EcoGaN™是透過更大程度優化GaN的低導通電阻和高速開關性能，助力應用產品進一步節能和小型化的ROHM GaN元件。 該系列產品有助應用產品進一步降低功耗、實現周邊元件小型化、減少設計工時和元件數量。 目前 SiC 基板主要由 Cree、II-VI、英飛凌（Infineon）、意法半導體（STM）、ROHM、三菱電機（Mitsubishi）、富士電機（Fuji Electric）等國際大廠主導，以 6 吋或 8 吋晶圓為主；台廠則以 4 吋為主，6 吋晶圓技術尚未規模化生產。 從技術層面來看，GaN-on-Si 和 GaN-on-SiC 有不同問題待解決，除了製程困難、成本高昂外，光是材料端的基板、磊晶技術難度就高，因此未能放量生產。 GaN-on-Si 製程要將氮化鎵磊晶長在矽基材上，有晶格不匹配的問題須克服。
根據Automative from Ultimamedia研究報告預測，從2020年至2040年的20年間，電動車銷售數預估將成長超過20倍，電動車也將在2040年占所有類型動力車的一半比例。 京瓷提供各種分離器件產品，從小容量產品到大容量產品，以滿足各種客戶需求，包括肖特基勢壘二極體（SBD） - 具有更低的正向壓降（Vf）和更快的反向恢復時間；以及快速恢復二極管（FRD） - 具有高反向電壓。 功率半導體大致可分為功率離散元件 (Power Discrete) 與功率積體電路 (Power IC) 二大類，其中，功率離散元件產品包括 MOSFET、二極體，及 IGBT。
功率半導體元件: D882 三極管 TO-252 大芯片 功率晶體管 雙極型晶體管 電子元器件
京瓷提供的電源模組採用多種封裝技術，適用於需要高可靠性設備和車載設備市場的工業領域。 隨著電力的有效使用變得越來越重要，我們為逆變器和變頻空調等提供電源模組。 預估2022年營收156.89億元，YoY+11.98%，EPS為5.62元。
- 功率MOSFET和側向MOSFET的結構不同：就像大部份功率元件一樣，其結構是垂直的，不是水平的。
- 綜合以上分析及 WolfSpeed 釋出的展望，也能交叉確認 SiC 未來需求強勁。
- 根據環宇規劃，晶成 6 吋晶圓廠預計 2021 首季量產出貨，氮化鎵 RF 射頻晶圓月產能可達 2000 片，將開始貢獻營收。
- 目前在晶圓測試端，同樣往微針距邁進，探針直徑較小的垂直式探針卡、MEMS 探針卡需求越來越高（註）。
- 穎崴因產品線完整、服務據點廣等優勢，為全球測試介面領導廠商之一，下文將進一步分析公司在測試產業的成長動能。
強茂為台灣功率半導體製造商，目前為國內最大整流元器件製造商，整流元器件市佔全球第7，2019年營收全球同業排名19，在二極體領域全球市佔率約1.3%。 功率半導體元件 公司生產基地在高雄岡山、中國深圳、無錫等，其中，岡山廠與深圳廠主要生產小訊號二極體，無錫廠生產傳統二極體。 IGBT結合了場效電晶體閘極易驅動的特性與雙極性電晶體耐高電流與低導通電壓壓降特性，IGBT通常用於中高容量功率場合，如切換式電源供應器、馬達控制與電磁爐。 大型的IGBT模組應用於數百安培與六千伏特的電力系統領域，其模組內部包含數個單一IGBT元件與保護電路。
功率半導體元件: 發展歷史
依據工研院產科國際所統計，近年5G相關半導體市場規模最大者為基頻、應用產品核心處理器，以及射頻晶片的發展，這也是年複合成長率較高的兩項產品。 由於疫情影響，IoT 裝置數目暴增，可大量串連各裝置的5G技術重要性更為提升，從電信營運商投資5G的情況可見一斑。 功率半導體元件 另外，由疫情所帶來IoT裝置需求數量的增加，可能會強化廠商後續投資的力道。 目前，在全球追求淨零碳排的趨勢下，各國汽車產業普遍面臨燃油車限制以及新能源車補貼的雙重政策，連帶也加速新能源電動車產業發展。 全球超過20個國家訂定汽車電氣化或燃油車禁售令，目標時程落在2025年至2050年之間，其中又以歐洲國家最為積極。
