Wolfspeed（前身為CREE），2018年收購英飛凌射頻功率業務，2019年起擴大SiC（碳化矽）及GaN（氮化鎵）產能，奠定第三代半導體龍頭地位。 目前SiC基板全球市占率約六成、SiC晶片市占率45％，用於國防、車用、基地台與儲能，因電動車市場才剛起飛，需求強勁，推升Wolfspeed股價大漲，10月4日重新掛牌，股價已大漲77％。 也因此，除了第三代半導體材料供應鏈之外，特用化學材料概念股表現也很令人驚豔。 楊惠宇舉例，前一波的飆股代表為中華化及永光，中華化是生產電子級硫酸，康普旗下的恆誼化工亦生產相同產品，屬於電動車領域；至於永光則是碳化矽(SiC)基板製程當中的拋光液，為第三代半導體，台廠特用化學因產業偏冷，所以族群性不大，具備股本小、籌碼輕的小奇兵特色。 太陽能廠商太極透過轉投資子公司盛新材料，發展碳化矽基板技術，太極持股盛新55%，廣運持股8.6%，其他持股主要是公司團隊，技術來自中科院技轉，認證需三個階段，目前到第二階段，客戶給小量單，所以4吋基板有小量產。
卓傳育強調，SEMI E187 第三代半導體材料 標準的誕生最關鍵的是各家廠商的資安意識抬頭，加上認同與行動支持，過去匯集聯電、日月光、力積電、台灣應材、南亞科、台達電、四零四科技、全景、神盾等34家產業代表及學界教授，歷時三年於2022年正式發布，成為少數由臺灣主導制定的國際標準。 展望未來，工研院也將持續建立標準落實示範案例，訂定驗證標準、推動認證機制，期望帶動更多產業投入供應鏈資安議題的重視，如面板、印刷電路板產業、電子零組件等，促進臺灣資安產業的全球商機，成為國際供應鏈可信賴合作夥伴。 既有車用零組件業者擁有「市場」經驗優勢，工研院整合「技術」與「人才」，政府結合民間共同投入種子「研發資金」拋磚引玉，可望帶來車用動力電子新產業的投資。 「南方雨林」已在南部與某汽車零組件大廠簽訂合作備忘錄，擬共同開發化合物半導體與車用動力電子技術。 目前，坊間所稱的第二代半導體，指的是砷化鎵、磷化銦這兩種半導體材料，「這是 1980 年代發展出來的技術。」拓墣產業研究院分析師王尊民說，現在所稱的第三代半導體，指的是氮化鎵（GaN）和碳化矽（SiC）這兩種材料，「這是 第三代半導體材料 2000 年之後才開始投入市場的新技術」。
第三代半導體材料: 電動車系列3》綠色製程抬頭 第三代半導體黑馬股出列
公司表示，今年度訂單已陸續談妥，配合新的絲束、醋片產能已完成擴增，成長動能可望延續到明年，樂觀期待今年全年營運成果。 在庫存堆到「快滿出來」的情況下，傳出台灣「非常有份量」的晶圓代工廠大廠希望日系矽晶圓供應商不僅要同意今年部份長約繼續延後出貨之外，明年還要進一步讓價，但目前還沒有矽晶圓業者鬆口答應。 第一個應用，是將氮化鎵材料用來製作5G、高頻通訊的材料（簡稱RF GaN） 。 過去20年，許多人想用成熟的矽製程，做出可以用在5G高頻通訊上的零組件。 儘管氮化鎵市場已開，不過氮化鎵是需要人工合成的材料，在製作難度上也較傳統的矽高非常多，因此價格仍會比普通矽元件充電器高。 自1993年，氮化鎵大量使用在科技產業，日亞化學工業的中村修二成功透過氮化鎵製作出藍色LED，終於湊齊LED光三原色的最後一色。
由於蘋果支持，相關產品開始導入 Mini LED，讓富采生產的 Mini LED 全球市占率上看 3 成，足以吸引資金投資轉機題材。 第三代半導體材料2023 富采也積極發展第 3 代半導體的業務，近期獲得台積電認證「氮化鎵快充」製程外包廠。 漢民集團則是最早布局化合物半導體的公司，在結束瀚薪之前，漢民從車用化合物半導體晶片設計（瀚薪），基板和磊晶技術（嘉晶），到代工製造（漢磊），體系十分完整。 漢磊也是台灣少數同時能製造氮化鎵和碳化矽晶片的公司，也因此，瀚薪的解散更讓人覺得不尋常。
