台積電在4月中的法說會曾透露，預計今年下半年量產3奈米，2奈米製程的量產時間則落在2025年，沒想到三星上周公開表示，公司將在未來幾周內量產3奈米。 若此事成真，三星將搶先台積電量產3奈米，然而三星在製程利率的問題仍是外界關注焦點，先前有外媒披露，三星3奈米的良率最高僅2成，迫使部分IC 設計大廠選擇轉單至台積電。 市場研究及調查機構 Trendforce 數據顯示，2021 年第二季台積電市占率為 52.9%，領先三星 17.3% 超過 3 倍。
三星的策略是今年上半年把GAA技术应用于3纳米制程，计划明年把GAA技术导入第二代3纳米晶片。 而台积电的策略则是在今年下半年以稳定的FinFET制程，进入3纳米半导体市场。 據三星說法，與台積電鰭式場效電晶體（FinFET）架構製程相比，GAA技術可將晶片面積減少45%，同時性能提高30%，功耗降低50%。 消息人士透露，三星對於缺乏3奈米IP庫感到不安，因為代工廠需要獲得大量IP，才能獲得無晶圓廠公司的訂單，因為客戶希望縮短開發過程的時間，如果代工廠有許多預先存在的IP，就可以拿下訂單。 《businesskorea》這篇報導也指出，今年早些時候，一些產業觀察家還擔心三星電子可能會因為低良率問題而推遲3奈米的大規模生產，但這些擔憂被證明是毫無根據的。 這一篇期刊文章刊出後，廣受半導體界關注，主要原因在於，全球科學家已面臨傳統半導體材料的物理瓶頸，突破瓶頸的方法之一，就是利用二維材料解決電子傳輸干擾問題，這個集結化學、物理、電子三大領域人才研發出來的結果，巧妙地成為台積電在先進製程上的優勢。
三星三奈米: 全球半導體營收龍頭 三星氣走英特爾
除了極紫外光（EUV）微影、3D封裝，台積電還有哪些延續「摩爾定律」的絕招？ 看一個登上《自然》的材料研發成果，如何替台積電取得三奈米以下製程的發展優勢。 三星三奈米 不过，根据彭博社报导，该法案的补助条件是，厂商10年内不得在中国或是其他“不友善”的国家建置新的晶圆厂，或扩充先进制程产能。 《纽约时报》评论称，一向反对政府高度干预商业的共和党，此刻支持民主党法案，罕见达成两党共识，除了扶持美国本土半导体之外，也是为了围堵中国半导体产业。
該法案旨在協助美國半導體產業自給自足，並補助「價值相近」的外國半導體大廠在美設廠，擴展就業機會。 但是，該法案在補助外國大廠的但書（法律文本）上，要求受補助者10年內不得在中國建造新的半導體廠房等。 台經院產經資料庫研究員暨總監劉佩真也說，三星仍未實際接獲3奈米訂單，今天宣布量產3奈米製程，宣傳意義應大於實質意義。 据BusinessKorea报导，GAA是改善半导体电晶体结构的下一代制程技术，让闸极能够接触电晶体的四个侧面，相较于当前鳍式场效电晶体（FinFET）只能接触电晶体三个侧面的情况，GAA结构可比FinFET制程更精准控制电流。 據外媒 《tomshardware》 報導，GAA技術有2種，一種是採用奈米線做為電晶體鰭片的GAAFET，另外一種則是奈米片形式的較厚鰭片的多橋通道場效應電子電晶體 MBCFET，一般大多是以GAAFET來描述。
三星三奈米: 三星 2022 年量產 3 奈米，2 奈米 2025 年推出，讓英特爾減輕壓力
隨著李在鎔接管三星事業，希望在晶片製造、5G網路等先進領域中建立領先地位，Park的評論也暗示著，三星正加速與台積電的競爭腳步。 不過，根據市場消息來看，台積電、三星推出5奈米、3奈米時程幾乎相同，但台積電在5奈米已經有多家客戶宣示要拿下產能，三星在市場佔有率一戰恐怕先輸。 根據韓媒《THE ELEC》報導，三星代工（Samsung Foundry）正在努力與客戶進行產品設計，以及量產的質量測試，希望可以擊敗台積電，不過三星能否滿足客戶在3奈米製程要求的性能及良率，仍有待觀察。
