2020年11月12日，美光宣佈已批量出貨全球首款176層3D NAND快閃記憶體，一舉重新整理行業紀錄，實現快閃記憶體產品密度和效能上的重大提升。 美光全新的 176 層工藝與先進架構共同促成了此項重大突破，使資料中心、智慧邊緣平臺和移動裝置等一系列儲存應用得以受益，實現效能上的巨大提升。 早期的互補式金屬氧化物半導體元件和主要的競爭對手BJT相比，很容易受到靜電放電的破壞。 而新一代的互補式金屬氧化物半導體晶片多半在輸出入接腳（I/O pin）和電源及接地端具備ESD保護電路，以避免內部電路元件的閘極或是元件中的PN接面被ESD引起的大量電流燒毀。 不過大多數晶片製造商仍然會特別警告使用者盡量使用防靜電的措施來避免超過ESD保護電路能處理的能量破壞半導體元件，例如安裝記憶體模組到個人電腦上時，通常會建議使用者配戴防靜電手環之類的設備。
把現在的 2D Flash 轉 3D，相當於把建築從平房蓋成高樓。 由此可見，就算製程一路挺進，良率也難以跟上，因此每片晶圓能產出的晶粒數目並不一定會隨著晶片面積變更小而提升。 不像處理器的製程可以一路從 28 奈米、14/16 奈米、7 奈米突破；2D 記憶體製程 NAND 的製程從 2000 記憶體製程 年以來的 40 奈米挺進、開始進入 10 奈米級後，技術困難性會變得相當高，約莫在 14/16 奈米便已屆極限。 不過由於資訊尚未公布完全，很難說這幾家廠商就只有做他們所宣佈的技術方向。
記憶體製程: 記憶體並非相容於所有主機板
預期今年 DRAM 銷售額有望成長高達 39%、NAND Flash 則是 25%，兩者都還有進一步上修的可能。 因此美光積極將台灣建立成 DRAM 卓越製造中心，除了收購華亞科，也和許多台廠結盟簽約綁訂單，或許未來也有一一接手台灣生產廠的打算。 全球 DRAM 產業一度出現三大派系——韓系領導廠商有三星與 SK 海力士，日系有爾必達與東芝，美系有美光。 1990 記憶體製程2023 年代，日本爆發經濟泡沫化，讓韓系廠商趁虛而入。
快閃記憶體（英語：Flash memory），是一種像唯讀記憶體一樣的記憶體，允許對資料進行多次的刪除、加入或覆寫。 這種記憶體廣泛用於記憶卡、隨身碟之中，因其可迅速改寫的特性非常適合手機、筆記型電腦、遊戲主機、掌機之間的檔案轉移，也曾經是數位相機、數位隨身聽和PDA的主要資料轉移方式。 更值得注意的是，在32座晶圓廠中，其中只有兩座是記憶體，其他都是邏輯IC廠，至於後年開始還有53座晶圓廠要興建，這其中也大多不是記憶體廠。 從這些數字裡可以看出來，產業界對未來邏輯IC的成長很看好，但對記憶體的成長預估就很謹慎，這是有關記憶體產業的大趨勢之二。 一位半導體資深業者指出，三星近年來積極投資晶圓代工產業，似乎對記憶體領域有稍微鬆懈的感覺，但近來領導人李在鎔又加快改革，將半導體、消費電子和行動通訊3大部門的執行長全換掉，並且將業務簡化成消費電子和半導體2個部門，行動通訊併入消費電子部門。 另一方面，台、美半導體產業合作，雙方愈走愈近，這也是美中對抗後自然形成的結果。
記憶體製程: 先進製程有韓國宿敵
