⚫ IDH：independent Design House. 是上游IC原廠與下游整機企業之間的橋樑，它在IC原廠晶片的基礎上開發平台、解決方案等產品，為整機產品的研發和迅速面市提供了條件。 ⚫ ICP：Inductively Coupled Plasma. ICP是一種用於檢測環境樣品和材料樣品等之中微量金屬的分析方法。 ⚫ ERP：Enterprise Resource Planning.
晶圓針測（Chip Probing）的目的是要對晶片做電性功能上的測試，使 IC 在進入封裝前，先過濾出電性功能不良的晶片，以避免因為不良品而增加製造成本上升。 在表面形成一層二氧化矽層等化學堆積流程，然後進行微影（Lithography）的製程，將光罩上的圖案移轉到晶圓上，接著利用蝕刻技術將電路圖製作出來。 在 Tape-out 之前都還算是設計階段，所以是交給 Design House 進行設計，這階段每家公司擅長的領域各自不同，而 Tape-out 之後則是將完全沒有問題的 IC 設計圖交給 IC 製造公司進行生產。
半導體製程英文: 半導體常用英文單字：Integrate Circuit 積體電路（IC）
由於將重要電極校正資訊儲存於感測器中，因此可以在實驗室中進行電極校正，進而有效縮短現場作業時間，增加工作安全性。 台積電預計將與合作夥伴索尼以及全球最大的汽車零部件供應商電裝株式會社（DENSO）在熊本合作建立工廠，閎康（3587）嗅到商機，率先進駐熊本，設立實驗室。 雖然台積電與索尼的合資工廠計劃於2024年第四季開始量產，但相關的檢測分析研發已經在進行中，閎康的實驗室還未正式開幕就已經獲得了大量訂單。
而當初應用軟體的定義，在現在則被稱為「企業資源計劃系統」。 測試製程是於 IC 封裝後，測試產品的電性功能，以保證出廠的 IC 在功能上的完整性，並對已測試的產品，依其電性功能作分類（即分 Bin），作為 IC 不同等級產品的評價依據。 製造過程是將矽石（Silica）或矽酸鹽 （Silicate），放入爐中熔解提煉，再以一塊單晶矽為「晶種」，讓融化的矽沾附在晶種上，以邊拉邊旋轉方式抽離，形成與晶種相同排列的結晶。
半導體製程英文: 半導體材料的製造
與之相對的，ECCI技術在數據採集效率和圖像解析度方面更為優越，能夠提供奈米級別的解析度，實現對材料內部奈米級缺陷的準確觀察。 ECCI利用入射電子束和晶格表面之間的夾角，實現小角度偏移，進而引起背散射電子產額的劇烈變化。 這種原理使得僅有數十奈米大小的缺陷在屏幕上展現出強烈的對比，讓使用者能夠清晰地觀察材料內部微小的缺陷。
一般常见的金属材料其导电带与价电带之间的能隙非常小，在室温下电子很容易获得能量而跳跃至导电带而导电，而绝缘材料则因为能隙很大（通常大于9电子伏特），电子很难跳跃至导电带，所以无法导电。 閎康（3587）股價今年以來已經翻倍了，這半年來股價漲了7成，29日收盤價313元更是創歷史新高價，30日開盤價為320.5元。 大陸新能源車巨擘比亞迪集團昨（28）日宣布，將以現金22億美元（約新台幣700億元），收購美國電子代工大廠捷普（Jabi... 英特爾出手搶救買氣疲弱的傳統伺服器市場，預計明年推出兩款資料中心用處理器，由「Sierra 半導體製程英文 Forest」晶片於明年上半... 廣達（2382）董事長林百里將於9月中旬攜心腹大將技術長張嘉淵，一同現身「台灣人工智慧年會」發表演說。
半導體製程英文: 英特爾擴大3D封裝產能 2025年將增為四倍