在成本模型難以建立的情況下，三星難以對客戶報價，預料三星的3奈米GAA技術應僅自用，不會有外部的客戶。 南韓半導體分析師Greg Roh日前受訪正面看待三星3奈米製程進展，表示三星3奈米製程良率提升速度遠高於市場預期，新增客戶速度相當快。 BusinessKorea报道说，据传三星6月初已导入3纳米GAA制程，进行试验性量产，成为第一家运用GAA技术的公司，希望技术能达成量子级的跃进，缩短和台积电之间的差距。 實際上，GAAFET早在1988年就問世，該種設計更有效擴張接觸面積，理論上讓性能與功耗大幅改善，但在當時電晶體通道只能加寬1或2倍，精度難以控制，甚至使得效率變差，導致FinFET更早一步被業界踏入先進製程領域廣為使用。
三星三奈米: “未取得进展” 美国伊朗间接核协议谈判结束
根據《華盛頓郵報》，作為美國半導體最大廠的英特爾可以從該法案獲得約2百多億美元的挹注。 三星三奈米2023 不過，除了補助美國半導體發展，現階段美國仍需要台積電及三星提供高階晶片，也由於安全及就業問題，希望這些高科技大廠在美國設廠生產晶片。 全球晶圓代工龍頭台積電在該領域的競爭對手三星電子誓言在2030年成為全球系統半導體龍頭，並採用極紫外光（EUV）微影技術，打算在10年內超越台積電，並提前在3奈米製程就採用環繞閘極技術（Gate-All-Around,GAA）。 最新資料顯示，三星先前在IEEE 三星三奈米 國際積體電路會議上，就能見到3奈米製程GAA技術的發展。 針對3奈米製程，三星晶圓代工設計平台開發執行副總Park Jae-hong向與會者表示，三星已與關鍵伙伴共同研發初始設計工具。
報導稱，PanSemi 將是第一個使用或至少試運行其3奈米代工工藝的三星客戶，但它不會是唯一一個，高通也在三星客戶的名單上。 今年1月，三星高調宣布已成功開發三奈米晶片製程，就在三星叫陣的同時，台積電反將一軍，直接從材料領域關鍵環節大步超前。 另一方面，台積電4月中法說會曾提到，3奈米製程預計年底量產，2奈米按照進度開發，預計2024年進入風險試產階段，於2025年量產。
三星三奈米: 三星稱 3 奈米 GAA 製程進度領先台積電！將搶先商業化
台積電3奈米使用的是FinFET架構，與三星使用的GAA架構不同，台積電要是在2奈米才轉向使用GAA架構。 欧洲方面，美国这两年则持续动用外交手段，阻断艾司摩尔公司销售EUV机台中国半导体厂商。 荷兰外交部长胡克斯特拉（Wopke Hoekstra）今年7月13日便证实，美国正与荷兰磋商有关禁止艾司摩尔向中国大陆出口晶片制造技术及销售EUV机台相关事宜。 三星三奈米 许多分析称，美国试图与台韩甚至日本结盟，在东亚半导体建立排除中国的“干净产业炼”的战略越来越明显。 卡普里向BBC强调，美国并非正在扼杀台湾或韩国的半导体发展，而是“策略性”的与台韩在内的关键供应商，在电动汽车、物联网和电信等新兴领域上加强合作，“这是涉及经济和技术的反馈”。
- 除了期望製程技術領先，三星也希望新製程技術推出時間先於台積電。
- 在美中貿易戰持續激烈的背景下下，美國能否成功在半導體界拉攏盟友，中國如何抵禦美國牽制，都是未來焦點。
- 根據《日經新聞》（Nikkei）統計，目前台積電擁有50台艾司摩爾EUV機台，三星則有20台。
- 此外，6月，三星负责人李在镕飞抵荷兰，与全球最大晶片光刻机（又称曝光机）供应商艾司摩尔（ASML）高层会面，称三星已确保能取得“额外”的极紫外光（EUV）设备，并保证光刻机机台能在韩国组装。
2022年起，台積電、三星及英特爾（Intel）代表台灣、美國及韓國三強，在晶圓代工領域的技術領先。 根據半導體研究機構集邦諮詢（Trendforce）統計，2022年首季，台積電於全球晶圓代工領域的佔比達53.6％，位居第二的三星則達16.3％。 三星積極爭搶晶圓代工市場版圖，為彎道超車勁敵台積電，決定在3奈米搶先採用環繞閘極（GAA）架構，並趕在台積電3奈米下半年量產前，於上半年的最後一天宣布3奈米GAA技術量產。