因為下世代通訊應用需求增加，高頻元件變得更加活躍，尤其在5G/B5G通訊的相關基礎建設方面，隨著頻段變得越來越高，具有高電子遷移率的化合物半導體元件開始有取代矽基的高頻元件的趨勢，並從5G基地台通訊的頻段開始進入市場，未來應用在高頻通訊的化合物半導體元件更將被關注。 一個分支即是以積體電路為代表的微電子器件，特點為小功率、密集化，作為信息的檢視、傳送和處理的工具一類就是電力電子器件，特點為大功率、可靠性高。 功率半導體產品應用之範圍廣泛，在電子產品功能整合的趨勢下，單一電子產品具備多項功能，每項功能皆必須有獨立之電源提供所需之特定電壓或電流，因此必須有各類之電源轉換將電池或是電之單一電壓轉換為各種需求，這類電源轉換必須藉由功率半導體完成。 市場最為熟知的是微電子元件，強調體積小、高效低耗，運用在各種資訊計算、處理及傳輸的工具；而另一類就是電力電子元件，又稱為功率半導體元件，特點為大功率、快速化，是電子裝置的電能轉換與電路控制的核心；廣泛應用於電力系統、再生能源、馬達驅動、電池儲能，等各種電力應用裝置。
功率半導體元件: CMOS 開關與放大器
4.NB：立錡近期為了搶NB Non-Vcore市佔率因此大幅降價，預期在下半年會有COST DOWN版本推出。 關於NB Vcore的產品，有相當程度的把握，目前已經有下一代平台Calpella的Design win訂單，一旦INTEL推出後，將會開始貢獻營收，為明、後年營收成長動能。 法人指出，富鼎在IGBT市場已經開始量產出貨，目前挹注業績雖仍不明顯，但後續IGBT市場逐步成長之際，富鼎營運可望隨之提升。 被動元件泛指沒有參與電訊號調變的電子元件，所謂「沒有參與電訊號調變」是指無法控制電子（電洞）導通或不導通，換句話說，被動元件只是單純地讓電子（電洞）通過，但是在電子（電洞）通過被動元件的過程中可能會產生一些電場或磁場的效應，主要分為電阻、電容、電感三種，如＜圖一＞所示。 ●WBG（Wide Band Gap）效能遠大於Silicon：WBG(Wide Band 功率半導體元件2023 Gap)產品的功率元件，效能遠高於矽製成的功率元件，終端產品節能效果將會大大提升。 韓國首爾2023年8月28日 /美通社/ -- 盈球半導體設備股份有限公司(SurplusGLOBAL)宣布將參加於2023年9月6日至8日在台灣台北南港展覽館舉行的2023台灣國際半導體展（SEMICON TAIWAN 2023）。
相較於傳統矽基模組效能，碳化矽（SiC）可減少約50%的電能轉換損耗，降低約20%的電源轉換系統成本，提升電動車約4%的續航力。 功率MOSFET是最常見的功率半導體（英語：power semiconductor device），原因是因為其閘極驅動需要的功率小、以及快速的切換速度[3]、容易實施的並聯技術[3][4]、高頻寬、堅固性、偏壓簡單、容易使用、也容易維修[4]。 功率MOSFET可以用在許多不同的領域中，包括大部份的電源供應器、直流-直流轉換器、低電壓電機控制器等，以及許多其他的應用。 目前下游產業已利用碳化矽在高壓、高溫、高功率、高頻等方面的優勢開發出新一代半導體元件，碳化矽襯底的下游應用主要為射頻元件及功率元件，其下游應用發展情況較好。
功率半導體元件: CJ/江蘇長晶 S8050 封裝SOT-23電子元器件 絲印J3Y NPN功率三極管
台灣是全球的專業晶圓代工大國，半導體IC產業為台灣經濟成長貢獻良多，但由於半導體IC的生產製造技術門檻高以及需要龐大的資金，產業競爭相當激烈，過去台灣專注在生產製造方面，製程關鍵設備技術大多掌握在國際大廠手中，維修及零組件更換的時效操之在人，不利設備更新的維持。 台灣前期僅能從代工方面賺取利潤，半導體製程設備占了相當大比率的支出成本，在發展半導體產業的同時，也期望朝製程設備產業推動，將製程設備國產化才可有效地控制製造成本，掌握下世代生產製造的關鍵技術。 製程設備在台灣半導體產業成為重要發展目標，高階結構陶瓷在其中是不可忽視的樞紐。 功率半導體元件 Mosfet市場競爭激烈，競爭對手除了國際大廠之外還有台系廠商及大陸廠商，也因此價格壓力相當大，2008年台灣Mosfet IC設計公司ASP平均都下滑有20%以上的降幅。
