晶電及隆達合併的富采投控，今年最大轉機在量產 Mini LED 產品，第 2 季可大幅成長。 由於蘋果支持，相關產品開始導入 Mini LED，讓富采生產的 Mini LED 全球市占率上看三成，足以吸引資金投資轉機題材。 富采也積極發展第三代半導體的業務，近期獲得台積電認證「氮化鎵快充」製程外包廠。 台灣相關業務主要集中在晶圓代工廠，包括台積電、穩懋、世界先進、漢磊，以及磊晶廠全新、嘉晶、環球晶。 另外，太極能源子公司盛新材料布局長晶，生產碳化矽基板，目前也已進入產品送樣階段。 所謂第一代半導體材料矽、鍺等；第二代半導體材料砷化鎵、磷化銦等；第三代半導體材料為氮化鎵、碳化矽等。
美、日、歐等國已將化合物半導體列為軍事防衛及太空發展的重要材料，甚至成為出口管制的戰略物資，其重要性可見一斑。 臺灣半導體產業獨步全球，指的多是矽（Si）半導體，有別於第一代的矽半導體與第二代的砷化鎵（GaAs），被稱為第三代半導體的化合物半導體，如氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC），其高速、耐高溫、耐高壓的特性，主要應用於高頻通訊及動力電子元件。 目前國際上僅少數大廠有量產製造能力，供給相當有限，但下游出海口卻十分廣泛，需求強勁，包括電動載具功率轉換與傳動、再生能源功率轉換、工業自動化控制、高頻通訊射頻電路等等，具有十足的未來性。 反觀目前第三代半導體相關技術發展，根據以半導體材料分析為主要營業項目的汎銓科技技術長陳榮欽表示，第三代半導體製程技術不再必須像第一、二代半導體那樣先進，僅採用一般成熟製程就足以應付。 就目前來說，即使意法半導體已經開發出 8 吋晶圓生產技術，但當前主流仍是以 6 吋廠為主，這使得在技術上中國不需要再仰賴進口，中國本身的企業在相關半導體設備的研發上就足以支應。 再者，第三代半導體未來在中國市場預計胃納量龐大，更是吸引各家企業投入發展。
第三代半導體公司: SiC 功率元件年複合成長達 30%
從這個數字來看，明顯可以看出即使到四年後的2025年，第三代半導體還是一個很小很利基的市場，屆時GaN加上SiC不過只有42餘億美元，大約是新台幣1200億元左右。 根據TrendForce的預估，從2020年至2025年， GaN的市場將從0.48億美元成長到8.5億美元，至於SiC則從6.8億美元成長到33.9億美元，年複合成長率（CAGR）分別是78%及38%。 盛新材料：目標 2022 年 SiC 晶圓月產能達 2,000 片，而以目前來看，2021 年有效產能 第三代半導體公司 400 片（4 吋含 N 型），約 17 台長晶爐；2022 年 2,000 片，約 60 台長晶爐；2023 年 3,200 片（約當 6 吋），約 70 台長晶爐。 萬寶投顧楊惠宇表示，指數自18034跌至16248後反彈，此波的修正或回升有個特色，就是量能萎縮，去年至今很多產業及題材輪了一迴，包含連萬年不動的傳產也出現數十年難好光景，在市場疲乏下，需要題材及想像空間來激起熱情。 事實上，關於半導體的運作原理其實遠比上述更複雜（例如：N 型、P 型、Gate 閘極等）；至於功用除了作為開關之外，也有功率放大層面的用途。 但若只是想要大致理解半導體產業的投資朋友，筆者認為對於運作原理至此的認識也已算足夠。
