車用動力電子包括馬達驅控、逆變器、電源轉換器、車載充電器等使用的功率晶片，及外接充電樁的功率調節元件等，目前多由國外大廠提供，購入成本甚高。 南方雨林計畫是以4年為目標，在南臺灣打造化合物半導體的整合元件製造公司（IDM），從設計、製造、封測到自有品牌的元件與模組，聯結到車用動力電子。 搭配的還有原料、設備、晶圓切磨、熱處理封裝、軟體工具等，每個環節均可以由本土研發或進行國內外合作，希望在4年內達到試量產成效並衍生事業體。 其次，傳統汽車零組件產業具有轉型迫切性，隨著電動車、自駕車商機日益發酵，電子零組件在汽車的占比愈來愈高，國內車用零組件廠擅長的是金屬件及塑膠件，為追求持續成長，業者一直苦思轉型。 「跨足車用動力電子，就是最佳突破點，」吳誠文說，電動車市場正在快速發展，以車用動力電子做為化合物半導體的出海口，短時間可立竿見影，增加業者的信心，也不會與既有矽半導體產業鏈衝突，甚至可以相輔相成，開創更多機會。 電子材料事業處主要的銷售產品為銅箔積層板、導電膜光、電材料元件與器材等，此部門每月營收穩定，月營收約3000萬元，景氣較好時可達每月4千至5千萬元。
- 市場對於延長電池的續航力、增加電池容量，及縮短充電時間等有極大需求，電池將朝高電壓800V的方向發展，這使能承受高電壓的SiC被寄予厚望。
- 依照摻雜所使用的雜質不同，摻雜後的半導體原子周圍可能會多出一個電子或一個電洞，而讓半導體材料的導電特性變得與原本不同。
- 台灣半導體股份有限公司(以下簡稱台半)創立於1979年，在董事長王秀亭先生的帶領下， 目前已成為全球功率半導體元件的領導廠商， 全球員工人數達 1500人，除了亞洲區的銷售點之外， 在歐洲美洲等地另設有營業據點，營收超越50億新台幣。
- 國際記憶體大廠包括三星、SK海力士、美光等持續減產，TrendForce預估，2024年各廠減產策略仍將持續；惟隨著消費性電子產品需求回升，2024年DRAM、NAND Flash需求位元將年增13％及16％。
- 在利潤增長的推動下，在1960年代半導體元件生產遍及德克薩斯州和加州乃至全世界，比如愛爾蘭、以色列、日本、台灣、韓國和新加坡，現今已成為全球產業。
- 聯電近年抓緊轉型機會，不僅受惠CoWoS先進封裝產能外溢帶來的外包訂單與急單加價效益，也積極提升特殊製程量能，旗下南科12A P6新廠上季開始生產，規劃今年底月產能可達2.7萬片，明年再增加近兩成，攀升到3.2萬片。
化合物功率半導體（即第 2、3 代半導體）去年市場規模約 298 億美元，但 2025 年成長到 361.7 億美元，2030 年更可上看 435 億美元，成長潛力大。 所謂第 1 代半導體材料矽、鍺等；第 2 代半導體材料砷化鎵、磷化銦等；第 3 代半導體材料為氮化鎵、碳化矽等。 但第 2、3 代不會取代第 1 代，而是依據不同的特性應用在其專長領域。 工研院產科國際所研究總監鄭華琦指出，第 2、3 代半導體材料為化合物半導體，重要特性為寬能隙（Wide band gap），比傳統半導體材料矽要寬很多，因此有耐高電壓、高電流的特性，可因應電動車、綠能、5G 基站、雷達及快充等終端應用趨勢。 為了滿足量產上的需求，半導體的電性必須是可預測並且穩定的，因此包括摻雜物的純度以及半導體晶格結構的品質都必須嚴格要求。 常見的品質問題包括晶格的位错（dislocation）、孪晶面（twins）或是堆垛层错（英语：Stacking-fault energy）（stacking fault）[8] 都會影響半導體材料的特性。
半導体: 相關連結
电子传导的方式与铜线中电流的流动类似，即在电场作用下高度电离的原子将多余的电子向着负离子化程度比较低的方向传递。 半導体2023 電洞导电则是指在正离子化的材料中，原子核外由于电子缺失形成的「空穴」，在电场作用下，空穴被少数的电子补入而造成空穴移动所形成的电流（一般称为正电流）。 很多电子产品，如電腦、移动电话、数字录音机的核心单元都是利用半导体的电导率变化来处理資訊。
