續簽訂長約， 看好 SiC 需求較預期強勁，基板已小量出貨，明年上半年將進一步擴展至磊晶。 環球晶布局第三代半導體超過 4 年，今年斥資逾千億元公開收購德國世創（Siltronic），預計下半年合併完成後，有望成為全球矽晶圓第二大供應商，並與美國長晶設備廠 GTAT 合作， 把以往製作太陽能矽晶圓爐，改裝成 SiC 長晶，並成功進入 6 吋產品階段。 隨著 5G 、電動車的發展，中國十四五規畫投入 10 兆人民幣發展「第三代半導體」，而台廠也挾帶著半導體產業鏈優勢，引領相關概念股脫穎而出，鴻海董事長劉揚偉更是高喊要打造第三代半導體成為台灣下一個護國神山，連台積電都看好未來十年前景大開，顯見背後龐大的市場商機。 太極指出，碳化矽基板通常分為導電型 (N 型) 與半絕緣型 (SI 型)，前、後者分別用於電動車功率元件、5G 通訊功率放大器，盛新則具備 4-6 吋 N 型及 SI 型碳化矽晶體技術，目前 4 吋 SI 型基板已具備量產能力。
- 目前主流的碳化矽基板為6吋（150mm），而意法半導體（ST）率先於2021年8月宣布，在瑞典Norrköping工廠製造出全球首批量產8吋（200mm）碳化矽基板。
- 在二十世紀80至90年代，幾個歐洲、日本和美國的高溫燃氣渦輪機研究項目對碳化矽做了研究，項目的目標均打算以碳化矽代替鎳高溫合金製造渦輪機葉片或噴嘴葉片。
- 徐建華在報告書中指出，漢磊去年營運轉型成功，全年度轉虧為盈，今年將在此基礎上持續強化營運效率及導入高附加價值產品線，投資重點鎖定在進入爆發成長的第三代半導體。
- 第三代半導體將取代部分第一代和第二代半導體需求，如電源晶片針對不同功率與應用，低功率持續使用 Si 製作，高功率體積小使用 SiC；射頻晶片則針對不同功率與應用，部分繼續使用 GaAs 製作，而高頻率尺寸小則可採用 GaN。
- 太極能源持股55.4％的子公司盛新材料是碳化矽長晶專業製造商，因握有第三代半導體材料6吋半絕緣型及6吋導電N型兩種長晶技術，擁多項項專利保護，以及美中之外第三地供應鏈的優勢。
- 不管是CVT或是HTCVD或是LPE，都需要碳化矽單晶晶種，這單晶晶種對純度與雜質控制等有一定的要求。
磊晶方面，嘉晶布局第三代半導體研發超過10年，擁有磊晶相關專利技術，並具有量產4吋、6吋碳化矽磊晶及6吋氮化鎵磊晶的能力，而環球晶已與客戶陸續簽訂長約， 看好碳化矽需求較預期強勁，基板已小量出貨，明年上半年將進一步擴展至磊晶。 氮化鎵射頻元件的主要應用市場在國防與5G基礎建設，因為5G需要多個天線提高信號品質，而每個天線都需專用的射頻前端晶片組，因此具有外型縮減，提高使用寬容性優勢的氮化鎵，即可在相同功率水準下使用數量較少的天線，並有望取代橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）。 能夠成功克服高難度技術，除了太極能源過去在生產太陽能設備時，已經具備半導體研發經驗之外，廣運機械的設備支援也發揮關鍵角色。 謝明凱表示，廣運成功自製碳化矽長晶爐，擁有加熱系統功率穩定、創新的石英管，以及坩堝升降機構，避免皮帶張力產生的問題等特色。 除了晶圓能滿足嚴格的品質標準之外，意法半導體指出，升級到8吋SiC晶圓還需要對製造設備和支援生態系統的升級。 目前第3類半導體強者大多集中於歐美兩地，源自於地方產業的帶動所致，如汽車、工業，對於功率元件需求龐大，讓第3類半導體有發展舞台。