回顧60年半導體產業的發展世代，主要是以其原料來區分，第一代初期是鍺（Ge），但有容易發熱失控的問題，逐漸由矽（Si）所取代也成為主流；第二代則是砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為主的三五族，具備高頻、低雜訊、高效率及低耗電等特性。 第一代半導體材料是：矽、鍺，第二代半導體的材料是：砷化鎵、磷化銦，接下來的第三代半導體則是氮化鎵、碳化矽。 整體而言，元富投顧表示，第三代半導體潛在市場具想像空間，但發展關鍵在 SiC 基板，短期最大困難在於成本太高，限制滲透速度，而且 SiC 長晶僅能透過試誤法增加良率，所以需要投入大量資金發展，短中期以 SiC 較具潛力，長期則是看好成本降低後商機爆發。 儲祥生補充，台廠發展磊晶的有環球晶、嘉晶、全新、英特磊，而晶圓代工廠商有台積電、世界先進、穩懋、宏捷科、茂矽、漢磊、晶成半導體，其中相關概念股又包括晶成半導體大股東富采和環宇-KY，並強調台廠發展第三代半導體，目前仍有難度需要克服，因此發酵需要再等一段時間。 第三代半導體發展超過 30 年，因為具有耐高電壓、高電流的特性，相比第一代半導體的矽（Si）、鍺（Ge），以及第二代半導體的砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP），第三代半導體的碳化矽（SiC）及氮化鎵（GaN）更適合用來發展電動車、5G、綠能等終端應用。 中國媒體形容第3代半導體的威力，有了這種技術，未來中國的電動車，電池續航力可以更長、馬達可以更小、車身可以更輕，就這麼巧，比亞迪也在去年底宣布為全球第二家有有能力採用碳化矽晶片的新能源車公司。
第三代半導體公司: 碳化矽（SiC）
不過產品製程雖不難，磊晶的生長卻很複雜，所謂磊晶就是在晶圓上依照產品需求生長一層特殊材質的單晶薄膜，由於砷化鎵本身就是由不同元素組成，在上面又要生長不同材質的材料，且通常磊晶好壞就直接決定了產品的品質，因此在溫度、壓力、流量、轉速及晶格匹配度都需精準掌握，缺一不可，整體難度非常高。 第二代半導體則應用在 第三代半導體公司 RF 元件、光通訊、衛星、GPS、光電（LED、雷射） 等功率、通信及發光元件，代表了 20 世紀末移動通信和網際網路的快速發展。 報導稱中國第3代半導體與國外差距相對較小，市場觀點認為有望成為半導體產業「彎道超車」的契機；行業專家則說科技發展有必然規律，沒有任何產業發展可以彎道超車。
- 目前，中國也拚命投資第三代半導體，如華為投資碳化矽磊晶公司瀚天天成；長期生產 LED 的三安光電，也因為使用的材料相近，發展受到矚目。
- 放眼看去，除了原本就稱霸矽晶圓領域的台積電、日月光、環球晶等，均布局卡位第3代半導體一段時間；在第2代半導體砷化鎵（GaAs）領域深蹲已久的穩懋、宏捷科、全新等，也擺出對第3代半導體勢在必得的態勢。
- 工研院產業科技國際策略發展所預估，2020年全球化合物半導體產值大於1000億美元，占整體半導體產值約18.6%，預估2025年將成長至1,780億美元，主要應用包括高階通訊、功率元件、光電應用等。
- 原因是不同材料的半導體功能不同，有不同的應用領域，第一代半導體應用於CPU處理器及消費IC、第二代半導體應用於手機關鍵通訊晶片、第三代半導體則應用在5G、電動車及衛星通訊等面向。
- 調研機構Yole Developpement報告指出，自從特斯拉 (Tesla) 領先全球在 Model 3的逆變器模組上採用SiC，創造優越的續航力，SiC便成為市場寵兒，許多車廠和半導體廠商已如火如荼地在磊晶、元件製造、晶圓製造等供應鏈上垂直整合佈局。
聯電集團則透過轉投資聯穎光電切入第三代半導體，主要提供6吋化合物半導體晶圓代工服務，技術涵蓋砷化鎵新一代HBT技術、0.15微米pHEMT技術、氮化鎵（Gan）高功率元件到濾波器，並跨足光電元件製造，終端應用領域包括手機無線通訊、無線微型基地台、國防航太、光纖通訊、光學雷達及3D感測元件等。 簡而言之，目前 SiC 最大的應用市場便在新能源車，這也使得多數功率半導體大廠積極與車廠合作，加速電動車發展。 像是中國汽車製造商吉利汽車與羅姆（ROHM）締結戰略合作夥伴關係，透過各種車電應用的開發，加速汽車領域的技術創新。 據悉，吉利計劃運用 ROHM 的先進碳化矽功率解決方案，開發高效電控系統和車載充電系統，以延長電動車的續航里程，同時降低電池成本並縮短充電時間。