第三代半導體材料: 台積電、中美晶、漢民 主要逐鹿者
目前，國內已經開發出了6英寸導電性SiC襯底和高純半絕緣SiC襯底，山東天嶽公司、北京天科合達公司和河北同光晶體公司分別與山東大學、中科院物理所和中科院半導體所進行技術合作與轉化，在SiC單晶襯底技術上形成自主技術體系。 國內目前已實現4英寸襯底的量產；同時山東天嶽、天科合達、河北同光、中科節能均已完成6英寸襯底的研發；中電科裝備已成功研製出6英寸半絕緣襯底。 根據YoleDéveloppement的資料，2018年全球SiC器件市場規模為4。
至於有國外廠商在第三代半導體上已走向 8 寸晶圓，是否會影響台灣業者？ 對此，施韋認為，確實有此情況，但實際上這些 8 寸晶圓量產良率還是未知數。 所以對於晶成而言，首要任務是先將 6 寸晶圓做穩、做好，不宜太冒進；當然，晶成一定也會投入 8 寸晶圓研究，不過未來幾年主流應還是 6 寸晶圓。 施韋進一步說明，當然，GaN 做到 700V、800V 以上也不是問題，只不過如同前面所說，高功率市場已有許多國際大廠進駐，不是那麼容易打進；同時，高功率市場的技術門檻高，對產品可靠度驗證要求也十分嚴格，必須投入相當大的資源。
第三代半導體材料: 〈財經週報-第三代半導體〉工研院電光所所長吳志毅︰上游材料是關鍵 台灣可先從代工、封測布局
使用機器為MSI Prestige 15，使用PA-B5，實測出高達接近峰值97W的數據，在補充電力的表現相當快速且電流非常穩定。 Kevlar與編織線材在使用壽命與強度上會比原廠的TPU材質優秀，想要一條品質好、耐用、美觀的傳輸線，這四款線材都是值得添購的好產品。 Kevlar纖維是美國杜邦公司於1995推出，由美籍波蘭裔科學家Stephanie Louise Kwolek發明。
國際各大廠科銳（Cree）、英飛凌（Infineon），以及羅姆（ROHM）已進入量產碳化矽的階段。 過去 3 年來，碳化矽、氮化鎵等化合物成本，已下降 20% 至 25%，將有利於終端產品導入第三代半導體的比率逐漸增加。 第三代半導體雖然發展已經有一段時間，不過，其實今年以來，才逐漸開始廣為人知，尤其是中國在今年發布的「145 規畫」（第 14 個 5 年規畫），將第三代半導體納入其中，再度引起市場對第三代半導體的關注。
第三代半導體材料: 相關
3 月 第三代半導體材料2023 1 日，野村證券發表題為「A GaN Changer」的產業報告，認為未來 2~3 年，第三代半導體將重塑全球消費性電源市場，取代用矽製作的 IGBT 電源管理晶片。 野村證券報告預估，2023 年，這個市場產值每年將以六成以上速度成長。 張翼也認為，第三代半導體能源轉換效率能達到 95% 以上，一旦被大幅採用，「台灣能省下一座核能電廠的電」。
氮化鎵是目前最熱門的新興半導體材料，其中一項特點是高功率密度，可以將充電器的體積大幅縮小，與原廠相較最多縮小65%。 PA-B7採用氮化鎵充電器市場上少見的雙Type-C及雙Type-A輸出配置。 第三代半導體材料2023 兩個Type-C都可以支援100W最高功率，雙Type-A則都支援12W輸出。 PA-B7適合固定在辦公室或家中使用，除了可以透過Type-C為高效能筆電充電外，也能用Type-A給足12W讓大多手機及行動產品補充電力。 首先是天岳先進背後的重要投資人華為，華為早在2019年就透過旗下投資機構哈勃入股天岳先進，看好其在第三代半導體行業的潛力，最終也將這家大陸碳化矽龍頭廠商送入次級市場。
第三代半導體材料: 半導體是什麼？