第一代基於3D-NAND的固態硬碟也已經開始廣泛應用於資料中心和消費級電腦。 藉助3D-NAND，固態硬碟容量得到了質的提升，在2017年中國國內一家廠商Memblaze發布的PBlaze5 PCIe SSD已經最高可以做到11TB可用容量[40]。 消費性快閃記憶體儲存裝置一般使用2的整數次冪（2、4、8等等）來標示可使用的容量大小，而最終以百萬位元組（MB）或十億位元組（GB）來表示，例如：512MB，8GB。 然而如欲取代傳統硬碟（HDD）的固態硬碟（SSD）裝置則是使用10的整數倍數來表示容量大小，如1,000,000位元組與1,000,000,000位元組，這是因為傳統硬碟標示容量大小即是使用10進制詞頭。 因此，固態硬碟上標示"64GB"，則表示實際上至少有64×1,0003位元組（64GB），通常更大一些。
未來幾年是 RRAM 發展最關鍵的時期，各國際大廠與新興公司都分別針對 MCU、Mass Data Storage 以及以記憶體為中心的全新運算架構等運用，制定出明確的 RRAM 開發Roadmap（圖 34）。 近年利用 RRAM 元件結合人工智慧運算的應用受到廣泛矚目，AI 即是基於 ANN 結構運用在圖像識別、語音辨識等場合，不同的神經網絡（如卷積神經網絡 CNN、循環神經網絡 RNN ）亦可用於人工智慧核心，提供如智能監控、智慧駕駛等相關應用。 在大多數情況下，ANN 能在外界資訊基礎上改變內部結構，是一種具備學習（Learning）功能的自適應系統。 利用 RRAM 元件取代邏輯電路中的電晶體，可以有效節省元件面積。 以 RRAM 做為邏輯元件運算時，分別以 HRS 與 LRS 代表數位訊號的 0 與 1，透過操作元件的 HRS 或 LRS 狀態改變來實現邏輯運算。
記憶體製程: 區塊抹除
就往年出貨觀察，DRAM理應是「逐季升高」的走勢，全年高點落在旺季第四季；但今年卻是第一季為高點，接著「逐季下滑」，旺季猶如起霧般、相對看不到市場需求。 換句話說，當今年旺季不旺，DRAM記憶體要維持年成長將是很大的挑戰。 此外，國際原廠持續引領著3D NAND技術研發，形成了較為厚實的技術壁壘。 但各原廠在設計方案上 的差別將會對其產出產生形成一定影響。 三星、SK海力士、鎧俠、閃迪已經相繼釋出最新100+層3D NAND產品。 合格的Flash Die原廠封裝工廠會根據需要封裝成eMMC、TSOP、BGA、LGA等產品，但封裝的時候也有不良，或者效能不達標，這些Flash顆粒會再次被過濾掉，透過嚴格的測試確保產品的品質。
冷卻之後，將固化成為記憶體晶片和 PCB 之間的永久性連結。 許多模組會額外經過自動化 X 光設備進行檢測，確保所有接合點被妥善地焊接完成。 所有美光（Micron）記憶體模組皆符合 IPC-A-610 全球認可的業界標準驗收準則。
記憶體製程: 半導體產業鏈簡介
效能高是由於元件快速開關，消耗更低能量，因為元件很小且彼此靠近。 2006年，晶片面積從幾平方毫米到350 mm²，每mm²可以達到一百萬個電晶體。 製程的每個步驟都是在內部處理，從矽晶圓製造出快閃記憶體，到建造印刷的電路板，然後組裝出產品。 接著，經過我們嚴密測試產品品質和可靠性後，才會運送至全球的客戶手中。 截至2012年，有許多的嘗試想把快閃記憶體作為電腦的主記憶體，動態隨機存取記憶體（DRAM）。 [30]在這個應用角色上，快閃記憶體的速度是比現有的DRAM慢，但是耗電量卻遠小於DRAM。
Intel 與美光共同開發了「3D Xpoint 記憶體」，雖然 Intel 與美光並沒有公開此款記憶體的細節，不過由於之前美光在 RRAM 技術上已投入不少心力，普遍認為美光應該是在研究上獲得重大突破後，找上英特爾合作生產。 除了東芝最近傳出要出售半導體業務的消息，同為日廠的爾必達早在 2012 年時已不敵虧損、而被美光併購。 去年台灣的華亞科也被美光收購，下市後成為美光 100% 持股子公司。