第三代半導體公司: 科技大廠紛插旗卡位
〔財經頻道／綜合報導〕中國本月4日傳出當局正規劃大力支持發展第3代半導體產業，當天相關概念股一片上漲，行情延續至今仍然強勢，表現優於A股大盤。 中媒《證券時報網》指出，當中已有45家上市公司證實涉足第3代半導體，其中一半已有產品出貨。 從表11專利申請區域可以看出，碳化矽專利申請人主要集中在江蘇省、廣東省等，這些地區都是半導體產業發達的地區，在第三代半導體方面的佈局也快人一步。
雖然仍在發展階段，且預計到 2022 年才能量產 GaN on Si，但以宏捷科在砷化鎵製造的經驗搭配環球晶對矽晶圓的相關技術，預計將可加大宏捷科的競爭能力。 隨著第三代半導體於車用元件之運用，以及通訊領域、5G基地台等領域之技術發展，碳化矽與氮化鎵等第三代半導體材料之需求，已成為重要發展趨勢。 涉獵第三代半導體領域的企業，將是接下來1~3年波段投資的重點產業，值得投資人留意。 除了上述邁入量產階段的公司，砷化鎵代工廠穩懋與宏捷科，也開始佈局氮化鎵的產能。 越峰因掌握了高純度碳化矽粉料，並已小量出貨給台灣與國外矽晶圓相關廠商，此利多題材使其股價於2021年9月上旬短短半個月飆漲一倍。 此外，氮化鎵也可用來製造電源轉換器，用在處理數百伏特的電壓轉換，可以做到又小又省電。
第三代半導體公司: 電子郵件訂閱網站
低軌衛星也因火箭發射成本和衛星製造費用大幅降低，且為了滿足 AI、車聯網、物聯網等新興應用而開始普及。 雖然第三代半導體現在市場的佔有率仍不大，主要受到上游基板、磊晶材料的製造困難度高且同樣面積的晶圓製造成本比矽高出幾十倍，使得第三代半導體製程成本居高不下，碳化矽和氮化鎵並不是這幾年才出現的技術，可是為什麼到最近才越來越多人討論？ 因為厲害的技術受限於製造難易度，成本高低，市場環境的因素，並不是越厲害的技術大家就會馬上採用，但是有市場性的技術一定會吸引廠商投入研發並盡量降低成本，第三代半導體就是這樣的技術，隨著時間技術會成長，產能會放大，成本會降低，普及度會提高。 在這個科技應用材料爆炸的時代，不管是先進製程的第一代半導體、正在崛起的第三代半導體(GaN、SiC)、TFT-LCD、光通訊(LED/LD)、奈米科技、太陽能電池等產業都需要材料分析，高科技產業的上、中、下游的廠商，如台積電、聯電、高通、NVIDIA、博通等都是閎康的客戶。 且在追求研發進展速度的環境下，材料分析的需求也會慢慢被外包出來，因為公司不願意花費資本支出在昂貴的分析設備及人才上，應該要更專注於本業才對。 由於第三代半導體材料特殊性，需要與客戶不斷地合作驗證，提升前段製程晶圓製造良率，產品驗證時間長，因此通過驗證後所產生競爭優勢不易被其他測試廠取代，也因此，公司也積極進行廠房擴建以因應市場的成長需求。
總經理呂紹萍表示，八德新廠產線主要為車用CIS、混合模組及新業務，其中第三代半導體產品下半年可望開始少量貢獻，將是未來營運成長動能之一。 IC 封裝是將加工完成的晶圓，晶切割過後的晶粒，以塑膠、陶瓷或金屬包覆，保護晶粒以免受汙染且易於裝配，並達成晶片與電子系統的電性連接與散熱效果。 IC 測試則可分為兩個階段，第一個階段是進入封裝之前的晶圓測試，主要測試電性；第二個階段則是IC成品測試，主要在測試 IC 功能、電性與散熱是否正常，以確保品質。 IC 製造的流程是將晶圓廠所做好的晶圓，以光罩印上電路基本的圖樣，再以氧化、擴散、CVD、蝕刻、離子植入等方法，把電路和電路上的元件，在晶圓上製作出來。 由於 IC 上的電路設計是層狀結構，因此還要經過多次的光罩投入、圖形製作、形成線路與元件等重複程序，才能製作出完整的積體電路。 就像設計所有產品一樣，從零開始總是特別勞心勞力，所以在 IC 設計中，可以透過購買IP授權的方式來縮短產品的開發時間和降低成本；IP 又叫作矽智財，是一種販售電路設計架構相關智慧財產權授權的行業，簡單來說，IP 就是 IC 設計的智慧財產權，採用IP可以更快、更好、更省的完成晶片設計。