三星三奈米: 台湾台积电晶片涨价，如何影响全球半导体供应链
6月22日，三星电子否认了韩国当地媒体《东亚日报》有关延后3纳米量产的报道。 三星一位发言人通过电话表示，三星目前仍按进度于第二季度开始量产3纳米芯片。 為了應付不斷增長的5G 設備產能需求，三星2017 年就在大陸西安進行為期3年的設廠計畫，首階段投入70 億美元，提高NAND 快閃記憶體產能，第二階段再投入80 億美元幫助晶片研發計畫順利進行。
艾司摩尔是高阶晶片制程的设备制造商，该公司全球独家生产的EUV机台，是确保晶圆切割精确的机台，因此成为半导体大厂的必争之地，也被认为是李在镕亲自飞往荷兰与该国政府及厂商谈判的原因。 外電報導，三星 6 日宣布 3 奈米製程將自 2022 年量產，更先進的 2 奈米製程於 2025 年量產。 根據路透社，在今年5月拜登及尹錫悅總統訪問三星廠房後，三星集團隨即在5月底宣佈，該公司未來五年資本支出將增高至450兆韓元（約3,600億美元）領域，是該集團成立數十年以來最大的投資金額。 台北智庫「台灣經濟研究院」分析師劉佩真告訴BBC中文稱，今年5月美國總統拜登（Joe Biden）上任的首次亞洲行首選韓國，並親訪三星，加上三星宣佈將大舉投資美國及宣佈設廠，未來韓國政經情勢上往美國靠攏的機會較大。 「台灣現階段政府較為親美，而兩岸關係較為緊張，因而美國極力拉攏台、韓、日等國共同抗中的形勢日趨顯著」，她說。
三星三奈米: 快訊／台積電高雄廠製程定案！ 公司證實：設2奈米廠
三星計畫在2022上半年完成3奈米製程GAA技術的質量評估，希望可以超車台積電，成為全球第一個推出自家3奈米技術的公司，不過外媒透露，儘管三星為轉向下一個半導體先進製程做出努力，三星在建立3奈米技術的專利IP數量仍落後。 相較三星延後推出 3 奈米製程，晶圓代工龍頭台積電也傳出可能延遲的消息。 台積電與三星傳出 3 奈米製程延遲推出，外界評估可讓處理器龍頭英特爾較緩解壓力。 英特爾 2021 年宣布重返晶圓代工市場，將與台積電、三星兩家廠商競爭，對手傳出延後推出先進製程，對時程相對落後的英特爾顯然是好消息。 科技網站WccfTech分析，同樣接到高通公司（Qualcomm）升級版Snapdragon 8 Gen 1處理器的4奈米晶片訂單，三星代工的晶片良率為 35%，台積電則達70%，這使高通最後選擇了台積電成為其代工伙伴。 不過，高通的第一代Snapdragon 7 Gen 1仍繼續讓三星晶圓代工，三星仍是高通的第三大客戶。
〔財經頻道／綜合報導〕韓媒報導，南韓科技大廠「三星電子（ Samsung ）」預計將在本週四（30日）正式宣布量產3奈米晶片。 7月25日，英特尔宣布，台积电的第二大客户，即主要生产大陆手机的台湾IC设计大厂联发科（MediaTek），将成熟制程（泛指7奈米以上的晶片）的一笔订单给了英特尔。 外界分析，在美国晶片法案的影响下，联发科必须开始表明与美国合作。 歐洲方面，美國這兩年則持續動用外交手段，阻斷艾司摩爾公司銷售EUV機台中國半導體廠商。 荷蘭外交部長胡克斯特拉（Wopke Hoekstra）今年7月13日便證實，美國正與荷蘭磋商有關禁止艾司摩爾向中國大陸出口晶片製造技術及銷售EUV機台相關事宜。 2020年底，美國禁止企業向中國出售可用於製造10奈米或更先進制程設備。
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但是，该法案在补助外国大厂的但书（法律文本）上，要求受补助者10年内不得在中国建造新的半导体厂房等。 但基於商業誠信及對投資者及股東負責，基本上廠商都會在財報中揭露大致數據，客戶端其實也有專門推算的部門。 但是，許多分析指出，尖端晶片生產的「良率」（yield）才是決勝之處，而過去GAA技術是「先做出成品」後才能確定成功或失敗，風險較大。 美國總統拜登（Joe Biden）上台後力推的晶片法案（CHIPS Act），本周三已經在參議院通過，預計眾議院周四表決。