記憶體製程: 記憶體與儲存裝置專家 (The memory and storage experts.™)
NAND Flash在隨身碟、記憶卡與固態硬碟上都可看到。 Bank、rank、channel這些關於記憶體的名詞是否已困繞許久，疑似了解卻又說不出個所以然來。 就讓我們一步步拆解記憶體的面紗，從架構到讀寫方式逐步揭開記憶體的秘密。 為桌上型電腦增添記憶體（RAM）可立即讓電腦更快，提升系統回應能力，並達成毫不間斷的多工作業。
當FG抓到電荷時，它部分封鎖掉來自CG的電場，並改變這個單元的閾值電壓（VT）。 利用向CG的電壓，MOSFET通道會變的導電或保持絕緣。 這視乎該單元的VT而定（而該單元的VT受到FG上的電荷控制）。 這股電流流過MOSFET通道，並以二進位碼的方式讀出、再現儲存的資料。 在每單元儲存1位元以上的資料的MLC裝置中，為了能夠更精確的測定FG中的電荷位準，則是以感應電流的量（而非單純的有或無）達成的。
記憶體製程: 儲存單元電位階數劃分
但是，由於功能要求與技術製程的差異，各公司必須提供的IP種類太多，因此產生專門從事IP設計之公司。 IC設計使用CAD等輔助工具，將客戶或自行開發產品的規格與功能，藉由電路設計由IC表現出來，就是如何將一片晶片的功能從邏輯設計到晶圓設計之流程。 全球IC設計產業已進入美國、台灣與中國大陸三分天下的時代。
你買的記憶體如果是4800，那肯定沒問題，最高可以到買到(原生)5600，原生的意思就是出廠就是跑5600，不需要超頻。 問20：我的主機板是華碩的H110M-A，記憶題是DDR4-2133的目前使用二隻8g的DDR4-2400，如果我要升級買二之16g的DDR4-2666，請問可以相容嗎? 答：DDR4-2133跟2400有相容，但H110-A，這張主機板最多只能插2條記憶體，因此你沒有辦法同時插4支，而且記憶體最高只能支援到32G，這一點請注意。
記憶體製程: 晶圓基片製造
同樣做控制晶片的同業，在景氣不好時賠錢，景氣好賺上億元。 記憶體製程2023 相對地，群聯是景氣不好時賺比較少，我們景氣不好時賺5-6億元，一旦景氣好，可以賺20億元，這樣的願景大家都接受。 所以，我可以預見未來12個月，一旦情況開始好轉，產業重新洗牌後，我相信群聯的機會比別人大。 隨著現下CPU的速度越來越快，平行式介面快閃記憶體元件的速度通常遠小於與其連接的電腦系統記憶體匯流排速度。
- 閘極的電壓比源極低、超過其臨界電壓時，PMOS開關會打開。
- 據東芝表示快閃記憶體之所以命名為「Flash」是由舛岡博士的同事有泉正二建議，因為這種記憶體的抹除流程讓他想起了相機的閃光燈。
- SLC快閃記憶體的優點是傳輸速度更快，功率消耗更低和儲存單元的壽命更長。
- 要理解QLC種種問題的由來，以及克服這些問題的方法，必須先對NAND快閃記憶體的基本構造與運作方式，有一定理解，我們先解釋QLC固有問題的由來，然後再介紹解決這些問題的手段。
- 我們使用內部工程師針對燒機測試研發，領先業界的 AMBYX 加熱箱來進行燒機測試。
- 1.1V 工作電壓下的DDR5 比起 1.2V 工作電壓下的 DDR4 等效組件減少約 20% 功耗。