第三代半導體公司: 全球股債齊跌 近期 ETF 淨流入這兩產業
展望2023年，IC封測產業預估記憶體的供需調整恐怕要等候更長的時間回溫。 部分邏輯IC需求有機會在2023年第一季先行回溫，大宗消費IC則需等至第二季底。 封測代工價格部分，已經有部分封測廠調降費用，力保稼動率，全面漲價情景也不復存在。 然未來異質整合封裝發展值得關注，隨著全球封測產業市場規模持續成長，除了專業委外封測廠，晶圓製造大廠如台積電、Samsung、Intel也開始布局先進封裝技術，加大先進封裝資本支出。 異質整合封裝可應用於高階運算晶片堆疊密度與運算效能提升，以及矽光子光電整合晶片製作，可提升光電訊號轉換及資料傳輸效率，將有利於滿足智慧型手機、車用、航太、醫療、物聯網等終端應用產品整合多元化功能與提高運算效能等需求。 就未來 10 年的半導體市場發展來看，台積電雖然在全球矽晶圓代工具絕對領先地位，但對第 第三代半導體公司2023 3 代半導體材料的應用布局也沒遲疑。
外界只知道黃民奇投資電子束檢測多年，並曾以一千億元高價，將旗下漢微科賣給曝光機大廠艾司摩爾（ASML）。 這些企業董事、教授、研究員是否落入「產業版千人計畫」同時兩邊拿補助做研究？ 對此，立委郭國文表示，美國50年前的太空技術不會外洩、外賣給他國，台積電20年前8吋廠的技術今天看來也都落伍了，但台積電會把技術給別人嗎？ 整個事件弔詭的是，財經媒體和立委都認為這個技術很重要，但經濟部技術處和工研院不斷強調瀚薪的技術落後，暗示對台灣衝擊不大，然而上海瀚薪卻獲得中國官方入股。 第三代半導體公司2023 而營業費用率則估計將降低至 7% 左右，所得稅率以 18% 計算，則宏捷科 2021、22 年的稅後淨利為 10.84、14.84 億元， EPS 為 5.43、7.43 元，未來兩年將持續維持高成長。 近來數次民調持續顯示，川普是共和黨人氣最高的候選人，儘管他有起刑事訴訟纏身。
第三代半導體公司: 劍指第三代半導體商機，晶成鎖定消費性 GaN 市場
「晶成由晶電研發部門分割出來，而 LED 本身就與 III-V 族半導體息息相關，像是 GaN、砷化鎵（GaAs）等，所以晶成在這領域已經著墨很久。」晶成半導體董事長施韋接受《科技新報》專訪時表示。 第三代半導體在近年最新發展出來終端應用產品，則屬以 GaN 氮化鎵為原料，製作而成的高頻通訊的材料（又稱 RF GaN） 。 現在我們已經知道了半導體是什麼了，你是否也有個疑問：「導電率變化是怎麼用來處理資訊的呢？」其實半導體這種「時而導電、時而不導電」的設計，可以簡單想像成生活中的「開關」：你總不希望房間的冷氣永遠都開著，或者床頭燈一直關不掉，對吧？ 正如我們有時候會需要這些工具運作，有時候則把它們關上，半導體在各種應用產品內的功能，就是一個「開關」— 當導電時電子流通，開關就被打開，可以開始做某些指令；當不導電時，開關就關起來，可以作為工作流程的停止訊號。 據了解，目前全球 SiC 矽晶圓總年產能約在 萬片，且主流尺寸還是 150mm（6 吋晶圓），遠不能滿足下游需求；因此，碳化矽元件製造商也相繼透過收購、與晶圓供應商策略合作等方式，藉此擴大產能並取得穩定的晶圓供應。 在半導體材料領域中，第一代半導體是「矽」（Si），第二代半導體是「砷化鎵」（GaAs），第三代半導體（又稱「寬能隙半導體」，WBG）則是「碳化矽」（SiC）和「氮化鎵」（GaN）。