施體原子帶來的價電子多會與被摻雜的材料原子產生共價鍵，進而被束縛。 而沒有和被摻雜材料原子產生共價鍵的電子則會被施體原子微弱地束縛住，這個電子又稱為施體電子。 和本征半導體的價電子比起來，施體電子躍遷至導帶所需的能量較低，比較容易在半導體材料的晶格中移動，產生電流。
半導体: 半導体用高純度過酸化水素
半導體製造產線裡的工人被要求穿著無塵衣來保護元件不被人類污染。 除了為被封裝的半導體晶粒提供連接能力以及導熱散熱能力以外，半導體封裝還必須將晶粒與外界保護起來，比如絕對不允許有濕氣滲入的情況。 游離顆粒或是封裝內部出現腐蝕情況也會使半導體元器件、積體電路的運行效能大打折扣甚至損壞。 [1]有的晶粒還要求其半導體封裝提供密封、與外界環境無氣體液體交換等能力，一般會用玻璃、陶瓷或金屬作為封裝材料。 半導体 此外，台積電的子公司世界先進，在氮化鎵與碳化矽領域代工生產，已經布局 4 年，今年將可進入量產的前期商機。
晶片處理高度有序化的本質增加了對不同處理步驟之間度量方法的需求。 晶片測試度量裝置被用於檢驗晶片仍然完好且沒有被前面的處理步驟損壞。 當一塊晶片測量失敗次數超過一個預先設定的閾值時，晶片將被廢棄而非繼續後續的處理製程。 和真空管一樣，半導體封裝標準也有不同國家的以及國際的標準，這些標準有JEDEC、Pro Electron、EIAJ等，而有部分標準則是屬於某些製造商的專利。 如今半導體元器件以及積體電路的封裝種類繁多，其中有不少為半導體之業界標準，而另一些則是元器件或積體電路製造商的特殊規格。
半導体: 半導體獎
雖然施體電子獲得能量會躍遷至導帶，但並不會和本征半導體一樣留下一個電洞，施體原子在失去了電子後只會固定在半導體材料的晶格中。 因此這種因為摻雜而獲得多餘電子提供傳導的半導體稱為n型半導體，n代表帶負電荷的電子。 和本徵半導體的價電子比起來，施體電子躍遷至導帶所需的能量較低，比較容易在半導體材料的晶格中移動，產生電流。 雖然施體電子獲得能量會躍遷至導帶，但並不會和本徵半導體一樣留下一個電洞，施體原子在失去了電子後只會固定在半導體材料的晶格中。 半導体2023 這些相對論性的新型半導體材料或可引領下一代電腦晶片、能源裝置的研發。 根據工研院統計，台灣1C產業2021年產值將首度突破4兆元，產值為新臺幣4.1兆元，較2020全年成長25.9%，遠高於全球市場平均水準25.1%。
室溫下的半導體導電性有如絕緣體，只有極少數的載子具有足夠的能量進入導帶。 因此，對於一個在相同電場下的本征半導體和絕緣體會有類似的電特性，不過半導體的能帶寬度小於絕緣體也意味著半導體的導電性更容易受到控制而改變。 因此，對於一個在相同電場下的本徵半導體和絕緣體會有類似的電特性，不過半導體的能帶寬度小於絕緣體也意味著半導體的導電性更容易受到控制而改變。
半導体: 半導體封裝
台灣半導體股份有限公司(以下簡稱台半)創立於1979年，在董事長王秀亭先生的帶領下， 目前已成為全球功率半導體元件的領導廠商， 全球員工人數達 1500人，除了亞洲區的銷售點之外， 在歐洲美洲等地另設有營業據點，營收超越50億新台幣。 既有車用零組件業者擁有「市場」經驗優勢，工研院整合「技術」與「人才」，政府結合民間共同投入種子「研發資金」拋磚引玉，可望帶來車用動力電子新產業的投資。 「南方雨林」已在南部與某汽車零組件大廠簽訂合作備忘錄，擬共同開發化合物半導體與車用動力電子技術。 一種半導體封裝最少有兩個引腳或觸點，用以和電路中的某兩端連接，這樣的元器件例子有二極體，如果封裝的晶粒是微處理器類別的積體電路，則用於此晶片的封裝需要提供上百甚至上千個觸點或引腳。 一些非常小型的半導體封裝，一般用觸點或細引線與外部電路接合。 而一些較大型的積體電路以及一些大功率的半導體元器件，特別是需要較多高功率電能消耗的應用場合，則需重視封裝的導熱及散熱能力，以便帶走這些晶片在工作時產生的廢熱。