6月21日，韩媒BusinessKorea报导，三星为赶超台积电，加码押注3纳米环绕闸极技术（GAA）技术，希望未来三年建立GAA技术的3纳米晶片制程，并在2025年量产以GAA制程为基础的2纳米晶片。 〔財經頻道／綜合報導〕三星電子正在為其下一代晶片業務注資1160億美元，《彭博》今報導，三星計畫在2年後批量生產3奈米晶片，以盡快縮小與台積電的距離。 吳金榮指出， 台積電三奈米採用FinFET（鰭式場效電晶體）技術，雖然是比較保守的策略，但是預估台積電二奈米可能也會採用GAA（閘極環繞）技術，而現在因為 FinFET（鰭式場效電晶體）技術比較成熟，所以預計三星進度會較台積電延遲一季。 吳金榮表示，現在供應鏈傳出來的消息不太一樣，現在是三奈米確定明年都會出來，那台積電原本就預告是在2022年的下半年，雖然三星沒有講什麼時候，並樂觀地說自己會比台積電快，但三星採用的是GAA（閘極環繞）技術，跟以前五奈米、七奈米的技術都不一樣， 困難度比較高。
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從商業角度來看，這是避免依賴單一供應商可能帶來的風險，但從地緣政治來看，則是各個經濟體謀算保全自己的利益。 國內法人指出，三星向來慣用低價策略吸引客戶，報價便宜或許可能爭取上海磐矽半導體訂單，不過散熱問題是三星的痛點，高通訂單就因此回流台積電；三星3奈米GAA製程能否解決漏電、散熱問題有待觀察。 三星（Samsung）宣布 3 奈米 GAA 技術量產，產業專家表示，全球 GAA 生態系統尚未完全到位，三星 3 奈米 GAA 技術量產是「趕鴨子上架」，目前應僅自用，並無外部客戶。 三星则希望押注3纳米环绕闸极技术（GAA）技术，将在未来三年完成建立GAA技术的3奈米晶片制程，并在2025年量产以GAA制程为基础的2纳米晶片。
《彭博》報導，三星晶圓代工部門的1位高官，上月在1項邀請活動中向與會者表示，他們將在2022年擴大生產3奈米晶片，這代表三星將與台積電在同年競爭3奈米晶片的里程碑。 吳金榮分析，產業界朋友談到三星五奈米的效能跟台積電七奈米差不多，就算是最近三星推出的五奈米加強版也沒有台積電五奈米好，而且高通大量採用三星五奈米，還有小米11也採用高通驍龍888晶片，結果跑分結果也是比採用台積電五奈米的華為和蘋果手機差。 此外，若三星3奈米製程良率今後仍未大幅提升，預計高通依然會將下一代旗艦平板Snapdragon 8 Gen 2晶片訂單交由台積電代工。
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此外，台灣法規限制台積電在中國大陸至多只能生產14奈米晶片。 許多分析稱，美國試圖與台韓甚至日本結盟，在東亞半導體建立排除中國的「乾淨產業煉」的戰略越來越明顯。 卡普裏向BBC強調，美國並非正在扼殺台灣或韓國的半導體發展，而是「策略性」的與台韓在內的關鍵供應商，在電動汽車、物聯網和電信等新興領域上加強合作，「這是涉及經濟和技術的反饋」。 有分析稱，即便台積電在代工晶片的市佔率高出全球一半以上，但是除了蘋果之外，高通與輝達（NVIDIA）等大客戶仍然沒有完全截斷與三星或英特爾的訂單。
- 韩联社报导，据介绍，与前几代使用鳍式场效应电晶体（FinFET）的晶片不同，第一代3奈米工艺采用GAA电晶体技术，大幅提升了效能。
- 2020年底，美國禁止企業向中國出售可用於製造10奈米或更先進制程設備。
- 三星強調，晶片製造技術進步將使電晶體縮小，就能把更多晶體管壓縮到一個晶片，提高處理速度並降低功耗，這也是三星 3 奈米製程用新一代全環繞柵極 (GAA) 製程的原因。