根據供應鏈釋出的戴爾最新AI伺服器物料清單（BOM表）與備貨計畫，戴爾今年AI伺服器備貨量上看2萬台，明年會再拉高，備貨機種主要以搭載輝達最高階的H100晶片為主，也有少部分搭配A100晶片。 以H100機種一台要價30萬美元（約新台幣960萬元）、A100也要高達逾10萬美元計算，2萬台的備貨量看似不大，總金額仍高達新台幣上千億元，相關代工與零組件商機爆發。 儘管日本經濟相對成熟，但在創新方面，小型公司仍有充分的成長空間，甚至有可能取代現有的市場主導者。 台積電在7月20日法說會中預期，第3季人工智慧（AI）需求增加，3奈米製程業績可強勁成長，減緩客戶持續調整庫存影響，預估第3季營收將約167億至175億美元，以中間值171億美元計，將季增9.1%，毛利率約51.5%至53.5%，營業利益率約38%至40%。 另外，對矽晶圓大廠環球晶來說，若能在這個產業布好局，未來環球晶與日商龍頭廠信越、勝高的競爭可以更加突出；此外，對中美晶、環球晶、朋程、宏捷科、茂矽等集團旗下公司，也可以展開範圍更廣且更多元的發展，這是一個時間會拉很長的耐力賽。
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GaN 為橫向元件，生長在不同基板上，例如 SiC 或 Si 基板，為「異質磊晶」技術，生產出來的 GaN 薄膜品質較差，雖然目前能應用在快充等民生消費領域，但用於電動車或工業上則有些疑慮，同時也是廠商極欲突破的方向。 中美晶則是另一股積極投資第3代半導體的勢力，除了去年底成為宏捷科最大股東，切入通訊用化合物半導體製造外，本刊採訪得知，中美晶旗下環球晶第3代半導體基板技術也逐漸成形，但仍需克服良率和成本問題。 世界先進因為擁有大量8吋的設備，也跟台積電採取相同的策略，大力發展矽基的氮化鎵晶片製造技術，以提升附加價值。
第三代半導體的重要特性為寬能隙（Wide band gap），比傳統半導體材料矽要寬很多，因此有耐高電壓、高電流的特性，所以可因應未來電動車、綠能、5G基站、雷達及快充等終端應用趨勢。 在第三代半導體材料中，目前發展較為成熟的是碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN），這兩種材料是當下規模化商用最主要的選擇。 目前第3代半導體還是由歐美IDM（整合元件製造）廠壟斷，但隨著各家業者大舉投入第3代半導體，以及電動車、軍工航太、資料中心、基地台等新興應用起飛，台廠莫不期待能在其中扮演一定的供應角色。
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因此在積體電路中的電晶體（Transistor）元件，當施加一個小電壓即能快速啟閉電源，長久以來，這個能隙（BG）較小的「矽（Si）」材料才會被大量地採用至今。 由於近年地球暖化與碳排放衍生的環保問題日益嚴重，人類以節能、減碳、愛護地球為共同的首要發展方向，石化能源必須逐步減少並快速導入綠能節電的應用，因此在日常生活用品中也逐步以高能效、低能耗為目標。 針對大陸官方最新祭出鎵、鍺等稀土出口禁令，經濟部昨（4）日評估，台灣雖非受到直接衝擊的「海嘯第一排」，但是無可避免還是屬於「海嘯第二排」，可能會受到美日加工原物料的供需情況及價格波動等間接影響，尤其... 投資心法首重總體經濟的多空循環，並結合基本面選股與技術面操作；認為「擇機入市」才是股市投資的獲利法門。
呂紹萍表示，目前看來自動駕駛及高階車用CIS需求仍會持續成長，因此持續規畫擴充產能，鏡頭畫素提升亦有助於相關封測需求。 而混合模組主要有車用感測器及生醫2大應用，今年的DNA排序需求成長很快，主要是判定病毒株需求。 第三代半導體公司 華冠投顧分析師劉炯德說，目前關鍵上游基板技術掌握在CREE等少數國際廠手中，美國的Cree、II-VI及日本Rohm等，佔據了9成的碳化矽基板出貨量，成了台廠發展第三代半導體必須解決的關鍵瓶頸。 從產品來看，SiC SBD二極體和SiC MOSFET將成為應用最多的產品。
第三代半導體公司: 公司簡介