對於半導體元件的工作原理分析而言，少數載流子在半導體中的行為有著非常重要的地位。 半導體材料的導電帶底部和價電帶頂端在「能量-動量座標」上可能會處在不同的k值，這種材料叫做間接能帶材料（in-direct bandgap material），例如矽或是鍺。 相對地，如果某種材料的導帶底部和價帶頂端有相同的k值，這種材料稱為直接能帶材料（direct bandgap material），最常見的例子是砷化鎵。 電子在直接能隙材料的價帶與導帶的躍遷不涉及晶格動量的改變，因此發光的效率高過間接能隙材料甚多，砷化鎵也因此是光電半導體元件中最常見的材料之一。 這些相對論性的新型半導體材料或可引領下一代電腦晶片、能源裝置的研發。 因此，NanoCleave技術使得先進封裝製程，例如使用鑄模與重新建構晶圓的扇出型晶圓級封裝（FoWLP）以及供3D堆疊IC（3D SIC）使用的中介層等都能使用矽瞐圓載具。
- 在 IC 晶片「輕、薄、短、小、高功能」的要求下，亦使得封裝技術需要不斷演進，以符合電子產品的需要。
- SEM-CL技術利用電子束對樣品表面進行能量激發，由於缺陷和基板的能態差異，導致放出不同波長的光子，這種光子被捕獲並清楚地顯示了磊晶中產生的缺陷。
- 很多电子产品，如電腦、移动电话、数字录音机的核心单元都是利用半导体的电导率变化来处理資訊。
- 這些相對論性的新型半導體材料或可引領下一代電腦晶片、能源裝置的研發。
- ⚫ THB：Temperature Humidity Bias.
中國受到美國半導體禁令限制，使中國晶圓廠在先進設備受到限制，同時成熟製程所需的深紫外光（DUV）曝光機台後續採購也恐面臨禁令，不過中國晶圓廠傳出在今年1到7月就已經下訂了過去一年採購的機台數量，顯示中國成熟製程晶圓產能將可望在近幾個月就陸續大舉開出。 半導體之所以能廣泛應用在今日的數位世界中，憑藉的就是其能藉由在本質半導體加入雜質改變其特性，這個過程稱之為摻雜。 摻雜進入本質半導體的雜質濃度與極性皆會對半導體的導電特性產生很大的影響。 半導體和絕緣體之間的差異在於兩者之間能帶間隙寬度不同，亦即電子欲從價帶跳入導電帶時所必須獲得的最低能量不一樣。 通常能帶間隙寬度小於3電子伏特（eV）者為半導體，以上為絕緣體。
半導體製程英文: 封裝
⚫ NRE：Non Recurring Engineering. 一次性工程費用是指支付給研究、開發、設計和測試某項新產品的單次成本。 為確保新產品項目有利可圖，在進行項目預算時，NRE必須被考慮在財務分析之內。
游離顆粒或是封裝內部出現腐蝕情況也會使半導體元元件、積體電路的運行效能大打折扣甚至損壞。 [1]有的晶粒還要求其半導體封裝提供密封、與外界環境無氣體液體交換等能力，一般會用玻璃、陶瓷或金屬作為封裝材料。 當電子從導帶掉回價帶時，減少的能量可能會以光的形式釋放出來。 這種過程是製造發光二極體以及半導體雷射的基礎，在商業應用上都有舉足輕重的地位。
半導體製程英文: 半導體元件製造
陶瓷封裝成本高，組裝不易自動化，反觀塑膠封裝的品質及技術不斷提升，因此已盡量避免使用陶瓷封裝，但陶瓷封裝有極佳的散熱能力、可靠度及氣密性，並可提供高輸出入接腳數，因此高功率及高可靠度的產品，如 CPU、航太、軍事等產品，仍會採用陶瓷封裝。 半導體製造，也就是一般所稱的晶圓加工（Wafer Fabrication），是資金與技術最為密集之處。 很多电子产品，如電腦、移动电话、数字录音机的核心单元都是利用半导体的电导率变化来处理資訊。 常见的半导体材料有：第一代（另一種定義/說法：第一「類」）的硅、锗，第二代（類）的砷化镓、磷化銦，第三代（類）的氮化鎵、氧化鋅、氮化鋁、碳化硅等；而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。