除了藉由摻雜的過程永久改變電性外，半導體亦可因為施加於其上的電場改變而動態地變化。 半導體材料也因為這樣的特性，很適合用來作為電路元件，例如電晶體。 一般半導體材料的能隙約為1至3電子伏特，介於導體和絕緣體之間。 因此只要給予適當條件的能量激發，或是改變其能隙之間距，此材料就能導電。 根據世界半導體貿易統計協會（WSTS）發佈全球半導體市場規模，2020年全球半導體市場值為4404億美元規模。
半導体: 相關詞條
2021年全球半導體市場受到市場需求激增，預估將會拉升全球半導體市場高度年成長25.1%，推升全球半導體市場站上5509億美元的新高。 WSTS預測2022年仍將維持正成長動能，但在供需趨於平緩之際，預測2022年全球半導體市場將會年成長10.1%。 驗證分析廠汎銓（6830）為擴大搶攻全球材料分析（MA）市場龐大商機，積極推進海外佈局計劃，至今年底目標提升台灣分析產能達三成以上、中國分析產能達五成以上，另一方面，汎銓規劃於第三季設立日本業務據點，擴大當地客戶委案需求，有助於增添下半年營... AI需求強勁，測試大廠京元電（2449）今年營運明顯受惠，第二季以來業績逐月走高，該公司估計目前來自AI相關營收占比僅約5％至6％，但看好今年第四季到明年營運占比將持續提升。 市場法人估計，明年京元電AI營收占比將倍增至10％左右，且由於A... 特斯拉大買輝達AI晶片，全力衝刺全自駕車布局，法人看好，有望引爆市場對特斯拉電動車新一波需求動能，為乙盛-KY、貿聯-KY、致伸、和碩等供應鏈營運增添動能。
- 在[學]]中，k-向量即為粒子的動量，不同的材料會有不同的能量-動量關係（E-k relationship）。
- 和多數載流子相對的是少數載流子（minority carrier）。
- 游離顆粒或是封裝內部出現腐蝕情況也會使半導體元器件、積體電路的運行效能大打折扣甚至損壞。
- 輝達（NVIDIA）29日宣布與谷歌（Google）結盟，擴展在人工智慧（AI）技術的合作，激勵股價大漲4.2％至487.84美元，寫下該公司收盤新高紀錄，市值一舉衝破1.2兆美元。
- IC製造產業產值估2.23兆元，年增22.4%，其中晶圓代工產業產值成長18.7%，達1.93兆元，記憶體相關產品產值年增54%，達2936億元的規模。
根據意法半導體的觀察，只要是800V的電池動力系統，都將會是SiC的市場。 智慧型功率模組(IPM)是Intelligent Power Module的縮寫，是一種先進的功率開關器件，具有GTR(大功率電晶體)高電流密度、低飽和電壓和耐高壓的優點,以及MOSFET(場效應電晶體)高輸入阻抗、高開關頻率和低驅動功率的優點。 而且IPM內部集成了邏輯、控制、檢測和保護電路，使用起來方便,不僅減小了系統的體積以及開發時間，也大大增強了系統的可靠性，適應了當今功率器件的發展方向——模組化、複合化和功率積體電路(PIC)，在電力電子領域得到了越來越廣泛的套用。 集團多年來致力於研發創新並融合核心技術，所提供產品包括：全方位供應電源管理IC、整流器、靜電防護元件、 橋式整流器、金氧半場效電晶體、絕緣閘雙極電晶體、觸發二極體以及矽控整流器等。 台半的核心競爭力來自於超過40年的製造經驗，領先的專利技術與全球佈局的銷售通路。
半導体: 電子顕微鏡
就未來 10 年的半導體市場發展來看，台積電雖然在全球矽晶圓代工具絕對領先地位，但對第 3 代半導體材料的應用布局也沒遲疑。 台積電擴大投資化合物半導體領域，與全球最大氮化鎵功率 IC 公司納微（Navias）合作，可望取得蘋果快充 IC 訂單；台積電也與安森美與英飛凌等國際大廠合作生產第 3 代半導體的關鍵晶片，今年成長力道也強。 純質半導體的電氣特性可以藉由植入雜質的過程而永久改變，這個過程通常稱為摻雜。 依照摻雜所使用的雜質不同，摻雜後的半導體原子周圍可能會多出一個電子或一個電洞，而讓半導體材料的導電特性變得與原本不同。 如果摻雜進入半導體的雜質濃度夠高，半導體也可能會表現出如同金屬導體般（類金屬）的電性。