此外，功率元件供應鏈如強茂、漢磊、世界先進，以及從LED、太陽能領域跨足的富采、太極、穩晟等，也摩拳擦掌投入第3代半導體。 目前第3代半導體還是由歐美IDM（整合元件製造）廠壟斷，但隨著各家業者大舉投入第3代半導體，以及電動車、軍工航太、資料中心、基地台等新興應用起飛，台廠莫不期待能在其中扮演一定的供應角色。 第三代半導體材料 在第3代半導體之中的氮化鎵（GaN）以及碳化矽（SiC），因其耐高溫、高壓及高頻的特性，接連傳出被特斯拉、蘋果等指摽性廠商導入，目前滲透率雖低，但已受到許多台廠供應鏈關注，股市更颳起第3代半導體旋風。
第三代半導體是指氮化鎵（GaN）與碳化矽（SiC），因具有寬能隙、高功率密度和高穿透電壓，以及高截止頻率與高電子遷移率等特性，適合應用在高頻通訊與高功率電子電路，電子轉換效率高之外，也能帶來節能效果。 目前碳化矽晶片的工藝不如矽成熟，主要為4英寸晶圓，材料的利用率不高，而Si晶片的晶圓早已經發展到12寸。 第三代半導體材料2023 碳化矽晶片作為半導體襯底材料，經過外延生長、器件製造等環節，可製成碳化矽基功率器件和微波射頻器件，是第三代半導體產業發展的重要基礎材料。 碳化矽龍頭廠Wolfspeed於2019年宣布將投入7.2億美元，計畫將SiC材料及晶圓的產能擴充30倍，包括設立一座全新的8吋廠，全力鞏固其在碳化矽市場的主導地位，另外包括ROHM及II-VI等大廠，也都規劃在未來幾年持續投資，將碳化矽的產能擴充數倍。 整體而言，元富投顧表示，第三代半導體潛在市場具想像空間，但發展關鍵在碳化矽基板，短期最大困難在於成本太高，限制滲透速度，而且碳化矽長晶僅能透過試誤法增加良率，所以需要投入大量資金發展，短中期以碳化矽較具潛力，長期則是看好成本降低後商機爆發。 氮化鎵射頻元件的主要應用市場在國防與5G基礎建設，因為5G需要多個天線提高信號品質，而每個天線都需專用的射頻前端晶片組，因此具有外型縮減，提高使用寬容性優勢的氮化鎵，即可在相同功率水準下使用數量較少的天線，並有望取代橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）。
第三代半導體材料: 中國砸 10 兆人民幣發展第三代半導體，台灣競爭有壓力也有利基
日前，鴻海以 25.2 億買下旺宏 6 吋晶圓廠，布局 SiC 晶圓製造，便是搭上這股順風車，不過，鴻海欲藉以跨入電動車應用領域，關於 SiC 應用於電動車的部分，文後會有進一步探討。 回歸 5G 基地台及衛星通訊方面的應用實例，尚有長居 GaAs 代工龍頭之位的穩懋，該公司不僅擴充 GaN-on-SiC 產能並處於穩定出貨的狀態。 據 Yole Development 預估，GaN-on-SiC 元件市場，將從 2020 年的 3.42 億美元（約新台幣 95.57 億元）成長至 2026 年的 20.22 億美元（約新台幣 565 億元），CAGR 達 17%。 自從 1970 年貝爾實驗室發明了室溫半導體雷射之後，以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為主的三五族化合物半導體一躍成為市場主角。 比起已達物理極限的矽基半導體元件而言，砷化鎵與磷化銦擁有超高的電子遷移率，並具備高頻、低雜訊、高效率及低耗電等特性，整個半導體產業因而進入了以這兩種材料為主的第二代半導體時代，並為今後的微波射頻通訊半導體發展奠立厚實的基礎。 隨著全球進入 IoT、5G、綠能、電動車時代，能徹底展現耐高壓、高溫、高頻能耐，並滿足當前主流應用對高能源轉換效率要求的寬能隙（Wide Band Gap，WBG）半導體開始成為市場寵兒，半導體材料於焉揭開第三代半導體新紀元的序幕。