對於SLC來說，閾值電壓只需維持2種狀態，2種電壓狀態可以區隔的很遠，即便出現較大幅度的閾值電壓偏移，也仍能很容易地判別儲存單元的位元狀態，所以SLC可容許更多次的抹寫循環，而無需顧慮由此帶來的閾值電壓偏移。 先天上，NAND快閃記憶體就存在著寫入抹除磨損、讀取干擾（Read Disturbance）、寫入干擾（Program Disturb），以及資料保持（Data Retention）等問題，這些狀況大都與快閃記憶體儲存單元氧化層的磨損有關。 有了 3D NAND 後，廠商終於不需要再受 2D Flash 製程卡關困擾，轉而堆疊更多的層數就可以保證容量增長，穩定性也夠。
記憶體製程: 記憶體就是晶片界的優等生，不僅反應速度快、更要記憶力超群
目前新版的CPU-Z對DDR5已經改用2 x 32-bit、4 x 32-bit標示而不是通道數了。 答：大部份的3D遊戲單開的話8G也夠，加到16G並不會比較快，不過如果預算OK建議直接加到16G或32G，一勞永逸。 簡單講，看你是要CP值(DDR4)，還是最新(DDR5)，如果單看效能來說，現階段DDR5並沒有明顯的比較快，你也感覺不出來比較快，不過隨著DDR5越來越便宜，未來主流肯定是DDR5了。 注意：DDR5跟DDR4不能混插，你如果選擇了DDR4，將來是不能升級成DDR5的，除非你把主機板跟記憶體全部換掉。
被廣泛用於 eMMC/eMCP，隨身碟，SSD等市場。 此外，早期的互補式金屬氧化物半導體邏輯元件（如4000系列）的操作範圍可由3伏特至18伏特的直流電壓，所以互補式金屬氧化物半導體元件的閘極使用鋁做為材料。 而多年來大多數使用互補式金屬氧化物半導體製造的邏輯晶片也多半在TTL標準規格的5伏特底下操作，直到1990年後，有越來越多低功耗的需求與訊號規格出現，取代了雖然有著較簡單的訊號介面、但是功耗與速度跟不上時代需求的TTL。 此外，隨著MOSFET元件的尺寸越做越小，閘極氧化層的厚度越來越薄，所能承受的閘極電壓也越來越低，有些最新的互補式金屬氧化物半導體製程甚至已經出現低於1伏特的操作電壓。 這些改變不但讓CMOS晶片更進一步降低功率消耗，也讓元件的性能越來越好。 記憶體製程2023 隨機存取記憶體是最常見類型的積體電路，所以密度最高的裝置是記憶體，但即使是微處理器上也有記憶體。
記憶體製程: 半導體製程持續微縮，推動新興記憶體發展
另一方面，經過五十多年的發展，快閃記憶體的容量增勢迅猛，從GB上升到TB，3D NAND快閃記憶體顆粒技術的實踐使快閃記憶體容量進一步提升，未來有望進一步提升。 SLC主要針對軍工，企業級應用，有著高速寫入，低出錯率，長耐久度特性。 MLC主要針對消費級應用，容量高於SLC2倍，低成本，適合USB閃盤，手機，數碼相機等儲存卡，如今也被大量用於消費級固態硬碟上。 PS：每Cell單元儲存資料越多，單位面積容量就越高，但同時導致不同電壓狀態越多，越難控制，所以導致顆粒穩定性越差，壽命低，各有利弊。
新北市政府將持續以「馬拉松」精神，長期陪伴企業夥伴在新北持續擴大投資成果。 「Be honest，這很難說，」吳敏求直言，台廠一定會活下來，只是會不會像現在這麼漂亮，同樣很難說，「但現在確實是台灣半導體產業最好的時刻！可能比過去20、30年都好」。 記憶體製程 年產值高達1900億的記憶體產業，向來是產業關注焦點。 記憶體大廠旺宏電子董事長吳敏求，出席《哈佛商業評論》「數位轉型鼎革獎」頒獎典禮時，再度抨擊外資法人「看淡」記憶體產業的報告。 話題一波接一波的半導體產業，持續維持高度聲量，其中起起落落的記憶體產業，是否已到景氣反轉點？