對於處在穩態的半導體而言，電子-電洞對的產生與復合速率是相等的。 而在一個已給定的溫度下，電子-電洞對的數量可由量子統計求得。 半導體和導體之間有個顯著的不同是半導體的電流傳導同時來自電子與電洞的貢獻，而導體的費米能階則已經在導帶內，因此電子不需要很大的能量即可找到空缺的量子態供其跳躍、造成電流傳導。 除了藉由摻雜的過程永久改變電性外，半導體亦可因為施加於其上的電場改變而動態地變化。 半導體材料也因為這樣的特性，很適合用來作為電路元件，例如電晶體。 半導體製程英文 電子傳導的方式與銅線中電流的流動類似，即在電場作用下高度電離的原子將多餘的電子向著負離子化程度比較低的方向傳遞。
半導體製程英文: 晶圓製造 Wafer Manufacture
哪種材料適合作為某種半導體材料的摻雜物需視兩者的原子特性而定。 一般而言，摻雜物依照其帶給被摻雜材料的電荷正負被區分為施體（donor）與受體。 施體原子帶來的價電子多會與被摻雜的材料原子產生共價鍵，進而被束縛。 而沒有和被摻雜材料原子產生共價鍵的電子則會被施體原子微弱地束縛住，這個電子又稱為施體電子。 和本征半導體的價電子比起來，施體電子躍遷至導帶所需的能量較低，比較容易在半導體材料的晶格中移動，產生電流。 雖然施體電子獲得能量會躍遷至導帶，但並不會和本征半導體一樣留下一個電洞，施體原子在失去了電子後只會固定在半導體材料的晶格中。
以多個電晶體的射極相互耦合組成輸入級的電流轉換開關中，附設輸出用射極跟隨器的非飽和型半導體邏輯電路。 數位積體電路 (Digital IC) 的設計可以分為系統設計、邏輯設計、實體設計三大部分，實體設計完成後會得到光罩圖形，光罩製作完成後再送進晶圓廠製作晶片 半導體製程英文2023 (Chip)，最後再送進封裝與測試廠，經過封裝與測試就成為可以銷售的積體電路 (IC) 。 这些相对论性的新型半导体材料或可引领下一代计算机芯片、能源装置的研发。 目前用來成長高純度單晶半導體材料最常見的方法稱為柴可拉斯基製程（鋼鐵場常見工法）。
半導體製程英文: Home → 半導體
台積電CoWoS先進封裝產能吃緊，導致輝達AI晶片產出受限，傳出輝達不惜加價找台積電以外的替代產能因應，引爆龐大的訂單外... 先前在半導體介紹中提到，電晶體上的閘極寬度代表半導體製程的進步程度，稱「閘極線寬」，當線寬越小，表示同樣面積下，電晶體密度越高，效能也就越好。 英特爾的EMIB封裝技術，為2.5D嵌入式橋接解決方案，2017年開始導入產品，資料中心處理器Sapphire Rapids是首款採用EMIB的產品。 NanoCleave是一種完全與前段相容的薄膜釋放技術，特色是使用紅外線（IR）雷射，可穿透對IR雷射波長呈透明狀態的矽晶圓。 該項技術搭配使用特殊配方的無機層，能在奈米級精度下利用IR雷射，從矽載具釋放任何超薄的薄膜。