之後儘管面臨日圓升值、1986年簽署《美日半導體協議》引起貿易爭端、徵收懲罰性關稅等諸多挑戰，仍遲至90年代台積電、三星等競爭對手崛起... 預估崇越2000年營收23.83億元，營業利益3.08億元，稅後淨利為2.67億元，每股盈獲利8.88元，較1999年成長222%，建議可於 元區間操作。 太極子公司盛新材料布局長晶，生產碳化矽基板送樣客戶測試，預計今年第 1 季即可通過，有機會進入量產階段。 根據公司員工透露，生產的晶圓良率超過 3 成就能賺錢，今年公司內部希望良率突破 6 成，量產可能要等到第 2 季底。
半導体: 雨林涵養萬物 化合物半導體帶來豐富應用
調研機構Yole Developpement報告指出，自從特斯拉 (Tesla) 領先全球在 Model 半導体 3的逆變器模組上採用SiC，創造優越的續航力，SiC便成為市場寵兒，許多車廠和半導體廠商已如火如荼地在磊晶、元件製造、晶圓製造等供應鏈上垂直整合佈局。 集團的目標是提供全球客戶--品質與成本最具競爭力的一次購足整體解決方案， 這些創新的產品和解決方案廣泛應用於汽車電子、電源管理系統、照明、工業設備、可擕式產品、通信設備、消費類電子與電腦3C產品等領域。 台半積極地以提升華人的國際競爭力為己任，更以最高標準的環保法規做為生產製造的準則， 公司以提供符合綠化 節能減碳等環保訴求 的產品和解決方案來回饋社會。
大部分的封裝，如雙列直插封裝（dual in-line package），比實際隱藏在內部的裸晶大好幾倍，然而 CSP 晶片就可以幾乎等同於原本裸晶的大小，一片 CSP 可以在晶圓還沒切割之前就建構在每個裸晶上。 此外，穩懋、宏捷科，在第 2 代半導體材料砷化鎵代工領域業務逐年提升中，目前也積極投入第 3 代半導體事業的布局；在本業穩健向上，再加上夢想題材發酵，股價也有機會轉強向上。 當只有三個價電子的三價元素如硼摻雜至矽半導體中時，硼扮演的即是受體的角色，摻雜了硼的矽半導體就是p型半導體。
半導体: 能量-動量色散
臺灣汽車零組件一年產值約2,000億元，南臺灣約占三分之一，車燈、碰撞件更是全球售後維修市場龍頭，隱形冠軍輩出。 在自駕、聯網與電動化趨勢下，汽車零組件產業漸向電子零組件靠攏，耐高溫、高壓的化合物半導體，如氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC），將是帶領汽車零組件產業前進下世代智慧車輛的關鍵字。 晶電及隆達合併的富采投控，今年最大轉機在量產 Mini LED 產品，第 2 季可大幅成長。 由於蘋果支持，相關產品開始導入 Mini LED，讓富采生產的 Mini 半導体2023 LED 全球市占率上看 半導体 3 成，足以吸引資金投資轉機題材。 富采也積極發展第 3 代半導體的業務，近期獲得台積電認證「氮化鎵快充」製程外包廠。
常見的品質問題包括晶格的位錯（dislocation）、孿晶面（twins）或是堆垛層錯（英語：Stacking-fault energy）（stacking fault）[8] 都會影響半導體材料的特性。 對於一個半導體元件而言，材料晶格的缺陷（晶體缺陷）通常是影響元件性能的主因。 半導體之所以能廣泛應用在今日的數位世界中，憑藉的就是其能藉由在本質半導體加入雜質改變其特性，這個過程稱之為摻雜。 摻雜進入本質半導體的雜質濃度與極性皆會對半導體的導電特性產生很大的影響。 半導體材料的導電帶底部和價電帶頂端在「能量-動量座標」上可能會處在不同的k值，這種材料叫做間接能帶材料（in-direct bandgap material），例如矽或是鍺。 相對地，如果某種材料的導帶底部和價帶頂端有相同的k值，這種材料稱為直接能帶材料（direct bandgap material），最常見的例子是砷化鎵。