根據中國「第三代半導體產業技術創新戰略聯盟 （CASA）」在 2021 年 6 月所發表的「第三代半導體產業發展報告 2020」白皮書顯示，2020 年中國第三代半導體整體產值超過 7,100 億人民幣（約新台幣 3 兆元）。 另外，根據工研院產業科技國際策略發展所估計，2020 年全球化合物半導體產值超過 1,000 億美元，占整體半導體產值約 18.6%，預估 2025 年將成長到 1,780 億美元。 其中，在看準商機下，中國包括中芯國際、韋爾股份、卓勝微、天科合達、同光晶體、泰科天潤、三安光電、英諾賽科等紛紛進擴產，顯示中國企業對第三代半導體發展的期待。 傳統汽車的耗油率是由引擎決定，未來電動車的續航力則是由第三代半導體SiC技術決定。
TrendForce 表示，GaN 主要應用大宗在於消費性產品，至 2025 年市場規模將達 8.5億 美元，年複合成長率高達 78%。 前三大應用占比分別為消費性電子 60%、新能源汽車 20%、通訊及資料中心 15%。 截至目前已有 10 家手機 OEM 廠商陸續推出 18 款以上搭載快充的手機，且筆電廠商也有意跟進。 根據市調機構 TrendForce 調查顯示，2021 年隨著各國於 5G 通訊、消費性電子、工業能源轉換及新能源車等需求拉升，驅使如基地台、能源轉換器（Converter）及充電樁等應用需求大增，使得第三代半導體如氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）元件及模組需求強勁。
第三代半導體公司: 磊晶技術困難、關鍵 SiC 基板由國際大廠主導
作為半導體供應鏈關鍵要角的台灣，也已開始積極布局，盼能急起直追，在這場關鍵的第三代半導體戰役上，台灣產業有不能輸的壓力。 以台灣來看，強攻第三代半導體的集團分別有中美晶集團、漢民集團、廣運集團。 環球晶、漢民科技、穩晟科技以及廣運集團去年和子公司太極成立「盛新材料」跨足 SiC 基板領域；台積電、世界先進、穩懋、宏捷科、環宇-KY、漢民子公司漢磊及嘉晶專攻磊晶技術與代工業務。 名列全球前10大半導體廠英飛凌，高級經理高金萍接受本刊採訪時表示，目前全球主流車廠電動車規格已往800伏特高壓平台發展，意即對台廠來說較為困難的碳化矽將成主流。
- 由於環球晶過往主攻矽半導體、客戶也多為矽半導體客戶，若與具備化合物半導體經驗與客戶群的宏捷科合作，環球晶的SiC基板可以在宏捷科做品質認證，直接了解RF廠商的需求，加速開發進度。
- 其中，包含 SiC 單晶晶種、石墨坩堝及高純度 SiC 原料皆無法重覆使用，須破壞坩堝才能取出 SiC 晶體，確認長晶成功或失敗。
- 尤其，第 3 類半導體並不好做，以通訊晶片為例，要按照不同的通訊需求，選擇不同的材料，在原子等級的尺度下精確排好，難度有如給你各種不同形狀的石頭，堆出一座穩固的高塔，誰能用這些材料，生產出更省電、性能更好的電晶體，就是這個市場的勝利者。
- 工研院產科國際所研究總監鄭華琦指出，第二、三代半導體材料為化合物半導體，重要特性為寬能隙（Wide band gap），比傳統半導體材料矽要寬很多，因此有耐高電壓、高電流的特性，可因應電動車、綠能、5G 基站、雷達及快充等終端應用趨勢。
- 因為厲害的技術受限於製造難易度，成本高低，市場環境的因素，並不是越厲害的技術大家就會馬上採用，但是有市場性的技術一定會吸引廠商投入研發並盡量降低成本，第三代半導體就是這樣的技術，隨著時間技術會成長，產能會放大，成本會降低，普及度會提高。
事實上，台積電在第三代半導體領域早已深耕多年，這部分在先前的法說會上，總裁魏哲家也曾經親口證實。 不過，相較於其他企業採技轉方式，台積電則是採自行投資研發的方式，由最基礎堆疊不同材料的磊晶技術開始發展。 目前在矽基板氮化鎵上，2020 年已開發出 150 伏特和 650 伏特兩種平台。 另外，台積電轉投資世界先進也加足馬力，大力發展矽基板的氮化鎵晶片製造技術，預計最快 2021 年底可小量生產。