- 《businesskorea》這篇報導也指出，今年早些時候，一些產業觀察家還擔心三星電子可能會因為低良率問題而推遲3奈米的大規模生產，但這些擔憂被證明是毫無根據的。
- 2020年底，美国禁止企业向中国出售可用于制造10奈米或更先进制程设备。
从商业角度来看，这是避免依赖单一供应商可能带来的风险，但从地缘政治来看，则是各个经济体谋算保全自己的利益。 根据《日经新闻》（Nikkei）统计，目前台积电拥有50台艾司摩尔EUV机台，三星则有20台。 根据路透社，在今年5月拜登及尹锡悦总统访问三星厂房后，三星集团随即在5月底宣布，该公司未来五年资本支出将增高至450兆韩元（约3,600亿美元）领域，是该集团成立数十年以来最大的投资金额。 但是，许多分析指出，尖端晶片生产的“良率”（yield）才是决胜之处，而过去GAA技术是“先做出成品”后才能确定成功或失败，风险较大。 他说，目前半导体业界判断，台积电2025年计划生产的2奈米晶片，苹果仍有可能是优先客户，判断来自苹果和台积电正在联合开发1奈米晶片，用于增强苹果未来想要推广的和苹果汽车计划。 该法案旨在协助美国半导体产业自给自足，并补助“价值相近”的外国半导体大厂在美设厂，扩展就业机会。
三星三奈米: 三星叫陣！台積如何反將一軍？關鍵材料團隊曝光
三星預計 2022 年推出第一代 3 奈米 3GAE 製程技術，2023 年推出更新一代的 3 奈米 3GAP 製程技術，2025 年以 2 奈米 2GAP 製程技術投產。 艾司摩爾是高階晶片制程的設備製造商，該公司全球獨家生產的EUV機台，是確保晶圓切割精確的機台，因此成為半導體大廠的必爭之地，也被認為是李在鎔親自飛往荷蘭與該國政府及廠商談判的原因。 根據韓媒韓聯社報導，三星稱，與現有台積電生產5奈米晶片的鰭式場效電晶體（FinFET）制程相比，GAA技術允許晶片的尺寸縮小35%、能耗降低50%，而性能能夠提高30%。 楊瑞臨說，屆時GAA技術相關生態系統將趨於完備，符合台積電採用奈米片電晶體架構的2奈米製程於2025年開始量產時程規劃，預期台積電在先進製程技術上仍將維持領先地位。
三星認為，雖然 GAA 技術困難度很高，但三星仍努力降低單晶片成本。 三星強調，與 5 奈米製程相較，三星首個 3 奈米 GAA 製程技術將允許晶片面積減少 35%，性能提高 30% 或功耗降低 50%。 除了功耗、性能和面積 (PPA) 改進，隨著製程技術成熟，3 奈米良率正在接近 4 奈米製程。
三星三奈米: 三星宣布 3 奈米 GAA 量產，專家：趕鴨子上架
〔財經頻道／綜合報導〕南韓三星（Samsung）3奈米製程GAA技術因專利IP數不足，現階段良率僅維持在10%~20%，雖然4奈米有較高的35%良率，不過僅達到台積電4奈米70%良率的一半，也成了台積電拿下高通訂單的關鍵。 消息人士指出，三星缺乏3奈米IP庫，是因為與台積電等競爭對手相比缺少客戶。 三星目前有蘋果、高通及三星系統LSI作為客戶，但為了維持競爭力，需要保護與這些客戶相關行業之外的IP。
與三星最近完成5 奈米製程產品相比，3 奈米製程晶片尺寸縮小了35％，功耗降低了50％，但性能卻提高了30％。 另南韓媒體《businesskorea》稍晚也報導，三星電子晶圓代工將於明（30）日開始GAA技術架構的3奈米製程；且指稱三星這一家韓國半導體巨頭已經奠定了趕超全球第一晶圓代工大廠台積電的基礎。 據南韓媒體《thelec》報導，三星在本週搶先台積電宣布量產閘極全環電晶體（Gate-All-Around，GAA）技術 3 奈米。 三星此前曾在其第1季度電話會議上表示，它將在 2022 年上半年成為全球第一家製造 3奈米 GAA 的公司；但消息人士稱，該公司的產量還很小，更多的是試運行，而不是量產。 韩国半导体大厂三星电子（Samsung Electronics）今年下半年开始量产3纳米（台湾译奈米）的半导体晶片（chip，又称芯片）。