台積電主打「3D Fabric」先進封裝，包括InFo、CoWoS與SoIC方案，台積電大客戶蘋果（Apple）採用的是InFo封裝。 而近期最受矚目的當屬CoWoS，輝達（NVIDIA）的H100、A100及超微（AMD）MI300使用的就是台積電的CoWoS技術，其他客戶還有博通、賽靈思、亞馬遜等，造成CoWoS產能供不應求。 和真空管一樣，半導體封裝標準也有不同國家的以及國際的標準，這些標準有JEDEC、Pro Electron、EIAJ等，而有部分標準則是屬於某些製造商的專利。 半導體製程為 矽晶柱切割成晶圓→薄膜沉積→塗上光阻劑→微影成像→顯影→蝕刻→移除光阻→切割封裝成晶片。 ⚫ RDL：Redistribution 半導體製程英文2023 Layer. 線路重佈；重分佈製程；是將原設計的IC線路接點位置(I/O 半導體製程英文 pad)，透過晶圓級金屬佈線製程和凸塊製程來改變其接點位置，使IC能應用於不同的元件模組。
半導體製程英文: 中國晶圓代工大擴產 閎康、汎銓大單到手
矽是今天最常用的半導體材料，其他還有各種複合半導體材料。 從一開始晶圓加工，到晶片封裝測試，直到出貨，通常需要6到8周，並且是在晶圓廠內完成。 過去臺灣已有很好的硬體製造基礎，半導體產業在世界更是數一數二，現在受到美中貿易摩擦與COVID-19影響，牽動全球供應鏈重組，生產附加價值高或有信賴特性的產品，臺商已選擇回臺生產製造。 政府將掌握此契機，協助各產業導入AI、IoT、5G等智慧科技，並將臺灣將定位為「亞洲高階製造中心」，搶占全球供應鏈的核心地位。
這種製程將一個單晶的晶種（seed）放入溶解的同材質液體中，再以旋轉的方式緩緩向上拉起。 在晶種被拉起時，溶質將會沿著固體和液體的介面固化，而旋轉則可讓溶質的溫度均勻。 由化學鍵結的觀點來看，獲得足夠能量、進入導電帶的電子也等於有足夠能量可以打破電子與固體原子間的共價鍵，而變成自由電子，進而對電流傳導做出貢獻。
半導體製程英文: 製程
微小的接合線（bondwires，請參考打線接合）用來連接裸晶電片到針腳上。 在早期1970年代，接線是靠手工搭接，但現今已經仰賴特製的機器去完成同樣的工作。 傳統上，這些接線由黃金組成，引導至一片鍍銅的含鉛導線架（lead frame）。 由於鉛是有毒的，現今廠商大多為了遵守有害物質限用指令（RoHS）而不再使用含鉛材料。 台積電（2330）手握輝達和超微的先進製成AI處理器訂單，因應CoWoS先進封裝產能供不應求的狀況擴積極產，在新產能逐步開出時，相關檢測分析訂單同步釋出，這也讓閎康（3587）因此受惠，增添新成長動能，下半年營收有望逐季增長。
相對的，專門進行半導體電路研發與設計，而不從事生產、無半導體廠房的公司稱為無廠半導體公司，這些公司是晶圓代工業者的主要客戶。 無廠半導體公司依賴晶圓代工公司生產產品，因此產能、技術都受限於晶圓代工公司，但優點是不必自己負擔興建、營運晶圓廠的龐大成本。 而IDM廠商如英特爾等，亦會基於產能或成本等因素考量，將部份產品委由晶圓代工公司生產製造。 半導體製程是被用於製造晶片，一種日常使用的電氣和電子元件中積體電路的處理製程。 它是一系列照相和化學處理步驟，在其中電子電路逐漸形成在使用純半導體材料製作的晶片上。
半導體製程英文: 半導體常用英文單字：Semiconductor 半導體
封裝過的晶片會再加以測試以確保它們在封裝過程中沒被損壞，以及裸晶至針腳上的連接作業有正確地被完成，接著就會使用雷射在封裝外殼上刻蝕出晶片名稱和編號。 晶片尺寸封裝（Chip Scale Package）是另一種封裝技術。 大部分的封裝，如雙列直插封裝（dual in-line package），比實際隱藏在內部的裸晶大好幾倍，然而 CSP 晶片就可以幾乎等同於原本裸晶的大小，一片 CSP 可以在晶圓還沒切割之前就建構在每個裸晶上。 塑料或陶瓷封裝牽涉到固定裸晶（die）、連接裸晶墊片至封裝上的針腳並密封整塊裸晶。