意法半導體在2019年12月收購瑞典SiC晶圓製造廠Norstel，此次併購將強化意法的SiC生態系統，Norstel將被完全整合到意法半導體的全球研發和製造業務。 功率半導體元件2023 6吋碳化矽裸晶圓和8吋磊晶圓是未來意法半導體的重點研究領域，以應對日益增長的汽車和工業市場。 電動車市場隨著各國陸續制定相關燃油車禁售令時程，導致各車廠也朝電動車的方向發展，電動車所需的開關元件、穩壓元件、變頻器、變壓器、整流器、車載充電器也會迅速成長。
功率半導體元件: APAN3105 DIP-4 功率繼電器 電子元器件 芯片貼片微控制器 半導體
功率半導體主要用作電子元件中的開關及整流器，同時是矽、砷化鎵、氮化矽等半導體材料，是在經過電學屬性調整等一系列工藝後，所得到的電學元件。 目前國內與功率半導體相關的廠商，從上游磊晶的嘉晶、漢磊；晶圓代工台積電、世界、聯電、茂矽；晶圓薄化昇陽半導體；下游MOSFET廠商為大中、尼克森、富鼎、杰力；二極體則為強茂、台半、德微；封測廠捷敏ＫＹ；導線架廠則有順德與界霖；散熱模組健策與艾姆勒等。 太極子公司盛新材料布局長晶，生產碳化矽基板送樣客戶測試，預計今年第 1 季即可通過，有機會進入量產階段。 根據公司員工透露，生產的晶圓良率超過 3 成就能賺錢，今年公司內部希望良率突破 6 成，量產可能要等到第 2 季底。 此外，台積電的子公司世界先進，在氮化鎵與碳化矽領域代工生產，已經布局 4 年，今年將可進入量產的前期商機。
上一集我們簡單介紹了功率半導體產業，今天我們要進一步來聊聊：美股中有哪些功率半導體巨頭值得追蹤；同時我們也會分享如何透過台股供應鏈，追蹤這些美股公司的營運變化。 要了解積體電路（IC）的組成，就必須先學習「半導體元件」，就好像要了解生物體，就必須先學習「細胞」一樣；「半導體元件」是組成積體電路（IC）的最小單位，而「細胞」是組成生物體的最小單位；「不同的半導體元件」排列組合形成不同功能的積體電路（IC)，「不同的細胞」排列組合形成不同種類的生物體。 ●TDDI為驅動IC廠最大成長動能：隨著內嵌式面板滲透率不斷提升，帶動TDDI需求不斷成長，2018年出貨量約4億顆，預估2019年TDDI數量約成長至5~6億顆以上。 宏遠投顧副總陳國清說，因此看好台積電、聯電、聯發科、創意、智原、世芯、譜瑞、祥碩、晶心科、瑞昱、聯詠等公司發展。 智慧型手機新趨勢改變，帶動屏下指紋、高階Sensor、TWS等產業，台股受惠廠商包含瑞昱、原相、矽創、聯發科、神盾、台積電等等。 此外進入 5G 世代，5G 的高流量資料處理使得基地台電源消耗是 4G 基地台的 3 倍，因此 5G 基地台帶來更多的電源管理需求，有機會帶動一波功率半導體市場榮景。
功率半導體元件: 相關連結
由於5G智慧型手機傳輸速度較4G更快，射頻元件數量更多，不可避免將增加功耗、耗電速度。 隨著使用者對充電效率要求逐步提升，品牌廠推出USB-PD快充功能，目前大多以Type-C線材做為快充的充電線材，為支援更高規格的傳輸電壓，需添加同步整流的MOSFET調整優化，增加MOSFET的用量。 綜合以上趨勢，功率半導體在未來 5~10 年將擁有不錯成長性，尤其前面提到在美股上市的巨頭，目前營運重心都已放在汽車與工業，值得投資人關注。
李教授及其研究團隊致力於碳化矽功率半導體元件的研究，研究內容包含了碳化矽的磊晶、磊晶層的缺陷分析、碳化矽功率半導體元件的結構設計、電性模擬、光罩繪製、製程步驟及參數的調整，以及碳化矽功率元件的測試。 為了要節省能源，降低碳排放量，再生能源系統、電動車和軌道系統都致力於提升效率，降低功率消耗，在這些系統中，功率半導體元件（二極體和電晶體）扮演著相當重要的角色，因為在電能處理器（converter/inverter）的開與關之間，功率就會在高功率金氧半場效電晶體上被消耗掉，產生導通損和切換損。 功率半導體元件2023 因此，在導通期間，高功率金氧半場效電晶體要有低導通電阻（Ron），才能使消耗在電阻上的功率降低；在截止期間，高功率金氧半場效電晶體要有低逆向漏電流，減少額外的功率損失；在開關切換時，逆向回覆時間要短，才能使元件完全截止。
